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[发明专利]用于控制等离子体偏斜的远程等离子体源-CN201610141134.4有效
发明人： A·A·哈贾;M·阿优伯;R·博卡;J·D·平森二世;J·C·罗查-阿尔瓦瑞斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种等离子体源，所述等离子体源包括沿第一轴从第一端延伸到第二端的核芯元件。等离子体源进一步包括围绕核芯元件的相应的一个或多个第一部分而设置的一个或多个线圈。等离子体源进一步包括具有一个或多个内壁的等离子体块，所述一个或多个内壁至少部分地包围环形等离子体生成容积，所述环形等离子体生成容积围绕核芯元件的第二部分而设置。环形等离子体生成容积包括第一区域，所述第一区域关于多个垂直轴对称，所述多个垂直轴垂直于定位在第一轴上的第一点，所述第一区域具有在平行于所述第一轴的方向上的宽度以及在垂直于所述第一轴的方向上的深度。第一区域具有至少比第一区域的深度大三倍的宽度。
用于控制等离子体偏斜远程

[实用新型]耦接至工艺腔室的等离子体源-CN201620190681.7有效
发明人： A·A·哈贾;M·阿优伯;R·博卡;J·D·平森二世;J·C·罗查-阿尔瓦瑞斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种耦接至工艺腔室的等离子体源，所述等离子体源包括沿第一轴从第一端延伸到第二端的核芯元件。耦接至工艺腔室的等离子体源进一步包括围绕核芯元件的相应的一个或多个第一部分而设置的一个或多个线圈。耦接至工艺腔室的等离子体源进一步包括具有一个或多个内壁的等离子体块，所述一个或多个内壁至少部分地包围环形等离子体生成容积，所述环形等离子体生成容积围绕核芯元件的第二部分而设置。环形等离子体生成容积包括第一区域，所述第一区域关于多个垂直轴对称，所述多个垂直轴垂直于定位在第一轴上的第一点，所述第一区域具有在平行于所述第一轴的方向上的宽度以及在垂直于所述第一轴的方向上的深度。第一区域具有至少比第一区域的深度大三倍的宽度。
耦接至工艺等离子体

[发明专利]用于检测基于电压的等离子体偏移的系统与方法-CN201180043322.9无效
发明人： J·陈;M·阿优伯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种在等离子体处理期间藉由直接监视等离子体处理腔室的射频（RF）功率电极上的直流(DC)偏置电压以检测诸如电弧、微电弧或其它等离子体不稳定性的等离子体偏移的系统及方法。受监视的直流偏置电压随后通过连续多个模拟滤波器与放大器以提供等离子体偏移信号。该等离子体偏移信号与预设值比较，并且在该等离子体偏移信号超过该预设值的点处产生警报信号。该警报信号随后反馈至系统控制器中，使得操作者可收到警告和/或可使该处理系统停机。在某些实施例中，可藉由单一检测控制单元监视多个处理区域。
用于检测基于电压等离子体偏移系统方法

[发明专利]局限工艺空间的PECVD腔室-CN201180023388.1无效
发明人： R·萨卡拉克利施纳;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;D·R·杜鲍斯;M·A·福多尔;周建华;A·班塞尔;M·阿优伯;S·沙克;P·赖利;D·帕德希;T·诺瓦克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-05-06 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供用于等离子体处理衬底的设备。所述设备包括处理腔室、设于处理腔室内的衬底支撑件、设于处理腔室内且在衬底支撑件下方的屏蔽构件、以及耦合至处理腔室的盖组件。所述盖组件包括耦合至功率源的导电气体分配器、以及电极，所述电极通过电气绝缘体与导电气体分配器和腔室主体隔开。电极还耦合至电功率源。衬底支撑件制作成具有容许偏离平行甚微的刚性。屏蔽构件热屏蔽腔室主体下部中的衬底传送开口。泵送气室位于衬底支撑件处理位置下方，且从所述衬底支撑件处理位置隔开。
局限工艺空间 pecvd

[发明专利]用以修改晶圆边缘与斜面沉积的遮蔽环-CN201080055187.5无效
发明人： D·杜鲍斯;M·阿优伯;R·金;A·班塞尔;M·福多尔;B·恩古耶;郑兆辉;于航;C·陈;G·巴拉苏布拉马尼;D·帕德希;J·罗查 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的实施例考量一种遮蔽环，该遮蔽环在晶圆的边缘上提供增加的或减少的且更均匀的沉积。通过从该遮蔽环的顶表面和/或底表面移除材料，可实现增加的边缘沉积及斜面覆盖率。在一个实施例中，通过在该底表面上提供凹陷狭槽，来减少该底表面上的材料。通过增加该遮蔽环的材料量，可减少边缘沉积及斜面覆盖率。另一种调整晶圆的边缘处的沉积的方法包括增加或减小该遮蔽环的内直径。形成该遮蔽环的材料亦可变化，以改变晶圆的边缘处的沉积量。
用以修改边缘斜面沉积遮蔽

[发明专利]等离子腔室中用于基板夹持的设备与方法-CN200780037481.1无效
发明人： G·巴拉苏布拉马尼恩;A·班塞尔;E·Y·朱科;M·阿优伯;H-J·金;K·杰纳基拉曼;S·拉蒂;D·帕德希;M·J·西蒙斯;V·斯瓦拉马克瑞希楠;B·H·金;A·阿巴亚缇;D·R·威蒂;H·姆塞德;A·巴利施尼科夫;C·陈;S·刘 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-10-04 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G06F11/30 文献下载
摘要：本发明大致上提供用以监测与维持一等离子反应器中基板的平坦度的方法与设备。本发明的特定实施例提供一种用以处理一基板的方法，其至少包含：将基板定位在一静电夹具上；施加一RF功率于静电夹具中的一电极以及一反向电极之间，其中反向电极设置成平行于静电夹具；施加一DC偏压至静电夹具中的电极，以夹持静电夹具上的基板；以及测量静电夹具的一虚拟阻抗。
等离子腔室中用于夹持设备方法

[发明专利]加强用于介电膜层的远程等离子体源清洁-CN200680053046.3无效
发明人： T·诺瓦克;K·S·伊姆;S－Y·B·唐;K·D·李;V·N·T·恩古耶;D·辛格尔顿;M·J·西蒙斯;K·杰纳基拉曼;G·巴拉苏布拉马尼恩;M·阿优伯;W·H·叶;A·T·迪莫斯;H·M'沙迪 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2006-11-21 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： B08B6/00 文献下载
摘要：本发明揭示用以清洁用来处理含碳膜层(例如非晶形碳膜层，含硅与碳的阻障膜层，以及含硅、氧与碳的低介电常数膜层)的半导体处理腔室的方法。此方法包含在腔室中不存在有RF功率下使用一远程等离子体源以产生活性物质，其中该活性物质系清洁腔室的内表面。活性物质是从一含氧气体(例如O₂)与/或一含卤素气体(例如NF₃)所产生。一基于氧气的灰化过程也可以在腔室暴露于来自远程等离子体源的活性物质之前被用以从腔室内表面除去碳沉积物。
加强用于介电膜层远程等离子体清洁