专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有位线隔离的内存制造方法-CN03807745.0有效
  • M·T·雷姆斯比;T·卡迈勒;J·Y·杨;E·林古尼斯;H·设拉维;孙禹 - 斯班逊有限公司
  • 2003-02-14 - 2005-07-27 - H01L21/8246
  • 本发明提供一种集成电路的制造方法,其中提供一个具有核心区域(502)及周边区域(504)的半导体基板(506)。在该核心区域(502)内沉积一层电荷陷阱介电层(510),并在该周边区域(504)内沉积一层栅极介电材料(522)。在该半导体基板(506)的核心区域(502)而非在其周边区域(504)形成位线(518)。在该核心区域(502)而非在该周边区域(504)形成并以掺杂物注入字线-栅极材料(524)。形成字线(528)与栅极(530)。在该周边区域(504)而非在该核心区域(502),对环绕该栅极(530)的半导体基板(506)中的源极/漏极接面进行注入,并以栅极(530)掺杂物注入该栅极(530)。
  • 具有隔离内存制造方法

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