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[发明专利]半导体器件-CN201910081894.4有效
发明人： G·普雷科托;O·黑伯伦;C·奥斯特梅尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体器件。半导体器件包括基于III族半导体氮化物的沟道层、形成在沟道层上的基于III族半导体氮化物的势垒层、形成在沟道层中的二维电子气沟道、形成在势垒层上并且彼此横向间隔的第一电流电极和第二电流电极、以及形成在第一电流电极和第二电流电极之间的势垒层上的栅极结构。势垒层具有在第一电流电极和第二电流电极之间的对称形状的凹陷，对称形状的凹陷包括形成在势垒层的上表面的一部分中的第一凹陷部分以及形成在第一凹陷部分内的第二凹陷部分。栅极结构包括填充对称形状的凹陷的基于III族半导体氮化物的掺杂层，以及形成在与势垒层相对的掺杂层的上侧上的导电栅极电极。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201610890419.8有效
发明人： G·普雷科托;O·黑伯伦;C·奥斯特梅尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件。在一个实施例中，半导体器件包括被配置为双向开关的基于III族氮化物的高电子迁移率晶体管。基于III族氮化物的高电子迁移率晶体管包括第一输入/输出电极、第二输入/输出电极、布置在第一输入/输出电极与第二输入/输出电极之间的栅极结构以及场板结构。
半导体器件

[发明专利]III族氮化物双向器件-CN201610935458.5有效
发明人： G·普雷科托;O·黑伯伦;C·奥斯特梅尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本文公开了III族氮化物双向器件的各个实施方式。这种双向器件包括衬底、位于衬底之上的背部沟道层以及位于背部沟道层之上的器件沟道层和器件势垒层。器件沟道层和器件势垒层被配置为产生器件二维电子气(2DEG)。此外，III族氮化物双向器件包括形成在器件势垒层之上的相应第一耗尽部分和第二耗尽部分上的第一栅极和第二栅极。III族氮化物双向器件还包括位于背部沟道层和器件沟道层之间的背部势垒。III族氮化物双向器件的背部沟道层的极化基本等于器件沟道层的极化。
iii 氮化物双向器件

[发明专利]具有埋置场板的高电子迁移率晶体管-CN201510557891.5有效
发明人： G·普雷科托;O·黑伯伦;C·奥斯特梅尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及具有埋置场板的高电子迁移率晶体管。一种高电子迁移率场效应晶体管利用具有台阶状横向剖面的缓冲区所形成，该台阶状横向剖面具有该缓冲区的第一、第二和第三横截面，该第一横截面比第三横截面更厚并且包含埋置场板，该第二横截面夹置在该第一和第三横截面之间并且与该第一和第三横截面形成倾斜角度。沿该台阶状横向剖面形成势垒区。该势垒区通过该缓冲区的一部分而与该埋置场板分隔。该缓冲区由第一半导体材料形成，并且该势垒区由第二半导体材料形成。该第一和第二半导体材料具有不同带隙，而使得在该缓冲和势垒区之间的界面处出现二维电荷载流子气的导电沟道。
缓冲区势垒区场板埋置半导体材料台阶状高电子迁移率晶体管横向剖面高电子迁移率场效应晶体管电荷载流子导电沟道界面处缓冲带隙二维分隔夹置

[发明专利]具有集成到栅极结构中的RC网络的高电子迁移率晶体管-CN201610176655.3有效
发明人： G·库拉托拉;O·黑伯伦 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及具有集成到栅极结构中的RC网络的高电子迁移率晶体管，其中高电子迁移率晶体管包括缓冲区域以及与缓冲区域邻接并沿着缓冲区域延伸的阻挡区域，缓冲区域和阻挡区域由具有不同带隙的半导体材料形成，并且由二维电荷载流子气体形成导电沟道。栅极结构被配置为控制沟道的传导状态，并且包括导电栅电极、第一掺杂半导体区域、第二掺杂半导体区域和电阻器。第一掺杂半导体区域与栅电极的第一部分直接电接触。第二掺杂半导体区域与栅电极的第二部分直接电接触。第一和第二掺杂半导体区域相互形成pn结。栅电极的第一和第二部分通过电阻器相互电耦合。
具有集成栅极结构中的 rc 网络电子迁移率晶体管

[发明专利]电子部件-CN201510595864.7有效
发明人： O·黑伯伦;R·奥特雷姆巴;G·普雷科托;K·希斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及电子部件。在一个实施例中，半导体器件包括横向晶体管器件，该横向晶体管器件包括上金属化层。上金属化层包括n个细长焊盘区域。n个细长焊盘区域中的相邻细长焊盘区域耦合至横向晶体管器件的不同电流电极。n个细长焊盘区域定界出了横向晶体管的n‑1个有源区域，n≥3。
电子部件

[发明专利]半导体器件-CN201610045598.5有效
发明人： G·普雷科托;O·黑伯伦;C·奥斯特梅尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：在实施例中，一种半导体器件包括衬底，形成在衬底上的基于III族氮化物的半导体层，形成在基于III族氮化物的半导体层上并且彼此相间隔的第一电流电极和第二电流电极，以及形成在基于III族氮化物的半导体层上的在第一电流电极与第二电流电极之间的控制电极。该控制电极至少包括中间部分以及与中间部分邻接的第二部分，该中间部分被配置用于在第一电压被施加到控制电极上时关断在中间部分下方的沟道。该第二部分被配置为当第二电压被施加到控制电极上时关断在第二部分下方的沟道，第二电压小于第一电压并且第二电压小于第二部分的阈值电压。
半导体器件

