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[发明专利]高折射率材料上的类布拉格光栅-CN201880094745.5有效
发明人： M·E·科尔伯恩;N·R·莫汗蒂 -专利权人：元平台技术有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G02B5/126 文献下载
摘要：公开了用于制造倾斜结构的技术。在一个实施例中，一种用于在材料层上制造倾斜结构的方法包括：在材料层上形成掩模层；以及使用离子束和掩模层，以大于零的倾斜角，将离子注入到材料层的多个区域中。相对于材料层的表面法线测量倾斜角。将离子注入到材料层的多个区域中改变了材料层的多个区域的折射率或蚀刻速率。在一些实施例中，方法还包括：使用蚀刻剂来湿法蚀刻材料层，以去除材料层的多个区域中的材料。在一些实施例中，方法包括：通过在进料气体中使用反应性蚀刻剂的干法蚀刻过程，与注入同时或在注入后蚀刻改性的材料。
折射率材料布拉格光栅

[发明专利]具有透明波导结构的透明照明层-CN202080053736.9在审
发明人：魏国华;张绮;A·J·欧德基克;M·E·科尔伯恩 -专利权人：脸谱科技有限责任公司
申请日： 2020-09-06 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：光学元件包括透明层、外耦合元件和波导结构。外耦合元件跨透明层定位。波导结构向外耦合元件提供不可见光，并且外耦合元件将不可见光外耦合作为不可见照明光来照射眼睛区域。
具有透明波导结构照明

[发明专利]用于体布拉格光栅的芳族取代甲烷-核单体及其聚合物-CN202080078862.X在审
发明人： L·J·普维斯二世;A·莱恩;M·E·科尔伯恩 -专利权人：脸谱科技有限责任公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C07C271/16 文献下载
摘要：本公开提供了用于体布拉格光栅中的包含芳族取代甲烷‑核衍生单体和聚合物的记录材料，所述体布拉格光栅包括但不限于用于全息术应用的体布拉格光栅。公开了用于布拉格光栅应用中的单体和聚合物的若干结构，从而产生具有更高折射率、低双折射和高透明度的材料。所公开的衍生单体及其聚合物可用于任何体布拉格光栅材料中，包括两级聚合物材料，其中在第一步中固化基质，然后通过第二单体固化步骤写入体布拉格光栅。
用于布拉格光栅取代甲烷单体及其聚合物

[发明专利]用于体布拉格光栅的芳族取代乙烷-核单体及其聚合物-CN202080079401.4在审
发明人： L·J·普维斯二世;A·莱恩;M·E·科尔伯恩 -专利权人：脸谱科技有限责任公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C07C235/34 文献下载
摘要：本公开提供了用于体布拉格光栅中的包含芳族取代乙烷‑核衍生单体和聚合物的记录材料，所述体布拉格光栅包括但不限于用于全息术应用的体布拉格光栅。公开了用于布拉格光栅应用中的单体和聚合物的若干结构，从而产生具有更高折射率、低双折射和高透明度的材料。所公开的衍生单体及其聚合物可用于任何体布拉格光栅材料中，包括两级聚合物材料，其中在第一步中固化基质，然后通过第二单体固化步骤写入体布拉格光栅。
用于布拉格光栅取代乙烷单体及其聚合物

[发明专利]用于体布拉格光栅的蒽醌衍生单体及聚合物-CN202080081554.2在审
发明人： L·J·普维斯二世;A·莱恩;M·E·科尔伯恩 -专利权人：脸谱科技有限责任公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C07C271/48 文献下载
摘要：本公开提供了用于体布拉格光栅中的包含蒽醌衍生单体和聚合物的记录材料，所述体布拉格光栅包括但不限于用于全息术应用的体布拉格光栅。公开了用于布拉格光栅应用中的蒽醌衍生单体和聚合物的若干结构，从而产生具有更高折射率、低双折射和高透明度的材料。所公开的蒽醌衍生单体及其聚合物可用于任何体布拉格光栅材料中，包括两级聚合物材料，其中在第一步中固化基质，然后通过第二单体固化步骤写入体布拉格光栅。
用于布拉格光栅衍生单体聚合物

[发明专利]用于体布拉格光栅的硫代磷酸酯和硫化膦衍生单体及聚合物-CN202080081563.1在审
发明人： A·莱恩;M·E·科尔伯恩;L·J·普维斯二世 -专利权人：脸谱科技有限责任公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C07F9/18 文献下载
摘要：本公开提供了用于体布拉格光栅中的包含硫代磷酸酯衍生单体和聚合物的记录材料，所述体布拉格光栅包括但不限于用于全息术应用的体布拉格光栅。公开了用于布拉格光栅应用中的硫代磷酸酯衍生单体和聚合物的若干结构，从而产生具有更高折射率、低双折射和高透明度的材料。所公开的硫代磷酸酯衍生单体及其聚合物可用于任何体布拉格光栅材料中，包括两级聚合物材料，其中在第一步中固化基质，然后通过第二单体固化步骤写入体布拉格光栅。
用于布拉格光栅硫代磷酸硫化衍生单体聚合物

