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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]超导量子位器件封装-CN201680091151.X有效
发明人： J·M·罗伯茨;A·A·埃尔谢尔比尼;S·利夫;J·M·斯旺;R·考迪罗;Z·R·约斯科维茨;N·K·托马斯;R·皮拉里塞泰;H·C·乔治;J·S·克拉克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06N10/40 文献下载
摘要：本文公开的一种超导量子位器件封装包括具有第一面和相对的第二面的管芯，以及具有第一面和相对的第二面的封装衬底。管芯包括量子器件，所述量子器件包括：在管芯的第一面上的多个超导量子位和多个谐振器，以及耦合在管芯的第一面处的导电触点与多个超导量子位中的相关联的超导量子位或多个谐振器中的相关联的谐振器之间的多个导电通路。封装衬底的第二面还包括导电触点。器件封装还包括设置在管芯的第一面与封装衬底的第二面之间的第一级互连，其将管芯的第一面处的导电触点与封装衬底的第二面处的相关联的导电触点耦合。
超导量子器件封装

[发明专利]微电子组件-CN202211736597.7在审
发明人： A·A·埃尔谢尔比尼;F·艾德;J·M·斯旺;S·利夫 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本文公开了微电子组件、相关的设备和方法。在一些实施例中，微电子组件可以包括：具有第一表面和相对的第二表面的封装衬底；嵌入在第一电介质层中的第一管芯，第一管芯具有第一表面和相对的第二表面，其中，第一管芯的第一表面通过第一互连耦合到封装衬底的第二表面；嵌入在第二电介质层中的第二管芯，第二管芯具有第一表面和相对的第二表面，其中，第二管芯的第一表面通过第二互连耦合到第一管芯的第二表面；以及嵌入在第三电介质层中的第三管芯，第三管芯具有第一表面和相对的第二表面，其中，第三管芯的第一表面通过第三互连耦合到第二管芯的第二表面。
微电子组件

[发明专利]复合IC装置结构的部件中的绝热互连特征-CN202210570910.8在审
发明人： A·阿列克索夫;J·斯旺;S·利夫;F·艾德;A·埃尔谢尔比尼;J·赛博特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种复合集成电路(IC)结构至少包括与第二IC管芯堆叠的第一IC管芯。每一管芯具有装置层以及互连至所述装置层的晶体管并且终止于特征处的金属化层。第一IC管芯的第一特征主要具有第一成分，所述第一成分具有第一微结构。第二IC管芯的第二特征主要具有第二成分或者第二微结构。第二特征中的第一个与第一特征中的一个直接接触。第二成分具有的热导率比第一成分和第一微结构的热导率低至少一个数量级。第一成分具有的热导率可以是第二成分或第二微结构的热导率的至少40倍。
复合 ic 装置结构部件中的绝热互连特征

[发明专利]在管芯之间集成三维无源部件的设备和方法-CN202210579079.2在审
发明人： G·多吉阿米斯;A·埃尔谢尔比尼;Q·于;S·利夫;B·崔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及在管芯之间集成三维无源部件的设备和方法。公开了设备和方法。在一个示例中，一种半导体封装包括第一管芯，第一管芯具有第一表面和位于第一表面处或附近的第一电引线。该半导体封装还包括衬底，该衬底具有第二表面并且在第一界面处耦合至第一管芯。该衬底还包括位于该第二表面处或附近的第一电极以及耦合至该第一电极的集成无源装置的至少第一部分。该第一电极跨越第一界面与第一电引线对准并且耦合。
管芯之间集成三维无源部件设备方法

[发明专利]用于集成电路设备的金属化层中的跳层级过孔-CN202080082394.3在审
发明人： A·埃尔谢尔比尼;M·科布林斯基;S·利夫;J·斯旺;G·帕斯达斯特;S·N·蒂亚戈劳伊 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：可以形成一种集成电路设备，其包括电子衬底和在电子衬底上的金属化结构，其中，金属化结构包括：第一层级，第一层级包括第一电介质材料层；在第一层级上的第二层级，其中，第二层级包括第二电介质材料层；在第二层级上的第三层级，其中，第三层级包括第三电介质材料层；至少一个电源/接地结构，在第二层级中；以及至少一个跳层级过孔，至少部分地穿过第一层级的第一电介质材料层、穿过第二层级的第二电介质材料层并且至少部分地穿过第三层级的第三电介质材料层延伸，其中，至少一个跳层级过孔包括连续导电材料。
用于集成电路设备金属化中的层级

