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[发明专利]使用沸石吸附剂存储GeH4的存储及运送容器-CN202180068668.8在审
发明人： O·比尔 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： F17C13/04 文献下载
摘要：本发明描述用于从其中锗烷(GeH4)与包含沸石咪唑骨架的固体吸附剂介质保持吸附关系的容器选择性地施配所述锗烷作为试剂气体的存储及施配系统以及相关方法。
使用吸附剂存储 geh4 运送容器

[发明专利]用于产生铝离子的方法及系统-CN202180066316.9在审
发明人： B·L·尚贝尔;J·D·斯威尼;J·R·德普雷斯;唐瀛;O·比尔 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2021-10-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明描述离子植入装置、系统及方法，且特定来说，本发明描述一种可用于产生铝离子束的离子源。
用于产生离子方法系统

[实用新型]用以容纳试剂材料的存储容器-CN202221026509.X有效
发明人： O·比尔;D·爱德华兹;J·韦尔比斯凯 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： F17C1/00 文献下载
摘要：本申请案涉及一种用以容纳试剂材料的存储容器。所述存储容器包含：容器，其具有底部、顶部、所述顶部处的出口、从所述底部延伸到所述顶部的侧壁、所述出口处的阀，以及由所述底部、所述顶部及所述侧壁界定的内部，所述内部包括容积；及延伸管，其具有与所述阀啮合的第一端，及第二端，所述第二端从所述第一端朝向所述内部容积的中心定位，使得无论所述容器的定向如何，所述第二端都在所述内部容积的容积的至少25％以上。
用以容纳试剂材料存储容器

[发明专利]用于试剂的存储及输送的容器及方法-CN202210469645.4在审
发明人： O·比尔;D·爱德华兹;J·韦尔比斯凯 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： F17C1/00 文献下载
摘要：本申请案涉及用于试剂的存储及输送的容器及方法，且特定来说，本申请案涉及一种用以容纳试剂材料的存储容器。所述存储容器包含：容器，其具有底部、顶部、所述顶部处的出口、从所述底部延伸到所述顶部的侧壁、所述出口处的阀，以及由所述底部、所述顶部及所述侧壁界定的内部，所述内部包括容积；及延伸管，其具有与所述阀啮合的第一端，及第二端，所述第二端从所述第一端朝向所述内部容积的中心定位，使得无论所述容器的定向如何，所述第二端都在所述内部容积的容积的至少25％以上。
用于试剂存储输送容器方法

[发明专利]使用镓的离子植入工艺及设备-CN202210352677.6在审
发明人： J·D·斯威尼;J·R·德普雷斯;唐瀛;S·N·叶达弗;E·E·约内斯;O·比尔 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本申请实施例涉及使用镓的离子植入工艺及设备。本发明描述一种用于离子植入的离子源设备，其包含：离子源腔；及可消耗结构，其在所述离子源腔中或与所述离子源腔相关联，其中所述可消耗结构包含固体掺杂剂源材料，所述固体掺杂剂源材料易于与反应气体反应以将掺杂剂以气态形式释放到所述离子源腔，其中所述固体掺杂剂源材料包括氮化镓、氧化镓或其组合，其中的任一者可关于镓同位素富含同位素。
使用离子植入工艺设备

[发明专利]用于离子植入的等离子体浸渍方法-CN202080071619.5在审
发明人：唐瀛;B·C·亨德里克斯;O·比尔;S·N·叶达弗 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及使用多种前驱物气体的等离子体浸渍离子植入方法，特別是出于相对于在植入过程中也植入工件内的其它原子物种，控制植入所述工件内的特定原子掺杂剂物种的量的目的。
用于离子植入等离子体浸渍方法

[发明专利]使用镓的离子植入工艺及设备-CN201980057575.8有效
发明人： J·D·斯威尼;J·R·德普雷斯;唐瀛;S·N·叶达弗;E·E·约内斯;O·比尔 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01J27/20 文献下载
摘要：本发明描述一种用于离子植入的离子源设备，其包含：离子源腔；及可消耗结构，其在所述离子源腔中或与所述离子源腔相关联，其中所述可消耗结构包含固体掺杂剂源材料，所述固体掺杂剂源材料易于与反应气体反应以将掺杂剂以气态形式释放到所述离子源腔，其中所述固体掺杂剂源材料包括氮化镓、氧化镓或其组合，其中的任一者可关于镓同位素富含同位素。
使用离子植入工艺设备

[发明专利]具有电弧室材料混合的离子植入系统-CN202080057911.1在审
发明人：唐瀛;S·N·叶达弗;J·R·德斯普雷斯;J·R·斯威尼;O·比尔 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明描述一种用于离子植入的系统及方法，其包含：气体或包含至少一种可离子化气体的气体混合物，其用来产生离子物种；及电弧室，其包含两种或更多种不同电弧室材料。使用所述系统，在具有衬垫组合的所述电弧室中产生离子物种，且一或多个所要离子物种显示所述经产生的离子物种当中的更高束电流，这通过使用所述不同材料来促进。继而可实现将所述所要离子物种改进地植入到衬底中。此外，所述系统可在系统操作期间最小化金属沉积物的形成，由此延长源寿命且促成改进的系统性能。
具有电弧材料混合离子植入系统

[发明专利]利用增强源技术进行磷或砷离子植入-CN201910208219.3有效
发明人： O·比尔;S·N·叶德弗;J·D·斯威尼;B·L·钱伯斯;唐瀛 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本申请涉及利用增强源技术进行磷或砷离子植入。本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。
利用增强技术进行离子植入