[发明专利]用于体布拉格光栅的芳族取代烷烃-核单体及其聚合物-CN202080081595.1在审
发明人： L·J·普维斯二世;A·莱恩;M·E·科尔伯恩 -专利权人：脸谱科技有限责任公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C07C235/34 文献下载
摘要：本公开提供了用于体布拉格光栅中的包含芳族取代烷烃‑核衍生单体和聚合物的记录材料，所述体布拉格光栅包括但不限于用于全息术应用的体布拉格光栅。公开了若干结构，包括式I。当用于布拉格光栅应用中时，所公开的单体和聚合物产生具有更高折射率、低双折射和高透明度的材料。所公开的衍生单体和聚合物可用于任何体布拉格光栅材料中，包括两级聚合物材料，其中在第一步中固化基质，然后通过第二单体固化步骤写入体布拉格光栅。
用于布拉格光栅取代烷烃单体及其聚合物

[发明专利]两次曝光一条线路间距分离方法-CN201010269392.3有效
发明人： S·D·伯恩斯;M·E·科尔伯恩;S·霍姆斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-08-31 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及两次曝光一条线路间距分离方法。一种集成电路被形成为具有这样的结构，该结构紧密邻近且彼此间的间隔比该结构的横向尺寸更小，例如用于制造到以通过暗场分离间距技术实现的最小光刻可分辨尺寸形成的电子元件的接触。通过使用酸敏硬掩模材料和经由抗蚀剂中的构图的孔径而接触硬掩模的区域的酸性上覆层，完全在光刻线路内执行对硬掩模的蚀刻，从而支持用于分离间距方法的可接受的覆盖精度和工艺效率以及吞吐量，该分离间距方法需要为多个依次施加并构图的抗蚀剂层中的每一个进行对硬掩模的蚀刻。硬掩模的接触区域被活化，以通过烘烤酸性上覆层而进行显影。
两次曝光一条线路间距分离方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810086076.5有效
发明人： L·A·克莱文格;M·E·科尔伯恩;D·C·埃德尔斯坦;S·波诺斯;G·布雷塔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。公开了一种在半导体器件内形成腔的方法。所述方法包括在半导体器件的ILD层内的腔的内表面上淀积抗成核层。所述抗成核层防止了在所述腔内形成随后淀积的介质层。通过防止这些层的形成，减小了电容，并由此改善半导体的性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用作金属间电介质的低k和超低k有机硅酸盐膜的疏水性的恢复-CN200480044297.6有效
发明人： N·查克拉潘尼;M·E·科尔伯恩;C·D·迪米特拉克普洛斯;S·V·尼塔;D·法伊弗;S·普鲁肖特哈曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-10-27 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：通常用于降低集成电路中RC延迟的是多孔有机硅酸盐的电介质膜，该有机硅酸盐含有二氧化硅状主链与直接连接到网络中S∶L原子的烷基或芳基(以对材料增加疏水性和产生自由体积)。Si－R键很少幸免于对等离子体或通常用于加工的化学处理的曝露；在具有开孔结构的材料中特别是这样的。当Si－R键断裂时，材料由于亲水性硅烷醇的形成而损失疏水性和损害低介电常数。使用新颖类别的硅烷化剂恢复材料的疏水性的方法，该硅烷化剂具有通式(R₂N)_XSiR’_Y，其中X和Y分别是1－2和3－2的整数，和其中R和R’选自氢、烷基、芳基、烯丙基、苯基和乙烯基部分。多孔有机硅酸盐的机械强度也由于甲硅烷基化处理而改进。
用作金属电介质有机硅酸盐疏水恢复

[发明专利]制备双镶嵌结构的方法-CN200610144473.4有效
发明人： M·E·科尔伯恩;D·L·戈德法布 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于制备双镶嵌结构的方法，所述方法包括：提供包括第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层的多层光致抗蚀剂叠层，其中每个光致抗蚀剂层具有独特的清晰剂量值；将所述光致抗蚀剂叠层曝露在一个或多个预定光线图形下；以及显像所述光致抗蚀剂层以在所述光致抗蚀剂层中形成多层结构。
制备镶嵌结构方法

[发明专利]具有对准标记的刻印平板印刷模板-CN200480031429.1无效
发明人： T·C·贝利;S·C·约翰逊;M·E·科尔伯恩;崔炳镇;B·J·史密斯;J·G·埃克尔特;C·G·威尔逊;S·V·斯里尼瓦桑 -专利权人：得克萨斯州大学系统董事会
申请日： 2004-09-16 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明的一个实施例是一种用于刻印平板印刷术的刻印模板，它包括埋设在刻印模板的主体材料中的诸对准标记。
具有对准标记刻印平板印刷模板

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