专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]运算存储器架构-CN201880077581.5在审
  • M·安娜沙瑞;H·纳扎里安;C·苏克;S·迪布瓦 - 科洛斯巴股份有限公司
  • 2018-09-28 - 2020-07-17 - G11C13/00
  • 本文中提供一种运算存储器架构。非易失性存储器架构可包括:电阻性随机存取存储器阵列,包括多组位线和多个字线;第一数据接口,用于从外部装置接收数据以及将数据输出到外部装置;以及第二数据接口,用于将数据输出到外部装置。非易失性存储器架构也可以包括可编程处理元件,所述可编程处理元件与所述电阻性随机存取存储器阵列的多组位线的相应的位线组连接,并且连接至数据接口。可编程处理元件被配置成经由所述相应的位线组从电阻性随机存取存储器阵列中接收储存数据或经由数据接口从外部装置中接收外部数据,并且对外部数据或储存数据执行逻辑或数学算法并且产生已处理数据。
  • 运算存储器架构
  • [发明专利]用于生产衰减LID现象的太阳能电池的方法-CN201180052656.2无效
  • P·波谢;S·迪布瓦 - 原子能和能源替代品委员会
  • 2011-10-28 - 2013-07-10 - H01L31/18
  • 为了降低晶体硅太阳能电池由于LID效应产生的转换效率的衰退,应用包括使空隙受控引入硅的一个或多个步骤,其中通过从下列步骤中选择一个或多个步骤的方式来执行所述引入:硅化、渗氮、离子注入、激光辐照、通过弯曲施加机械应力于硅衬底的表面,并与促进空隙形成的温度相结合。借助于VO复合物的扩散效应和氧的沉淀效应,所述空隙可以降低间隙氧的含量。空隙的引入还具有降低自间隙含量的效果,并且因此限制了间隙硼的形成。因此限制了由BiOi2复合物的激活产生的LID现象。特别地,本发明能够应用于具有较高硼和氧浓度的单晶硅或多晶硅太阳能电池。
  • 用于生产衰减lid现象太阳能电池方法
  • [发明专利]制造辐射探测器的方法-CN200880016958.2有效
  • G·维厄;J-M·维尼奥勒;P·罗尔;D·库代;S·迪布瓦 - 特里赛尔公司
  • 2008-05-22 - 2010-03-31 - H01L27/146
  • 本发明涉及一种制造包括光敏传感器组件(1,4)、闪烁器(6)的辐射探测器的方法,闪烁器将辐射转换为光敏传感器组件(1,4)能够感测的辐射,闪烁器(6)通过粘合剂结合固定于传感器组件,传感器组件包括基底(4)和数个附加传感器(1),每个传感器(1)具有两个面(11,12),第一面(11)与基底结合且第二面(12)与闪烁器(6)结合。该方法在于下述操作是关联的:传感器(1)通过其第二面(12)被沉积于粘合剂膜(13)上;和传感器(1)通过其第一面(11)与基底(4)结合。
  • 制造辐射探测器方法

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