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- [发明专利]处理模块-CN201380007950.0有效
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J·迈;D·米勒;S·拉舍克;A·海因策
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梅耶博格（德国）股份公司
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2013-01-17
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2018-01-23
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H01L21/67
- 本发明涉及一种处理模块，该处理模块具有至少一个位于该处理模块内的可抽真空的处理室，以及至少一个水平穿过该处理模块、能够沿至少一个基片运输方向移动的承载装置，该承载装置用于分别容纳至少一个需要在该处理室内进行加工的面状基片。本发明的目的在于，提出上述类型的处理模块，该处理模块使得能够在大的生产速度下，以尽可能低的设备成本实现所有基片的均匀且高质量的加工。该目的通过上述类型的处理模块得以实现，其中该至少一个处理室能够被承载装置相对于该处理模块以物理方式封闭，所述承载装置的位置能够在至少一个横向于基片运输方向的关闭方向上进行改变，其中该至少一个承载装置构成该至少一个处理室的底部。
- 处理模块
- [发明专利]微波电浆发生装置及其操作方法-CN201380032280.8有效
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J·迈;H·施勒姆
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梅耶博格（德国）股份公司
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2013-04-16
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2017-09-29
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H01J37/32
- 本发明涉及一种具有电浆室的微波电浆发生装置。在所述电浆室外部设有至少一个微波发生装置，并且所述微波发生装置的微波被至少一个微波接入装置接入到所述电浆室中。所述微波接入装置具有穿过所述电浆室的至少一个室壁而伸入所述电浆室中的内导体、包围所述内导体并且将所述内导体与所述电浆室的内腔间隔开的绝缘管、和至少一个穿过所述至少一个室壁而伸入所述电浆室中的外导体，所述外导体与所述内导体同轴地布置但并不包围所述内导体的整个圆周。所述外导体在所述电浆室中具有至少一个外导体末端。所述内导体与所述外导体形成微波导线，其中在所述电浆室中，微波可以从所述微波导线中外泄出，以便在所述电浆室的内腔中产生微波电浆。根据本发明，在所述电浆室的内腔中设有至少一个与所述内导体同轴布置且与所述室壁电绝缘的电浆电极，该电浆电极可被施加有直流电压、低频电压或高频电压，所述微波电浆可与该电浆电极电接触，使得所述微波电浆可以至少部分地承担所述外导体的作用。本发明还涉及一种操作该微波电浆发生装置的方法。
- 微波发生装置及其操作方法
- [发明专利]基片处理系统-CN201380008076.2有效
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J·迈;M·克尔
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梅耶博格（德国）股份公司
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2013-01-17
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2017-03-22
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H01L21/67
- 本发明涉及一种基片处理系统，该基片处理系统包括至少一个基片加载和卸载区域，其用于将至少一个基片加载到该基片处理设备以及从该基片处理设备卸载至少一个基片；至少一个可抽真空的处理室；至少一个承载装置，利用该承载装置，能够借助于至少一个载体运输区域中的载体运输装置将至少一个基片运输到至少一个处理室；所述基片处理系统还包括位于至少一个处理室与载体运输区域之间的至少一个气密式封闭装置以及位于基片加载和卸载区域与载体运输区域之间的至少一个气密式封闭装置。本发明的目的在于提出一种基片处理系统，该系统由于高的处理纯度而能够进行高质量的基片加工，并且还由于大的基片输送量而适合于大规模生产。该目的通过以上所提及的类型的基片处理系统得以实现，其特征在于，基片加载和卸载区域与载体运输区域之间设置有基片转载区域，该基片转载区域具有基片转载装置，该基片转载装置用于将至少一个基片从可设置在基片加载和卸载区域中的至少一个基片盒转载到至少一个承载装置上，在基片盒中，基片能够布置在该基片盒的不同的水平盒平面中，承载装置用于将至少一个基片保持在水平的承载平面中。基片转载区域能够相对于基片加载和卸载区域以及相对于载体运输区域以气密的方式封闭。
