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[发明专利]堆叠状的III-V族半导体二极管-CN202210104842.6在审
发明人： V·杜德克;J·科瓦尔斯基;R·博贾尼;D·富尔曼;T·维尔茨科夫斯基 -专利权人： 3-5电力电子有限责任公司;阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种堆叠状的III‑V族半导体二极管，包括GaAs或由GaAs组成，具有高n掺杂的阴极层、高p掺杂的阳极层和布置在所述阴极层与所述阳极层之间的漂移区，所述漂移区具有最高8·1015cm‑3的掺杂剂浓度和至少10μm的层厚，其中，所述阴极层具有δ层区段，所述δ层区段具有从0.1μm至2μm的层厚和至少1·1019cm‑3的掺杂剂浓度。
堆叠 iii 半导体二极管

[发明专利]堆叠状的高阻断的InGaAs半导体功率二极管-CN202110294208.9在审
发明人： T·维尔茨科夫斯基;D·富尔曼 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：堆叠状的高阻断的III‑V族半导体功率二极管和制造方法，III‑V族半导体功率二极管具有高掺杂的第一半导体接通区、布置在第一半导体接通区下方的低掺杂的半导体漂移区、布置在半导体漂移区下方的高掺杂的第二半导体接通区和两个连接接通层，至少第一半导体接通区构造核心堆叠，核心堆叠沿侧面由电介质框架区域包围，核心堆叠的和电介质框架区域上侧或下侧彼此封闭或相对于彼此构造台阶，III‑V族半导体功率二极管的布置在第一半导体接通区下方的半导体区域分别由核心堆叠包括或构造载体区域，其中，载体区域布置在核心堆叠和框架区域下方，并与由电介质框架区域的下侧和核心堆叠的下侧形成的共同下侧材料锁合地连接。
堆叠阻断 ingaas 半导体功率二极管

[发明专利]气相外延方法-CN202011353147.0在审
发明人： C·瓦赫特;G·凯勒;T·维尔茨科夫斯基;D·富尔曼 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：气相外延方法，具有以下方法步骤：在反应腔中由外延气流的气相在衬底的表面或前面层上生长具有从n掺杂改变至p掺杂的掺杂变化曲线的III‑V层，该外延气流包括至少一个承载气体、用于III.主族中的第一前体和用于V.主族中的第一元素的至少一个第二前体并且被导入到反应腔中，其中，在达到第一生长高度时，借助于外延气流中的第一前体的第一质量流相对于第二前体的第二质量流的、导致p掺杂的比例并且在将用于n掺杂剂的第三前体的第三质量流添加至外延气流的情况下调设出n掺杂初始值，随后，第三质量流和/或第一质量流和第二质量流之间的比例跨越具有至少10μm的生长高度的过渡区域层逐步地改变，直至达到p掺杂目标值。
外延方法

[发明专利]气相外延方法-CN202011353183.7在审
发明人： G·凯勒;C·瓦赫特;T·维尔茨科夫斯基 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：气相外延方法，具有以下方法步骤：在反应腔中由外延气流的气相在衬底的表面或前面层上生长具有从p掺杂改变至n掺杂的掺杂变化曲线的III‑V层，该外延气流具有承载气体、用于III.主族中的元素的至少一个第一前体和用于V.主族中的元素的至少一个第二前体，其中，在达到第一生长高度时，借助于所述外延气流中的所述第一前体的第一质量流相对于所述第二前体的第二质量流的比例调设出第一掺杂初始值，随后通过所述第一前体的所述第一质量流相对于所述第二前体的所述第二质量流的比例的逐步的或连续的改变并且通过所述外延气流中的用于n掺杂剂的第三前体的质量流的逐步的或连续的增大，所述III‑V层的掺杂跨越具有至少10μm的生长高度的过渡区域层改变，直至达到n掺杂目标值。
外延方法