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[发明专利]将用于电子装置的层堆叠图案化-CN201580044506.5有效
发明人： S·诺弗尔 -专利权人：弗莱克因艾伯勒有限公司
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：提供有一种将限定了一个或多个电子装置元件的层的堆叠图案化的方法，包括：通过激光烧蚀在层的堆叠的最上面的部分中创建第一厚度剖面；以及刻蚀层的堆叠以将第一厚度剖面转化为下部水平处的第二厚度剖面；其中刻蚀减小了堆叠的所述最上面的部分的厚度和在堆叠的所述层上面的部分之下的一个或多个下部层的厚度。
用于电子装置堆叠图案

[发明专利]显示装置-CN201880074278.X在审
发明人： C·哈里森;S·诺弗尔 -专利权人：弗莱克因艾伯勒有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种技术，包括：提供包含定义晶体管阵列的堆叠层的工件，该晶体管包括有机半导体沟道，其中该堆叠层包括定义上导体元件阵列的上导体图案(8)，每个与通孔区(10)中的下导体图案的各个下导体元件(6)接触；所述方法包括：通过在所述上导体图案上形成堵塞层来处理所述工件，所述堵塞层在至少所述通孔区中提高所述工件的上表面水平，同时使每个上导体元件的至少一部分暴露；以及在所述上导体图案上提供光学介质(36)，而不首先在所述工件的上表面上形成无机防潮层。
显示装置

[发明专利]用于光电设备的控制部件-CN201910596646.3在审
发明人： S·诺弗尔 -专利权人：弗莱克因艾伯勒有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本公开涉及用于光电设备的控制部件。一种制造用于光电设备的包括像素电极阵列的控制部件的方法，所述方法包括：在支撑膜之上原位形成图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层；在所述支撑膜之上原位形成限定电气电路的层的叠堆，像素电极阵列中的每一个经由该电气电路可被独立寻址；其中，形成所述层的叠堆包括在所述图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层之上至少原位形成：限定源导体阵列和漏导体阵列的图案化导体层；限定源导体和漏导体之间的半导体沟道的半导体沟道材料层；以及限定栅导体阵列的另一个图案化导体层，该栅导体阵列在所述沟道区域中提供栅电极。
图案化原位形成图案化导体层像素电极阵列半导体沟道基质材料层滤色器材料导体导体阵列电气电路光电设备控制部件栅导体支撑膜叠堆独立寻址沟道区域材料层栅电极制造

[发明专利]像素电容器-CN201280017826.8有效
发明人： P·凯恩;S·诺弗尔;B·H·佩 -专利权人：造型逻辑有限公司
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种技术包括：形成装置的横向延伸的切换电路，用于控制所述装置的像素导体(11)的重叠的横向延伸的阵列；在所述切换电路之上经由第一绝缘区域(7)形成导电的横向延伸的图案化的屏蔽器(8)，所述图案化的屏蔽器(8)限定用于收容所述切换电路与所述像素导体(11)的阵列之间的导电的层间连接件(10)的孔(28)；并且其后：在所述图案化的屏蔽器(8)之上形成第二绝缘区域(9)，在所述图案化的屏蔽器(8)之上经由所述第二绝缘区域(9)形成用于与所述图案化的屏蔽器(8)电容性耦合的所述像素导体(11)的阵列，在所述图案化的屏蔽器中限定的所述孔(28)的位置处形成至少通过所述第一和第二绝缘区域的贯通孔，并且在所述贯通孔中形成所述层间连接件(10)；以及其中所述图案化的屏蔽器(8)被配置为使得在像素导体(11)相对于切换电路的横向位置的一个范围内像素导体(11)的阵列与下层的导电元件(8)之间的交迭的面积基本上恒定，所述范围在第一方向上大于所述第一方向上的像素导体(11)的节距(P)的40％。
像素电容器