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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有改进的等离子体散布的晶闸管-CN201680044376.X有效
  • M.贝里尼;J.沃贝克;P.科姆明 - ABB电网瑞士股份公司
  • 2016-05-25 - 2021-01-26 - H01L29/08
  • 提供一种具有发射极短路部的晶闸管，其中，在平行于第一主侧(202)的平面上的正交投影中，由第一电极层(214)与第一发射极层(206)和发射极短路部(228)的电接触部覆盖的接触区域包括呈巷道(250A‑250D)的形状的区域，发射极短路部(228)在巷道中的区域覆盖度小于发射极短路部(228)在接触区域的其余区域中的区域覆盖度，其中，发射极短路部(228)在特定区域中的区域覆盖度是发射极短路部(228)在该特定区域中覆盖的面积与特定区域的面积的比。本发明的晶闸管展现快速接通过程，甚至是在没有复杂的放大门极结构的情况下。
  • 具有改进等离子体散布晶闸管
  • [发明专利]功率半导体装置和用于制造其的方法-CN201380012983.4有效
  • M.拉希莫;C.科瓦斯塞;J.沃贝克;Y.奧塔尼 - ABB技术有限公司
  • 2013-03-01 - 2017-03-08 - H01L29/45
  • ●‑提供第一传导类型的晶片（1），该晶片具有第一主侧（11）和与该第一主侧（11）相对的第二主侧（15），●‑在第二主侧（15）上施加以下中的至少一个第一传导类型的掺杂剂，用于形成第一传导类型的层（2’），和第二传导类型的掺杂剂，用于形成第二传导类型的层（2），●‑之后在第二主侧（15）上沉积钛层（3），●‑使钛沉积层（3）激光退火使得同时在钛沉积层（3）与晶片（1）之间的界面处形成金属间复合层（35）并且掺杂剂扩散到晶片（1）内，●‑在第二侧（15）上形成第一金属电极层（4）。
  • 功率半导体装置用于制造方法
  •  1 
  • 共 3 条
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