- 处理系统
- [发明专利]用于离子注入的方法和装置-CN201180057726.3有效
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U·施艾特;J·迈
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德国罗特·劳股份有限公司
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2011-11-17
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2013-08-07
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C23C14/56
- 本发明涉及对至少一个基片进行离子注入的离子注入装置和方法，其中，通过放电空间内的等离子体源在所述离子注入装置中产生具有至少1010cm-3、例如1010cm-3～1012cm-3的离子密度的等离子体，其中所述放电空间在待进行注入的所述基片的方向上受到具有彼此间隔开的贯通孔的等离子体限制壁的限制，所述等离子体限制壁处于等离子体电势或最大值为±100V的电势，并且，在所述离子注入装置内，所述放电空间内的压力高于所述基片所处的空间内的压力；其中所述基片承载在基片支架上，其基片表面与所述等离子体限制壁对置；并且其中，所述基片和/或所述基片支架用作基片电极，所述基片电极置于相对于所述等离子体为高负电势，以使得离子从所述等离子体中在所述基片的方向上被加速并注入到所述基片中。本发明的一个目的是提供用于离子注入的方法和装置，所述方法和装置使得能够以最大可能的效率对大量基片进行区域性和选择性的离子注入。该目的通过以上提及的一般类型的方法和离子注入装置实现，其中，所述至少一个基片和/或所述基片支架在基片传输装置上移动，所述基片传输装置与所述等离子体限制壁对置地沿朝向所述放电空间的基片传输方向且顺着所述放电空间连续或不连续地行进，并穿过所述放电空间，其中，在所述离子注入过程中，所述放电空间的气体供应及气体排出与所述至少一个基片所处的空间是分开的。
- 用于离子注入方法装置
- [发明专利]等离子体加工装置-CN201180056727.6有效
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J·迈;P·沃尔夫;H·施勒姆
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德国罗特·劳股份有限公司
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2011-11-02
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2013-07-31
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H01J37/32
- 本发明涉及一种等离子体加工装置，用于在基片连续加工设备中加工至少一个平坦的基片，其中该等离子体加工装置具有：至少一个基片承载电极，放置在该基片承载电极上的基片可以被输送通过该基片连续加工设备，并且该基片承载电极对接地电位是直流绝缘的；一个平面式构成的高频电极，该高频电极上施加有交流电压并且设置在放置于该基片承载电极上的至少一个基片之上的一个间距处；一个罐形地在该基片承载电极之上构成的暗室屏蔽物，其中该罐形暗室屏蔽物的开口区域与该至少一个基片对齐，并且该罐形暗室屏蔽物具有一个使该暗室屏蔽物向外展宽的边缘，该边缘紧密地安排在该基片承载电极之上并且平行于其表面安排，并且其中在该等离子体加工装置运行时，在该基片承载电极或（一个或多个）基片、高频电极与暗室屏蔽物之间设有一个等离子体室，用于形成一个低压等离子体；至少一个在背侧上且平行于该基片承载电极安排的、导电的第二电极；以及一个气体供应装置，用于在该等离子体室中引入处理气体。本发明的目的是，以尽可能低的技术耗费如下地扩展上述技术类型的等离子体加工装置：在限定的基片传输和有利的气体送入和排出的情况下，即使对大面积的基片或者带有许多单独基片的基片载体也可以有从等离子体室发出的离子与基片表面的高能量交互作用。该目的通过一上述类型的等离子体加工装置实现，其中该第二电极是一个处于接地电位的接地电极，其中该基片承载电极可以电容性地偶合在该接地电极上，并且该气体供应装置具有至少一个设置在该高频电极和/或暗室屏蔽物中的气体入口和至少一个设置在该暗室屏蔽物中的气体出口。
- 等离子体加工装置
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