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[发明专利]用于有机场效应晶体管的二酮吡咯并吡咯聚合物-CN201610943823.7有效
发明人： M·迪格利;M·扎赫埃特伊施;P·哈约兹;O·F·埃比谢尔;M·丰罗多纳图龙;M·丰塔纳;M·兰兹;M·G·R·特比兹;B·施密德哈尔特;J-C·弗洛里斯 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及包含式I或III的重复单元的聚合物及其作为有机半导体在有机器件，尤其是有机场效应晶体管(OFET)，或含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中的用途。本发明聚合物具有在有机溶剂中的优异溶解性和优异成膜性能。此外，当将本发明聚合物用于有机场效应晶体管时，可观察到高效的能量转化、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。
有机场效应晶体管发明聚合物二酮吡咯并吡咯聚合物场效应迁移率有机半导体二极管成膜性能能量转化有机器件有机溶剂聚合物电流比可观察

[发明专利]用于有机半导体器件的二酮基吡咯并吡咯聚合物-CN201180024634.5在审
发明人： P·哈约兹;M·迪格利;N·舍博塔莱瓦;O·F·埃比谢尔 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及包含一个或多个式(I)的（重复）单元的聚合物或式(II)或(III)的聚合物及其作为有机器件中的有机半导体的用途，尤其是用于有机光伏器件(太阳能电池)及光电二极管或用于含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中。本发明聚合物在有机溶剂中具有优良溶解性且具有优良成膜性能。此外，在本发明聚合物用于有机场效应晶体管、有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管中时，可观察到高能量转换效率、优良场效应迁移率、良好开/关电流比和/或优良稳定性。
用于有机半导体器件二酮基吡咯聚合物

[发明专利]多环联噻吩-CN201080023293.5有效
发明人： H·J·吉尔尼尔;N·舍博塔莱瓦;O·F·埃比谢尔 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2010-05-21 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及式(I)的新化合物，其中R¹和R^1’相互独立地为H或取代基、卤素或SiR⁶R⁴R⁵；R²和R^2’可以相同或不同且选自C₁-C₂₅烷基、C₃-C₁₂环烷基、C₂-C₂₅链烯基、C₂-C₂₅炔基、C₄-C₂₅芳基、C₅-C₂₅烷芳基或C₅-C₂₅芳烷基，它们各自未被取代或被取代，以及在如权利要求1所定义的条件下，R²和/或R^2’也可以为卤素或氢；X为选自(Ia)和(Ib)的二价连接基团；Y和Y’独立地选自式(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)；n和p独立地为0-6；其中其他符号如权利要求1所定义，还涉及对应的低聚物和(共)聚合物。本发明化合物可以用作半导体且在有机溶剂中具有优异的溶解性和优异的成膜性能。此外，当将本发明聚合物用于有机场效应晶体管、有机光生伏打器件(太阳能电池)和光电二极管时，可以观察到高能量转换效率、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。
多环联噻吩

[发明专利]用于有机半导体器件中的二酮基吡咯并吡咯聚合物-CN201080023367.5有效
发明人： M·古吉利;O·F·埃比谢尔;P·哈约兹;M·丰罗多纳图龙;M·G·R·特比兹;J-C·弗洛里斯;H·J·吉尔尼尔;P·穆尔;N·舍博塔莱瓦;T·沙福尔 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2010-05-18 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C08G73/00 文献下载
摘要：本发明涉及包含一个或多个式A聚合物的(重复)单元的聚合物，该式A聚合物包含式(1)和(2)的(重复)单元，其中A为式(I)的重复单元，以及-COM¹-为式(3)或(4)的重复单元，以及它们在有机器件中，尤其是在有机光生伏打器件(太阳能电池)和光电二极管中，或者在含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中作为有机半导体的用途。本发明聚合物在有机溶剂中具有优异的溶解性以及优异的成膜性能。此外，当将本发明聚合物用于有机场效应晶体管、有机光生伏打器件(太阳能电池)和光电二极管中时，可以观察到高能量转换效率、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。
用于有机半导体器件中的二酮基吡咯聚合物

[发明专利]吡咯并吡咯衍生物、其制备及作为半导体的用途-CN201080014935.5无效
发明人： P·哈约兹;O·F·埃比谢尔;M·迪格利;M·G·R·特比兹;M·丰罗多纳图龙;N·舍博塔莱瓦 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种式I化合物，其中各取代基如权利要求1所定义，及其在有机器件如二极管、有机场效应晶体管和/或太阳能电池中作为有机半导体的用途。所述式I化合物在有机溶剂中具有优异的溶解性。当将所述化合物用于半导体器件或有机光伏(PV)器件(太阳能电池)时，可观察到高能量转换效率、优异的场效迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。
吡咯衍生物制备作为半导体用途