[发明专利]制造半导体器件的方法、复合晶圆和半导体器件-CN201610126058.X有效
发明人： W·勒默特;R·伯格;A·布里纳;H·布里施;O·黑伯伦;G·鲁尔;R·拉普 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造半导体器件的方法、复合晶圆和半导体器件。具有第一晶格系统的第一晶体材料的半导体盘(410)被接合在基础衬底(490)的工艺表面(491)上，其中接合层(415)被形成在半导体盘(410)与基础衬底(490)之间。具有不同的第二晶格系统的第二晶体材料的第二半导体层(420)通过外延被形成在由半导体盘(410)形成的第一半导体层(410a)上。
制造半导体器件方法复合

[发明专利]电子部件及方法-CN201410389672.6有效
发明人： R·奥特雷姆巴;K·希斯;O·黑伯伦 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种电子部件包括高压耗尽型晶体管、邻近高压耗尽型晶体管布置且与所述高压耗尽型晶体管隔开的低压增强型晶体管，以及导电构件，该导电构件将高压耗尽型晶体管的第一电流电极电耦合到低压增强型晶体管的第一电流电极。导电构件具有片状形式。
电子部件方法

[发明专利]半导体器件-CN201610958568.3在审
发明人： G·库拉托拉;O·黑伯伦 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。在一个实施例中，一种半导体器件包括基于III族氮化物的增强型高电子迁移率晶体管，其包括漏极、栅极、阻挡层、沟道层以及布置在沟道层上并且与沟道层之间形成能够支持二维电子气(2DEG)的异质结的阻挡层。阻挡层的厚度和组成中的任一项被配置为与沟道区域外部的2DEG密度相比减小沟道区域中的2DEG密度，其中沟道区域布置在栅极下方并且延伸超越漏极侧栅极边缘达距离d。
半导体器件

[发明专利]开关电路、半导体器件和方法-CN201610891921.0在审
发明人： G·普雷科托;O·黑伯伦;C·奥斯特梅尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请涉及开关电路、半导体器件和方法。在一个实施例中，开关电路包括双向开关，双向开关包括第一输入/输出节点、第二输入/输出节点、第一二极管和第二二极管。第一二极管和第二二极管反串联地耦合在第一输入/输出节点与第二输入/输出节点之间。
开关电路半导体器件方法

[发明专利]开关电路、半导体开关装置及方法-CN201610101910.8在审
发明人： G·库拉托拉;O·黑伯伦;R·西明耶科 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：在一个实施例中，开关电路包括高电压耗尽型晶体管，其具有第一泄漏电流并且以级联布置可操作地连接到具有第二泄漏电流的低电压增强型晶体管。该第二泄漏电流大于该第一泄漏电流。
开关电路半导体开关装置方法

[发明专利]非平坦常关型化合物半导体器件-CN201510594763.8在审
发明人： G·普雷科托;C·奥斯特梅尔;O·黑伯伦 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种非平坦常关型化合物半导体器件包括：第一III族氮化物半导体，具有第一倾斜转换区域，其中第一III族氮化物半导体成角度地从第一层级转换到不同于第一层级的第二层级；以及第二III族氮化物半导体，位于第一III族氮化物半导体上并具有不同于第一III族氮化物半导体的带隙，使得沿着第一和第二III族氮化物半导体之间的界面产生二维电荷载气。常关型化合物半导体器件还包括位于第二III族氮化物半导体上的栅极以及位于第一倾斜转换区域之上并夹置在栅极和第二III族氮化物半导体之间的掺杂半导体。如果足够陡峭，则仅由于第一倾斜转换区域的斜率而沿着第一倾斜转换区域中断二维电荷载气，或者还由于掺杂半导体的存在。
平坦常关型化合物半导体器件

[发明专利]电子部件-CN201510609503.3在审
发明人： O·黑伯伦;M-A·库奇埃克;R·奥特雷姆巴;K·希斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：在一个实施例中，电子部件包括：高压耗尽型晶体管，包括与低压增强型晶体管的电流路径串联耦合的电流路径；二极管，包括阳极和阴极；以及裸片焊盘。高压耗尽型晶体管的后表面安装在裸片焊盘上并电耦合至裸片焊盘。低压增强型晶体管的第一电流电极安装在裸片焊盘上并电耦合至裸片焊盘。二极管的阳极耦合至高压耗尽型晶体管的控制电极，并且二极管的阴极安装在裸片焊盘上。
电子部件

[发明专利]单片式半导体开关及制作方法-CN201010104538.9有效
发明人： O·黑伯伦;W·里杰;L·戈尔根斯;M·波尔兹尔;J·肖斯沃尔;J·克伦里 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2010-01-27 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及单片集成半导体开关及其制作方法。一方面是关于单片集成半导体开关及其制作方法。一个实施例提供具有第一和第二FET的一个半导体管芯。该第一FET的源极/漏极之一与该第二FET的源极/漏极之一分别电耦合到该一个半导体管芯的第一侧处的至少一个接触区域。该第一FET的源极/漏极中的另一个、该第一FET的栅极、该第二FET的源极/漏极中的另一个以及该第二FET的栅极分别电耦合到该一个半导体管芯的与第一侧相对的第二侧处的接触区域。该第一FET的源极/漏极中的另一个的接触区域、该第一FET的栅极的接触区域、该第二FET的源极/漏极中的另一个的接触区域以及该第二FET的栅极的接触区域分别彼此电隔离。
单片半导体开关制作方法

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