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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于制造半导体器件和功率半导体器件的方法-CN201711225347.6有效
发明人： R.哈泽;M.H.韦莱迈尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了用于制造半导体器件和功率半导体器件的方法。一种用于制造半导体器件的方法包括：提供具有第一侧的半导体衬底；在半导体衬底中形成沟槽，沟槽具有底部和从底部向半导体衬底的第一侧延伸的侧壁；在沟槽的侧壁和底部上形成至少包括第一绝缘层和第二绝缘层的绝缘结构；在沟槽的下部部分中形成下部导电结构；移除沟槽的上部部分中的第二绝缘层而至少部分地留下沟槽的下部部分中的第二绝缘层；以及在沟槽的上部部分中形成上部导电结构，其中下部导电结构和上部导电结构中的至少一个包括金属、金属合金、金属硅化物或其组合。
用于制造半导体器件功率方法

[发明专利]半导体晶体管器件和制造半导体晶体管器件的方法-CN201911325680.3在审
发明人： R.哈斯;J.班达里;H.霍费尔;马凌;A.米尔钱达尼;H.奈克;M.珀尔茨尔;M.H.韦莱迈尔;B.武特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了半导体晶体管器件和制造半导体晶体管器件的方法。本发明涉及一种具有在竖向栅极沟槽(5)中的栅极电极(4)的晶体管器件(1)，其中栅极电极(4)包括硅栅极区(8)和金属嵌体区(9)，硅栅极区(8)形成栅极电极(4)的侧壁(7)的至少一部分(7.1)，并且金属嵌体区(9)从栅极电极(4)的下部端部(10)向上延伸。
半导体晶体管器件制造方法

[发明专利]具有栅沟槽下方的电荷补偿区的半导体器件-CN201510835319.0有效
发明人： O.布兰克;F.希尔勒;M.金;M.H.韦莱迈尔;叶俐君 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及具有栅沟槽下方的电荷补偿区的半导体器件。半导体衬底具有主表面和与主表面垂直间隔开的后表面、第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区。第三掺杂区置于第一和第二掺杂区之间在主表面下方。具有场板的场板沟槽从主表面垂直延伸到布置在第一掺杂区中的底部。具有栅电极的栅沟槽从主表面垂直延伸到第一掺杂区。补偿区带从栅沟槽底部垂直延伸更深入第一掺杂区中。补偿区带与栅沟槽侧向对齐并且沿着平行于主表面的器件的横截面平面邻近场板。
具有沟槽下方电荷补偿半导体器件

[发明专利]厚III‑N外延的方法和衬底-CN201410112616.8有效
发明人： M.H.韦莱迈尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了制造III‑N衬底的方法。方法包括把Si衬底接合到支撑衬底，Si衬底具有背向支撑衬底的（111）生长表面；在（111）生长表面把Si衬底减薄到100μm或更小的厚度；以及在Si衬底被减薄之后在Si衬底的（111）生长表面上形成III‑N材料。支撑衬底具有比Si衬底更接近地匹配III‑N材料的热膨胀系数的热膨胀系数。公开了制造III‑N衬底的其它方法以及对应的晶片结构。
iii 外延方法衬底

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