[发明专利]用于有机半导体器件的二酮吡咯并吡咯聚合物-CN201080013061.1有效
发明人： P·哈约兹;O·F·埃比谢尔;M·迪格利;H·J·吉尔尼尔;M·丰罗多纳图龙 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2010-03-22 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01B1/12 文献下载
摘要：本发明涉及包含一个或多个式(I)(重复)单元的聚合物，其特征在于Ar¹和Ar¹′彼此独立地为含有至少一个噻吩环的环状(芳族)杂环环体系，其可任选被一个或多个基团取代；及其作为有机半导体在有机器件中，尤其是在有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管中，或含有二极管和/或有机场效晶体管的器件中的用途。本发明聚合物在有机溶剂中具有优异的溶解性和优异的成膜特性。此外，当将本发明聚合物用于有机场效晶体管、有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管时，也可观察到高效的能量转换、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。
用于有机半导体器件吡咯聚合物

[发明专利]用于有机场效应晶体管的二酮吡咯并吡咯聚合物-CN200980153041.1有效
发明人： M·迪格利;M·扎赫埃特伊施;P·哈约兹;O·F·埃比谢尔;M·丰罗多纳图龙;M·丰塔纳;M·兰兹;M·G·R·特比兹;B·施密德哈尔特;J-C·弗洛里斯 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及包含式I或III的重复单元的聚合物及其作为有机半导体在有机器件，尤其是有机场效应晶体管(OFET)，或含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中的用途。本发明聚合物具有在有机溶剂中的优异溶解性和优异成膜性能。此外，当将本发明聚合物用于有机场效应晶体管时，可观察到高效的能量转化、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。
用于有机场效应晶体管吡咯聚合物

[发明专利]用于有机半导体器件的二酮吡咯并吡咯聚合物-CN200980143419.X有效
发明人： M·迪格利;M·扎赫埃特伊施;P·哈约兹;O·F·埃比谢尔;M·丰罗多纳图龙;M·G·R·特比兹 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及包含一个或多个式(I)(重复)单元和至少一个选自式(II)、(III)和(IV)的重复单元的(重复)单元的聚合物；和式III或IV的聚合物及其作为有机半导体在有机器件，尤其是在有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管，或含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中的用途。本发明聚合物具有在有机溶剂中的优异溶解性和优异成膜性能。此外，当将本发明聚合物用于有机场效应晶体管、有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管时，可观察到高效的能量转化、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。
用于有机半导体器件吡咯聚合物

[发明专利]取代的低聚-或聚噻吩-CN200980110165.1有效
发明人： H·J·吉尔尼尔;F·比内沃尔德;J-C·弗洛里斯;O·F·埃比谢尔 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2009-03-06 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：描述了制备取代的2，2’-联噻吩的方法，所述方法包括步骤(a)、(c)及任选的步骤(b)和(d)：a)使下式的化合物与适合的有机锂化合物，优选烷基锂或烷基氨基锂反应；b)锂任选与选自Mg、Zn和Cu的另一种金属交换；c)使步骤(a)或(b)中得到的金属化中间体与适合的亲电子体反应(加成反应)，所述亲电子体为CO₂或醛，或者与化合物Y’-R¹⁷或Y’-R¹⁸-Z反应(取代反应)，其中R¹⁷和R¹⁸如权利要求1所定义；以及任选d)例如通过引入一个或多个共轭结构部分Y、适合的单价残基R¹⁷之间的环合、官能团或取代基的交换或延伸如加成在R¹⁷或R¹⁸中的羰基上或该羰基的取代而将步骤(c)中得到的产物改性。产物，包括聚合物或相应的聚合物，为极好的导电材料，例如用在有机场效应晶体管、集成电路、薄膜晶体管、显示器、RFID标签、电致或光致发光器件、显示器、光伏或传感器器件、电荷注入层、肖特基二极管、记忆器件、极化层、抗静电物、导电基材或图案、光导体或电子照相应用或记录材料中。
取代噻吩

[发明专利]吡咯并吡咯衍生物、其制备及用途-CN200880119762.6有效
发明人： Z·郝;B·施密德哈特;J-L·布尔迪;M·丰塔纳;M·G·R·特比兹;F·比恩尼沃尔德;M·迪格利;O·F·埃比谢尔;P·哈约兹;M·丰罗多纳图龙 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明涉及式I的化合物，其中取代基如权利要求1所定义和其在有机器件如二极管、有机场效应晶体管和/或太阳能电池中作为有机半导体的用途。式I的化合物在有机溶剂中具有优异溶解性。在该化合物用于半导体器件或有机光电(PV)器件(太阳能电池)时可观察到高效率的能量转化、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。
吡咯衍生物制备用途

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