[发明专利]吸附剂与流体供应包装及包括其的设备-CN201680073124.X有效
发明人： L·H·杜波依斯;J·D·卡拉瑟斯;M·A·彼特鲁斯卡;E·A·斯特姆;S·M·威尔逊;S·M·卢尔寇特;B·C·亨德里克斯;J·D·斯威尼;M·J·沃德珍斯奇;O·比尔;唐瀛;J·R·德斯普雷斯;M·T·马洛;C·斯坎内尔;D·埃尔策;K·默西 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明描述不同类型及形式的吸附剂，如有用地用于气体供应包装中，所述气体供应包装包含盛放此吸附剂以将吸附气体存储于其上的气体存储及施配容器，及固定于所述容器以在其施配条件下从所述气体供应包装排放所述吸附气体的气体施配组合件。同样描述对应气体供应包装，及处理所述吸附剂，及制造所述气体供应包装的各种方法。
吸附剂流体供应包装包括设备

[发明专利]于氮离子植入中改善离子源效能的氟化组合物-CN201780028783.6有效
发明人： B·L·尚贝尔;B·T·天;J·D·斯威尼;唐瀛;O·比尔;S·E·毕晓普;S·N·叶达弗 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明描述用于实施氮离子植入的组合物、方法和设备，其在所述氮离子植入后进行易于发生故障的另一离子植入操作，例如植入砷和/或磷离子物种时避免发生严重故障。所述氮离子植入操作有利地利用引入离子植入系统的离子源室或在所述离子源室中形成的氮离子植入组合物实施，其中所述氮离子植入组合物包括氮(N2)掺杂剂气体和故障抑制气体，所述故障抑制气体包括选自由以下组成的群组中的一或多种：NF3、N2F4、F2、SiF4、WF6、PF3、PF5、AsF3、AsF5、CF4和CxFy(x≥1，y≥1)通式的其它氟化烃、SF6、HF、COF2、OF2、BF3、B2F4、GeF4、XeF2、O2、N2O、NO、NO2、N2O4和O3，以及任选地含氢气体，例如包括选自由以下组成的群组的一或多种的含氢气体：H2、NH3、N2H4、B2H6、AsH3、PH3、SiH4、Si2H6、H2S、H2Se、CH4和CxHy(x≥1，y≥1)通式的其它烃和GeH4。
离子植入改善离子源效能氟化组合

[发明专利]用于离子植入系统的四氟化锗与氢气的混合物-CN201980031094.X在审
发明人： S·N·叶达弗;O·比尔;唐瀛;J·R·德普雷斯;J·D·斯威尼 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本公开涉及经配置以将四氟化锗(GeF4)与氢(H2)气体的混合物递送到离子植入装置的方法和总成，因此H2以所述气体混合物的25％到67％(体积)范围内的量存在，或GeF4和H2以3:1到33:67范围内的体积比(GeF4:H2)存在。所述H2气体在混合物中的使用量或相对于所述GeF4气体的使用量防止阴极材料挥发，由此改良所述离子植入装置的性能和使用寿命。根据本公开的气体混合物也在离子植入程序期间产生显著的Ge+电流增益和W+峰减小。
用于离子植入系统氟化氢气混合物

[发明专利]由固体材料制备化合物或其中间体以及使用该化合物和中间体的设备和方法-CN201610643193.1有效
发明人： O·比尔;E·E·琼斯;C·派迪;J·D·斯威尼 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2011-08-28 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： B01J8/02 文献下载
摘要：描述了一种设备，包括反应区，用于反应物气体与反应性固体在有效形成中间产物的条件下接触，和开口，用于使气体试剂未反应部分和中间产物离开反应区。本设备可有利地用于形成作为中间产物与反应物气体的反应产物的最终产物。反应物气体与反应性固体的反应可在第一反应区进行，而反应物气体与中间产物的反应在第二反应区进行。在具体实施中，反应物气体与中间产物的反应是可逆的，且反应物气体和中间产物以受控速率或以受控方式流入第二反应区，从而抑制形成反应性固体的逆反应。
固体材料制备化合物中间体以及使用设备方法

[发明专利]离子植入工艺及设备-CN201910160534.3在审
发明人： O·比尔;J·D·斯威尼 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明涉及离子植入工艺及设备。本发明涉及一种离子源设备，其以使得能够采用低蒸气压掺杂剂源材料的方式生成掺杂剂物种。所述离子源设备(10)包括：离子源腔室(12)；及在所述离子源腔室(12)中或与所述离子源腔室(12)相关联的可消耗结构，所述可消耗结构包括固体掺杂剂源材料，其易于与反应性气体发生反应以将气态形式的掺杂剂释放到所述离子源腔室。举例来说，所述可消耗结构是掺杂剂气体馈送管线(14)，其包括具有由固体掺杂剂源材料形成的内部层的管道或导管。
离子源腔室掺杂剂源掺杂剂离子植入工艺离子源设备消耗反应性气体材料形成气态形式气体馈送内部层蒸气压导管物种关联释放

[发明专利]利用增强源技术进行磷或砷离子植入-CN201580053465.6有效
发明人： O·比尔;S·N·叶德弗;J·D·斯威尼;B·L·钱伯斯;唐瀛 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。
利用增强技术进行离子植入

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