[发明专利]使用通过线路连接的无线电设备接口的微电子封装通信-CN201580082563.2有效
发明人： S·利夫;A·A·埃尔谢尔比尼;T·卡姆嘎因;S·N·奥斯特;G·查乌拉 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G06F13/14 文献下载
摘要：描述了使用通过线路连接的无线电设备接口的微电子封装通信。一个示例包括系统板、集成电路芯片以及安装到系统板以承载集成电路芯片的封装基底，封装基底具有导电连接器以将集成电路芯片连接到外部部件。封装基底上的无线电设备耦合到集成电路芯片，以将数据调制到载波上并发射经调制的数据。系统板上的无线电设备接收所发射的经调制的数据并解调所接收的数据，并且线缆接口耦合到系统板无线电设备以将所接收的经解调的数据耦合到线缆。
使用通过线路连接无线电设备接口微电子封装通信

[发明专利]制造可拉伸计算设备的方法-CN201680048652.X有效
发明人： A·A·埃尔谢尔比尼;A·阿列克索夫;S·利夫 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：一些形式涉及可拉伸计算设备，其包括：可拉伸主体；嵌入在可拉伸主体内的第一电子部件；嵌入在可拉伸主体内的第二电子部件；并且其中第一电子部件和第二电子部件由包括通孔的可拉伸电连接器连接。可拉伸电连接器是非平面的和/或可以具有部分Z字形状和/或部分线圈形状。在一些形式中，可拉伸计算设备还包括附着到可拉伸主体的织物。
制造拉伸计算设备方法

[发明专利]重构晶圆组件-CN202011022908.4在审
发明人： A·埃尔谢尔比尼;S·利夫;H·布劳尼施;J·斯旺 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：可以形成包括附接到基础衬底的重构晶圆的集成电路器件组件，其中基础衬底提供热管理和光信号路径。在一个实施例中，基础衬底可以包括用于将重构晶圆中的集成电路器件电耦合的多个电互连。在另一个实施例中，可以在重构晶圆本身中形成用于将重构晶圆中的集成电路器件电耦合的多个电互连。
重构晶圆组件

[发明专利]用于探测混合结合器件的互连的选择性凹陷-CN202011015432.1在审
发明人： B·K·米勒;A·埃尔舍比尼;M·科布林斯基;J·斯万;S·利夫;P·塔达永 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明涉及用于探测混合结合器件的互连的选择性凹陷。一种集成电路（IC）器件包括第一组件，第一组件包括第一电介质以及在第一电介质内的多个相邻的第一互连结构。该IC器件包括第二组件，第二组件包括第二电介质以及在第二电介质内的多个相邻的第二互连结构。第二互连结构中的第一个互连结构与第一互连结构中的第一个互连结构在第一和第二组件之间的结合界面处直接接触。第一互连结构中的第二个互连结构缩进成距结合界面的平面一定距离。
用于探测混合结合器件互连选择性凹陷

[发明专利]集成电路的后段制程金属化叠层中的选择性互连-CN202011007713.2在审
发明人： S·利夫;A·埃尔谢尔比尼;J·斯旺 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)器件结构，包括：主芯片，具有器件层和在器件层的相邻第一和第二区域之上的一个或多个第一金属化层级。第一金属化层级互连到器件层。互连芯粒在第一区域内的第一金属化层级之上。互连芯粒包括多个第二金属化层级，以及多个第三金属化层级，在第二区域内的第一金属化层级之上并且与互连芯粒相邻。互连特征尺寸或组成中的至少一个在第二金属化层级中的一个第二金属化层级与第三金属化层级中相邻的一个第三金属化层级之间不同。
集成电路后段金属化中的选择性互连

