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[发明专利]用于有机场效应晶体管的二酮吡咯并吡咯聚合物-CN201610943823.7有效
发明人： M·迪格利;M·扎赫埃特伊施;P·哈约兹;O·F·埃比谢尔;M·丰罗多纳图龙;M·丰塔纳;M·兰兹;M·G·R·特比兹;B·施密德哈尔特;J-C·弗洛里斯 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及包含式I或III的重复单元的聚合物及其作为有机半导体在有机器件，尤其是有机场效应晶体管(OFET)，或含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中的用途。本发明聚合物具有在有机溶剂中的优异溶解性和优异成膜性能。此外，当将本发明聚合物用于有机场效应晶体管时，可观察到高效的能量转化、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。
有机场效应晶体管发明聚合物二酮吡咯并吡咯聚合物场效应迁移率有机半导体二极管成膜性能能量转化有机器件有机溶剂聚合物电流比可观察

[发明专利]具有改进开/关电流比和可控阈移的有机场效应晶体管-CN201180031221.X有效
发明人： B·施密德哈尔特;N·舍博塔莱瓦;P·哈约兹 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件，尤其是有机场效应晶体管，其包含含有聚合物和受体化合物的层，所述聚合物包含具有二酮吡咯并吡咯骨架的重复单元(DPP聚合物)，所述受体化合物具有在真空下4.6eV或更大的电子亲合力。将DPP聚合物用受体化合物掺杂导致具有改进空穴迁移率、开/关电流比和可控阈移的有机场效应晶体管。
具有改进电流可控有机场效应晶体管

[发明专利]用于有机场效应晶体管的二酮吡咯并吡咯聚合物-CN200980153041.1有效
发明人： M·迪格利;M·扎赫埃特伊施;P·哈约兹;O·F·埃比谢尔;M·丰罗多纳图龙;M·丰塔纳;M·兰兹;M·G·R·特比兹;B·施密德哈尔特;J-C·弗洛里斯 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及包含式I或III的重复单元的聚合物及其作为有机半导体在有机器件，尤其是有机场效应晶体管(OFET)，或含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中的用途。本发明聚合物具有在有机溶剂中的优异溶解性和优异成膜性能。此外，当将本发明聚合物用于有机场效应晶体管时，可观察到高效的能量转化、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。
用于有机场效应晶体管吡咯聚合物

[发明专利]新颖的二酮基吡咯并吡咯聚合物-CN200910211522.5有效
发明人： I·黑姆;B·蒂克;R·伦茨;B·施密德哈尔特;A·R·拉宾德拉纳特;M·迪格利 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2004-10-18 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及新颖的二酮基吡咯并吡咯聚合物，本发明提供了包括通式(I)的重复单元的聚合物和它们在电子器件中的用途。根据本发明的聚合物具有有机溶剂中的优异溶解度和优异成膜性能。此外，如果根据本发明的聚合物用于聚合物发光二极管(PLED)，观察到高电荷载流子迁移率和发射颜色的高温稳定性。
新颖二酮基吡咯聚合物

[发明专利]新颖的二酮基吡咯并吡咯聚合物-CN200480031709.2有效
发明人： I·黑姆;B·蒂克;R·伦茨;B·施密德哈尔特;A·R·拉宾德拉纳特;M·迪格利 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2004-10-18 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： C08G73/00 文献下载
摘要：本发明涉及包括通式(I)的重复单元的聚合物和它们在电子器件中的用途。根据本发明的聚合物具有有机溶剂中的优异溶解度和优异成膜性能。此外，如果根据本发明的聚合物用于聚合物发光二极管(PLED)，观察到高电荷载流子迁移率和发射颜色的高温稳定性。
新颖二酮基吡咯聚合物

