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[发明专利]完全空乏型绝缘层上覆硅功率放大器-CN201711292440.9有效
发明人： S·T·李;阿贝拉特·贝拉尔 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：本发明揭露涉及完全空乏型绝缘层上覆硅功率放大器，其一般是关于半导体结构，并且尤其是关于具有独特的偏压及电压驻波比保护的完全空乏型绝缘层上覆硅功率放大器及制造的方法。该结构包含伪差动共源极放大器；连接至该伪差动共源极放大器及保护该伪差动共源极放大器免于过应力的第一级串迭装置；连接至该第一级串迭装置及提供差动输出的第二级串迭装置；以及从该第二级串迭装置接收该差动输出及回馈该差动输出至该第二级串迭装置的至少一个回路。
完全空乏绝缘层上覆硅功率放大器

[发明专利]具有可变截面定子绕组的电机-CN201811342216.0有效
发明人： S·T·李 -专利权人：博格华纳公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H02K3/12 文献下载
摘要：本发明涉及具有可变截面定子绕组的电机。一种电机(20)，其包括转子(22)，转子可操作地与具有多个定子绕组(38)的定子(24)联接。每个定子绕组限定成具有多个端匝分段(44)和设置在定子槽(36)内的多个轴向延伸分段(42)。限定第一截面积(80)的至少一个第一轴向延伸分段和限定较小第二截面积(82)的至少两个第二轴向延伸分段设置在每个定子槽(36)中。多个端匝分段(44)中的至少一个将所述多个槽中的第一槽中的单个第一轴向延伸分段导电地连接到所述多个槽中的第二槽中的至少两个第二轴向延伸分段。在一些实施例中，较大的第一轴向延伸分段全部都布置在较小的第二轴向延伸分段的径向外侧。可以使用发卡式导体(40，41)形成绕组。
具有可变截面定子绕组电机

[发明专利]形成具有偏斜槽的定子的方法和包括偏斜槽的定子-CN202080034678.5在审
发明人： K·尼特;S·T·李 -专利权人：博格华纳公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H02K15/08 文献下载
摘要：一种将绕组插入定子中的方法，该定子具有形成在定子叠片的内径上的偏斜槽，该方法包括：形成具有多个槽段的导体；将导体装载到线性盒的多个偏斜槽元件中，该线性盒具有第一端部、第二端部和连接第一端部和第二端部的线性轴线，多个偏斜槽元件相对于线性轴线成角度；将导体从线性盒转移到在旋转盒的外径中形成的多个偏斜槽构件；将旋转盒插入定子叠片的内径中；以及将导体从旋转盒移动到定子的偏斜槽中。
形成具有偏斜定子方法包括

[发明专利]包括具有相移绕组的定子的电机-CN202110934422.6在审
发明人： K·E·尼特;S·T·李 -专利权人：博格华纳公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H02K1/16 文献下载
摘要：本发明涉及具有多个绕组(30)的多相电机(20)，绕组安装在定子芯(28)上，其限定了多个相，其中对于每个相，绕组包括至少两个并联绕组，每个绕组包括串联连接的一对连续线材(AZ、BX、CY)。对于每个极(1、2、3、4……16)，并联绕组填充一个或多个中心槽(BB、CC)和两个外槽(AA、DD)。每个绕组填充每个中心槽的倍数为绕组填充每个外槽的倍数的两倍，从而在中心槽和外槽之间限定2：1的槽填充比，并且其中形成绕组的线材对中的每条线材填充槽的比与该槽填充比不同。并联绕组中的每个绕组包括相移端环，其将绕组从一个外槽移动到另一个外槽。
包括具有相移绕组定子电机

[发明专利]包括具有相移绕组的定子的电机-CN201780046625.3有效
发明人： K·E·尼特;S·T·李 -专利权人：博格华纳公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H02K1/16 文献下载
摘要：本发明涉及具有多个绕组(30)的多相电机(20)，绕组安装在定子芯(28)上，其限定了多个相，其中对于每个相，绕组包括至少两个并联绕组，每个绕组包括串联连接的一对连续线材(AZ、BX、CY)。对于每个极(1、2、3、4……16)，并联绕组填充一个或多个中心槽(BB、CC)和两个外槽(AA、DD)。每个绕组填充每个中心槽的倍数为绕组填充每个外槽的倍数的两倍，从而在中心槽和外槽之间限定2：1的槽填充比，并且其中形成绕组的线材对中的每条线材填充槽的比与该槽填充比不同。并联绕组中的每个绕组包括相移端环，其将绕组从一个外槽移动到另一个外槽。
包括具有相移绕组定子电机

[发明专利]具有磁通分配空隙的内置永磁体电机-CN202080008229.3在审
发明人： S·T·李 -专利权人：博格华纳公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H02K1/27 文献下载
摘要：一种电机(20)，具有转子(24)，转子(24)有由导磁材料形成的转子芯(30)，并限定了多个磁极(32)。各磁极包括多个离散的沿轴向延伸的磁体狭槽(36、38)，至少一个永磁体(40、42)在各磁体狭槽中。各磁极(32)有径向中心线(34)，并包括由转子芯限定的多个空隙(86、88、90)。对于各磁极，磁体狭槽包括至少一个中心磁体狭槽(36)和两个外部磁体狭槽(38)，外部磁体狭槽(38)位于磁极的径向中心线(34)的相对周向侧，且至少局部定位得比所述至少一个中心磁体狭槽(36)的径向最外侧边缘(60)更靠近转子芯的径向外周边。多个空隙(86、88、90)各自与各磁体狭槽(36、38)间隔开，并沿周向定位在外部磁体狭槽(38)之间并且沿径向定位在该至少一个中心磁体狭槽(36)的外侧。
具有通分空隙内置永磁体电机

[发明专利]微腔OLED光提取-CN201380044463.1在审
发明人：谢尔盖·拉曼斯基;S·T·李;乔纳森·A·阿尼姆-阿多;吉代沃·阿雷费;基思·L·贝尔曼;詹姆斯·M·纳尔逊;维维安·W·琼斯;威廉·A·托尔伯特 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本公开提供光发射装置、包括该光发射装置的有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)装置，以及包括该光发射装置的图像显示装置。具体地，该光发射装置包括微腔有机发光二极管(OLED)(120)、光提取膜(110)以及被设置在该微腔OLED与该光提取膜之间的高折射率封盖层(122)。
微腔 oled 提取

[发明专利]具有针对无线应用的可切换输出的无源发射机架构-CN200980144048.7无效
发明人： A·贝劳乌尔;S·T·李;S·J·方;S·H·K·恩巴比;T·曼库 -专利权人：艾色拉加拿大有限公司
申请日： 2009-09-08 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H04W88/06 文献下载
摘要：一种发射机架构具有单信号路径或硬件以覆盖WCDMA/EDGE/GSM应用，并且在发射机输出处不需要SAW。所述发射机架构考虑到传送收敛特征。具有唯一驱动器并且还使用可从用于混频器核心的CMOS工艺获得的本机设备的无源混频器实现低压和低功率设计、低输出噪声以及高线性度。数字可变增益放大器具有覆盖利用低供给电压操作的宽输出动态范围并且与没有DAC的基带电路数字对接。单个变换器被用来合并来自WCDMA/EDGE和GSM驱动器的输出，并且随后将差分信号路径转换为单端信号。RF开关被用来将来自所述变换器的输出转移至不同频带和应用。
具有针对无线应用切换输出无源发射机架构

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