[发明专利]复合插入物结构和提供复合插入物结构的方法-CN202011015408.8在审
发明人： A·埃舍尔比尼;S·利夫;J·斯万;G·帕斯达斯特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：用于与插入物的高互连密度通信的技术和机制。在一些实施例中，插入物包括基板和设置在基板上的部分，其中所述部分的相应无机电介质在材料界面处彼此邻接，所述材料界面延伸到基板和插入物的第一侧中的每一个。插入物的第一硬件接口在第一侧处跨越材料界面，其中所述部分中的第一部分包括第一互连，所述第一互连将第一硬件接口在第一侧处耦合到第二硬件接口。所述部分中的第二部分包括第二互连，所述第二互连将第一硬件接口或第二硬件接口中的一个在插入物的另一侧处耦合到第三硬件接口。在另一实施例中，第一硬件接口的金属化节距特征小于第二硬件接口的对应金属化节距特征。
复合插入结构提供方法

[发明专利]微电子组件-CN201980021409.2在审
发明人： A·A·埃尔谢尔比尼;F·艾德;J·M·斯旺;S·利夫 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本文公开了微电子组件、相关的设备和方法。在一些实施例中，微电子组件可以包括：具有第一表面和相对的第二表面的封装衬底；嵌入在第一电介质层中的第一管芯，第一管芯具有第一表面和相对的第二表面，其中，第一管芯的第一表面通过第一互连耦合到封装衬底的第二表面；嵌入在第二电介质层中的第二管芯，第二管芯具有第一表面和相对的第二表面，其中，第二管芯的第一表面通过第二互连耦合到第一管芯的第二表面；以及嵌入在第三电介质层中的第三管芯，第三管芯具有第一表面和相对的第二表面，其中，第三管芯的第一表面通过第三互连耦合到第二管芯的第二表面。
微电子组件

[发明专利]具有射频（RF）芯片的微电子封装-CN202010108060.0在审
发明人： A·埃尔谢尔比尼;J·斯旺;H·布劳尼施;T·卡姆嘎因;A·阿列克索夫;S·利夫;G·多吉阿米斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：实施例可以涉及微电子封装，其包括通过具有第一间距的互连与管芯耦合的射频(RF)芯片。所述RF芯片还可以通过具有与第一间距不同的第二间距的互连与封装衬底的波导耦合。所述RF芯片可以促进将数据作为频率大于约20吉赫兹(GHz)的电磁信号传输到波导。可以描述或要求保护其他实施例。
具有射频 rf 芯片微电子封装

[发明专利]用于可弯曲并且可伸展的器件的波状互连件-CN201480078557.5有效
发明人：胡川;A·A·埃尔谢尔比尼;Y·富田;S·利夫 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开内容的实施例描述了用于可弯曲并且可伸展的器件的波状互连件以及相关联的技术和构造。在一个实施例中，互连组件包括限定平面的柔性衬底和设置在柔性衬底上的波状互连件并且被配置为沿着与所述平面共面的第一方向按照路线发送集成电路(IC)器件的电信号，波状互连件具有第二方向上的波状轮廓，所述第二方向垂直于所述第一方向并且与所述平面共面。可以描述和/或要求保护其它实施例。
用于弯曲并且伸展器件波状互连

[发明专利]云服务平台-CN201480022522.X在审
发明人： S·本科林;E·珀蒂;S·利夫 -专利权人：明导公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： G06F3/12 文献下载
摘要：所公开的技术的实施例包括云托管的中心服务平台，所述云托管的中心服务平台与用于连接的移动应用的中心资源和分布式资源两者以及外围设备接口并且使得能够访问用于连接的移动应用的中心资源和分布式资源两者以及外围设备。例如，该平台允许服务提供商和应用开发者创建大量新类别的应用，从而利用到任何种类的设备、传感器和/或执行机构的web访问。该平台能够被应用到几乎任何垂直段。所公开的实施例的任何所公开的特征或方面能够以与彼此或与其他方法、装置和系统的各种组合和子组合来被使用。
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