[发明专利]O－配合金属螯合物和其在具有高储存容量的光学记录介质中的用途-CN200480020916.8无效
发明人： F·比内瓦尔德;J·－L·布德里;B·施密德哈尔特;A·沃勒;H·沃勒 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2004-07-12 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： C07C225/18 文献下载
摘要：本发明涉及新型光学记录材料，包含特定的和在某些情况下新的二酮烯胺或其金属螯合物和尤其在波长350－500nm下具有优异的记录和回放质量。本发明因此涉及一种包含基材，记录层和视需要反射层的光学记录介质，其中记录层包含具有结构式(I)的化合物，其中M是氢，铝或，优选，过渡金属，它可另外与一个或多个其它配体配合和/或，为了平衡掉过多电荷，如果合适，可具有与配位球内部或外部的一个或多个其它离子的静电相互作用，但结构式(Ib)和(Ic)中的M不是氢，Q是C－H，N或C－R⁶，C＝Q双键的立体化学可以是E或Z。关于R¹至R⁶的准确定义，应该参见说明书。还要求了新型化合物，尤其四配合螯合物，和其制备方法。
配合金属螯合物具有储存容量光学记录介质中的用途

[发明专利]大容量光存储介质-CN200480009400.3无效
发明人： J·－M·亚当;P·埃施利曼;J·－P·巴赫尔;J·－L·布德里;U·莱曼;C·莫尔顿;B·施密德哈尔特;H·施帕尼 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2004-02-25 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： G11B7/247 文献下载
摘要：本发明涉及了包括基材、反射层和记录层的光学记录介质，其中记录层包括式[L₁M^r-4L₂]o[A^m－]p[Zⁿ⁺]q(I)、[L₁M^r－3L₃]o[A^m－]p[Zⁿ⁺]q(II)或[L₃Mr^－2L₄]o[A^m－]p[Zⁿ⁺]q(III)的化合物，或可使用的上述化合物的内消旋形式或者互变异构形式，其中L₁和L₂各自独立，和L₃和L₄各自独立；其中Q₁为CR₁或N，Q₂为O、S、NR₁₀或Q₅＝Q₈，Q₃是CR₃或N，Q₄是O、S、NR₁₀或Q₇＝Q₈，Q₅是CR₅或N，Q₆是CR₆或N、Q₇是CR₇或N，Q₈是CR₈或N，并且Q₉是O、S、NR₁₀或Q₆＝Q₈；M^r、A^m－、Zⁿ⁺、R₂和R₉如权利要求中的定义。
容量存储介质

[发明专利]具有高存储密度的光记录材料-CN200480005575.7无效
发明人： U·莱曼;P·萨特;B·施密德哈尔特;J·－L·布德里 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2004-02-23 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种光记录介质，它包含基材、反射层和基于通式(I)化合物的记录层，其中G₁和G₂彼此独立，A₁和A₂彼此独立地是N(R₁₂)、O、S或Se，而A₃是C(C₁～C₅烷基)₂、C(C₄～C₅亚烷基)、N(R₁₂)、O、S、Se、N＝C(R₁₃)或未取代的或者R₁₄－取代的CH＝CH；M₁是族IX～XII的过渡金属，优选Co、Cu、Ni、Pd或Zn，尤其是Co、Cu或Ni；Q₁和Q₂彼此独立地是C(R₁₅)、N或P……有关其它取代基的细节，参见正文。记录和回放尤其以350～500nm的波长，例如，采用蓝色激光实施的。记录和回放品质卓越并允许高存储密度。还公开通式(I)的新化合物，但J.Org.Chem.67/16，5753－5772中公开的化合物除外。
具有存储密度记录材料

[发明专利]作为光记录介质的金属茂基酞菁-CN02808475.6无效
发明人： J·贝里希;R·布拉特纳;J－L·布德里;W·弗雷塔;C·莫尔顿;G·A·穆菲;B·施密德哈尔特;M·舒尔茨;H·斯帕尼;C·斯泰恩;A·沃勒布;H·沃勒布;R·策尔珀 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2002-04-09 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： C09B47/24 文献下载
摘要：可以通过在催化剂存在下使包含两种酞菁(I)和(II)的混合物A与金属茂衍生物反应获得的金属茂基酞菁的混合物，以及低聚的金属茂基酞菁，其制备方法，其尤其用于光记录和光记录介质的用途。
作为记录介质金属茂基酞菁

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