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[发明专利]倒装芯片封装组件-CN202310320204.2在审
发明人： R·J·L·格瓦拉 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请公开了倒装芯片封装组件。所描述的示例包括：半导体管芯(图4H，402)，该半导体管芯具有在器件侧表面上的键合焊盘(408)；钝化层(411)，该钝化层叠置在半导体管芯的器件侧表面上，其中在钝化层中有开口，该钝化层具有背离半导体管芯的器件侧表面的平坦表面(409)；柱形连接件(414)，这些柱形连接件形成在键合焊盘上和钝化层中的开口中，柱形连接件具有在键合焊盘上的近端并且从键合焊盘延伸到位于钝化层的平坦表面之下的远端(413)；焊料(416)，该焊料位于柱形连接件的远端处并且接触钝化层中的开口的侧壁；以及焊点，这些焊点形成于柱形连接件的远端处的焊料与封装衬底之间，半导体管芯的器件侧表面面向封装衬底。
倒装芯片封装组件

[发明专利]用于侧向封装的导电端子-CN202310137591.6在审
发明人： R·J·L·格瓦拉;J·A·M·普洛曼特斯 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于侧向封装的导电端子。一种电子装置包含：半导体裸片(100)，其具有第一侧(101)、用于安装到衬底或电路板的正交第二侧(102)、所述第一侧(101)上的导电端子(111)，所述导电端子(111)具有沿一个方向(X)与所述第二侧(102)间隔开第一距离(121)的中心；及焊料结构(114)，其在所述导电端子(111)上延伸，所述焊料结构(114)具有沿所述方向(X)与所述导电端子(111)的所述中心间隔开非零第二距离(124)的中心。
用于侧向封装导电端子

[发明专利]具有钝化磁集中器的半导体装置-CN202211328506.6在审
发明人： R·J·L·格瓦拉;D·W·李;K·莫汉 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：所描述实例包含：半导体裸片(图5，505)，其包含布置在平行于所述半导体裸片的装置侧表面的第一平面内的霍尔传感器(506)；钝化磁集中器(512)，其包含形成在所述半导体裸片的所述装置侧表面上方的磁合金层(515)，所述磁合金层的上表面被聚合物材料层(517)覆盖；所述半导体裸片的与所述装置侧表面相对的背侧表面，其安装到封装衬底上的裸片垫(502)的裸片侧表面，所述半导体裸片在所述装置侧表面上具有与所述磁集中器间隔开的接合垫；电连接件(513)，其将所述半导体裸片的所述接合垫耦合到所述封装衬底的引线(501)；以及模制化合物(503)，其覆盖所述磁集中器、所述半导体裸片、所述电连接件、所述引线的一部分及所述裸片垫的所述裸片侧表面。
具有钝化集中器半导体装置

[发明专利]纹理化键合焊盘-CN202010854407.6在审
发明人： R·J·L·格瓦拉;A·T·小拉比拉斯;R·F·S·德阿西斯;S·T·桑切斯;A·L·安达雅 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请题为“纹理化键合焊盘”。在一些示例中，一种封装件包括半导体管芯和形成在半导体管芯上的键合焊盘(202)。该键合焊盘具有在键合焊盘的顶表面(203)上的突起部(410)。该封装件还包括金属接触件以及耦合到突起部和金属接触件的键合线。
纹理化键合焊盘

[发明专利]具有间隔件的倒装芯片集成电路封装-CN201910303953.8在审
发明人： J·R·M·巴埃洛;R·J·L·格瓦拉 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请的实施例涉及一种用于倒装芯片封装式集成电路的装置及方法。在所描述实例中，一种设备(图4，400)包含半导体衬底(403)及形成于所述半导体衬底(403)的作用表面上的至少两个柱状凸块(405)，所述至少两个柱状凸块(405)延伸远离所述作用表面且具有与所述半导体衬底间隔开的端，其中在所述至少两个柱状凸块的所述端处具有焊接材料(413)。至少一个间隔件(411)形成于所述半导体衬底的所述作用表面上，所述至少一个间隔件从所述半导体衬底的所述作用表面延伸预定距离。封装衬底(409)具有在第一表面上的裸片安装区，所述裸片安装区包含接纳所述至少两个柱状凸块的所述端且接纳所述至少一个间隔件的端的若干部分。模制化合物(433)覆盖所述半导体衬底、所述至少两个柱状凸块、所述至少一个间隔件及所述半导体衬底的至少一部分。
衬底半导体柱状凸块间隔件作用表面裸片安装倒装芯片封装集成电路封装接纳模制化合物倒装芯片第一表面焊接材料预定距离延伸集成电路覆盖申请