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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]扩散的尖端延伸晶体管-CN201911076308.3有效
  • P·帕特尔;M·Y·刘;J·A·维德梅尔;P·A·帕坎 - 英特尔公司
  • 2013-12-27 - 2023-05-30 - H01L21/336
  • 一种方法包括：在位于衬底上并且从衬底延伸的鳍状物的结区中形成开口；在开口中引入经掺杂的半导体材料；以及对经掺杂的半导体材料进行热处理。一种方法包括：在从衬底延伸的鳍状物上形成栅极电极；在邻近栅极电极的相对侧的鳍状物中形成开口；在开口中引入经掺杂的半导体材料；以及对经掺杂的半导体材料进行足以引入经掺杂的半导体材料中的掺杂剂的扩散的热处理。一种装置包括与从衬底延伸的鳍状物相交的栅极电极；以及在鳍状物的邻近栅极电极的相对侧的结区中的半导体材料填充的开口，其中，所述半导体材料包括掺杂剂。
  • 扩散尖端延伸晶体管
  • [发明专利]扩散的尖端延伸晶体管-CN201380081241.7在审
  • P·帕特尔;M·Y·刘;J·A·维德梅尔;P·A·帕坎 - 英特尔公司
  • 2013-12-27 - 2016-11-09 - H01L21/336
  • 一种方法包括：在位于衬底上并且从衬底延伸的鳍状物的结区中形成开口；在开口中引入经掺杂的半导体材料；以及对经掺杂的半导体材料进行热处理。一种方法包括：在从衬底延伸的鳍状物上形成栅极电极；在邻近栅极电极的相对侧的鳍状物中形成开口；在开口中引入经掺杂的半导体材料；以及对经掺杂的半导体材料进行足以引入经掺杂的半导体材料中的掺杂剂的扩散的热处理。一种装置包括：栅极电极，所述栅极电极横贯从衬底延伸的鳍状物；以及半导体材料填充的开口，所述半导体材料填充的开口鳍状物的邻近栅极电极的相对侧的结区中，其中，所述半导体材料包括掺杂剂。
  • 扩散尖端延伸晶体管
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  • 共 4 条
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