“P.A.麦康奈利”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有引线接合件的功率覆层结构和制造其的方法-CN202310295935.6在审
发明人： A.V.高达;P.A.麦康奈利 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及具有引线接合件的功率覆层结构和制造其的方法。具体而言，功率覆层(POL)结构包括：功率器件，其具有布置在功率器件的上表面上的至少一个上接触焊盘；和POL互连层，其具有联接至功率器件的上表面的电介质层、和金属化层，金属化层具有金属互连件，该金属互连件延伸穿过通孔并且电联接至功率器件的至少一个上接触焊盘，该通孔穿过电介质层而形成。POL结构还包括直接联接至金属化层的至少一个铜引线接合件。
具有引线接合功率覆层结构制造方法

[发明专利]功率覆盖结构及其制作方法-CN202010052240.1有效
发明人： A.V.高达;S.S.乔汉;P.A.麦康奈利 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及功率覆盖结构及其制作方法。一种功率覆盖(POL)结构，包括POL子模块。POL子模块包括介电层和具有附接到介电层上的顶表面的半导体装置。半导体装置的顶表面具有形成在其上的至少一个接触垫。POL子模块还包括金属互连结构，其延伸穿过介电层，且电性地联接到半导体装置的至少一个接触垫上。传导垫片联接到半导体装置的底表面上，且热界面的第一侧联接到传导垫片上。散热件联接到电绝缘的热界面的第二侧上。
功率覆盖结构及其制作方法

[发明专利]具有引线接合件的电气封装-CN202010112037.9有效
发明人： A.V.高达;P.A.麦康奈利 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及具有引线接合件的功率覆层结构和制造其的方法。具体而言，功率覆层(POL)结构包括：功率器件，其具有布置在功率器件的上表面上的至少一个上接触焊盘；和POL互连层，其具有联接至功率器件的上表面的电介质层、和金属化层，金属化层具有金属互连件，该金属互连件延伸穿过通孔并且电联接至功率器件的至少一个上接触焊盘，该通孔穿过电介质层而形成。POL结构还包括直接联接至金属化层的至少一个铜引线接合件。
具有引线接合电气封装

[发明专利]具有引线接合件的功率覆层结构和制造其的方法-CN201510668963.3有效
发明人： A.V.高达;P.A.麦康奈利 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明涉及具有引线接合件的功率覆层结构和制造其的方法。具体而言，功率覆层(POL)结构包括：功率器件，其具有布置在功率器件的上表面上的至少一个上接触焊盘；和POL互连层，其具有联接至功率器件的上表面的电介质层、和金属化层，金属化层具有金属互连件，该金属互连件延伸穿过通孔并且电联接至功率器件的至少一个上接触焊盘，该通孔穿过电介质层而形成。POL结构还包括直接联接至金属化层的至少一个铜引线接合件。
具有引线接合功率覆层结构制造方法

[发明专利]功率覆盖结构及其制作方法-CN201410094386.7有效
发明人： A.V.高达;S.S.乔汉;P.A.麦康奈利 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明涉及功率覆盖结构及其制作方法。一种功率覆盖(POL)结构，包括POL子模块。POL子模块包括介电层和具有附接到介电层上的顶表面的半导体装置。半导体装置的顶表面具有形成在其上的至少一个接触垫。POL子模块还包括金属互连结构，其延伸穿过介电层，且电性地联接到半导体装置的至少一个接触垫上。传导垫片联接到半导体装置的底表面上，且热界面的第一侧联接到传导垫片上。散热件联接到电绝缘的热界面的第二侧上。
功率覆盖结构及其制作方法

[发明专利]超薄嵌入半导体装置封装及其制造方法-CN201510095674.9有效
发明人： A.V.高达;P.A.麦康奈利;S.S.乔汉 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及超薄嵌入半导体装置封装及其制造方法。一种封装结构，包括第一电介质层、附接到第一电介质层的(多个)半导体装置，以及施加到第一电介质层以便将半导体装置嵌入在其中的嵌入材料，该嵌入材料包括一个或多个附加电介质层。通孔通过第一电介质层形成到至少一个半导体装置，其中，金属互联件形成在通孔中以形成对半导体装置的电互联。输入/输出(I/O)连接部在封装结构的一端位于其一个或多个面朝外的表面上，以提供对外部电路的第二级连接。封装结构与在外部电路上的连接器互相配合以垂直于外部电路安装封装，其中，I/O连接部电连接到连接器以形成对外部电路的第二级连接。
超薄嵌入半导体装置封装及其制造方法

[发明专利]功率覆盖结构及其制作方法-CN201410094324.6有效
发明人： A.V.高达;S.S.乔汉;P.A.麦康奈利 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：一种半导体装置模块，包括：介电层；半导体装置，其具有联接到介电层上的第一表面；以及传导垫片，其具有联接到介电层的第一表面。该半导体装置还包括导电散热器，其具有联接到半导体装置的第二表面和传导垫片的第二表面的第一表面。金属化层联接到半导体装置的第一表面和传导垫片的第一表面。金属化层延伸穿过介电层并且通过传导垫片和散热器电连接到半导体装置的第二表面。
功率覆盖结构及其制作方法

[发明专利]用于嵌入式半导体器件封装的电气互连结构及其制造方法-CN201510519852.6有效
发明人： P.A.麦康奈利;A.V.高达 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及用于嵌入式半导体器件封装的电气互连结构及其制造方法。具体而言，电子封装包括：第一介电基底，其具有穿过其厚度形成的第一多个通孔；金属化接触层，其联接至第一介电基底的顶表面；和第一裸片，其定位在穿过第一介电基底的厚度形成的第一裸片开口内。金属化互连件形成在第一介电基底的底表面上且延伸穿过第一多个通孔，以接触金属化接触层。第二介电基底联接至第一介电基底且具有穿过其厚度形成的第二多个通孔。金属化互连件延伸穿过第二多个通孔，以接触第一多个金属化互连件和第一裸片的接触焊盘。第一传导性元件将第一裸片电联接至金属化接触层。
用于嵌入式半导体器件封装电气互连结构及其制造方法

1
共 8 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top