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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于电子束吞吐量的数据压缩-CN201480078801.8有效
发明人： D·W·纳尔逊;Y·A·波罗多维斯基;M·C·菲利普斯;R·M·比格伍德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：描述了适合于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置和涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，一种用于电子束工具简化的数据压缩或数据缩减的方法涉及提供数据量以写入列区域并且针对晶圆上的区域边缘位置误差调整所述列区域，其中，所述数据量局限于用于对大约10％或更少的所述列区域进行图案化的数据。所述方法还涉及使用所述数据量在晶圆上执行电子束写入。
用于电子束吞吐量数据压缩

[发明专利]即时电子束对准-CN201480078800.3有效
发明人： Y·A·波罗多维斯基;D·W·纳尔逊;M·C·菲利普斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：说明了适合于互补性电子束光刻(CEBL)的光刻装置以及涉及互补性电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，一种位于电子束工具的平台上的晶圆的实时对准的方法，该方法包含：当电子束工具的电子束列在平台的扫描期间进行写入时，从晶圆的下方图案化特征收集反向散射电子。该收集由放置在电子束列底部处的电子检测器执行。该方法还包含：基于该收集来执行平台相对于电子束列的对准的线性校正。
即时电子束对准

[发明专利]借助于电子束的层上单向金属-CN201480078816.4有效
发明人： D·W·纳尔逊;Y·A·波罗多维斯基;M·C·菲利普斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：说明了适合于互补性电子束光刻(CEBL)的光刻装置以及涉及互补性电子束光刻的方法。在示例中，一种用于集成电路的金属化层的布局，包括具有多条单向线的第一区域，该第一区域的多条单向线具有第一宽度和第一间距并且与第一方向平行。布局还包括具有多条单向线的第二区域，该第二区域的多条单向线具有第二宽度和第二间距并且与第一方向平行，第二宽度和第二间距分别与第一宽度和第一间距不同。布局还包括具有多条单向线的第三区域，该第三区域的多条单向线具有第三宽度和第三间距并且与第一方向平行，第三宽度与第一宽度和第二宽度不同，并且第三间距与第一和间距第二间距不同。
借助于电子束单向金属

[发明专利]电子束非通用切具-CN201480078803.7有效
发明人： Y·A·波罗多维斯基;D·W·纳尔逊;M·C·菲利普斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：描述了适合于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置和涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，描述了用于电子束工具的阻断器孔阵列(BAA)。BAA是非通用切具。
电子束通用

[发明专利]电子束通用切割件-CN201480078821.5有效
发明人： Y·A·波罗多维斯基;D·W·纳尔逊;M·C·菲利普斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：说明了适合于互补电子束光刻(CEBL)的光刻装置以及涉及互补电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，电子束工具的阻断器孔阵列(BAA)包括沿着第一方向的第一列开口。BAA还包括沿着第一方向并与第一列开口交错的第二列开口。第一列开口和第二列开口一起形成在第一方向上具有间距的阵列。BAA的扫描方向沿着与第一方向正交的第二方向。阵列的间距对应于与第二方向平行取向的线的目标图案的最小间距布局的一半。
电子束通用切割

[发明专利]电子束三束孔径阵列-CN201480078812.6有效
发明人： Y·A·波罗多维斯基;D·W·纳尔逊;M·C·菲利普斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：描述了适用于互补式电子束光刻(CEBL)的光刻设备和涉及互补式电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，描述了用于电子束工具的消隐器孔径阵列(BAA)。所述BAA包括不同间距的三个有区别的孔径阵列。
电子束孔径阵列

[发明专利]电子束交错的束孔阵列-CN201480078802.2有效
发明人： Y·A·波罗多维斯基;D·W·纳尔逊;M·C·菲利普斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：描述了适合于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置和涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，用于电子束工具的阻断器孔阵列(BAA)包括沿着第一方向并且具有节距的第一列的开口。BAA还包括沿着第一方向并且与第一列的开口交错开的第二列的开口。第二列的开口具有所述节距。BAA的扫面方向沿着与第一方向正交的第二方向。
电子束交错阵列

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