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[发明专利]包括嵌入式磁性隧道结的逻辑芯片-CN201810132259.X在审
发明人： K·J·李;T·加尼;J·M·施泰格瓦尔德;J·H·埃普尔;王奕 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：实施例将诸如自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)等的存储器集成在逻辑芯片内。STT‑MRAM包括：磁性隧道结(MTJ)，其具有上MTJ层、下MTJ层、以及直接接触所述上MTJ层和所述下MTJ层的隧道势垒；其中，所述上MTJ层包括上MTJ层侧壁，并且所述下MTJ层包括与所述上MTJ层水平偏移开的下MTJ侧壁。另一个实施例包括：存储器区域，其包括MTJ；以及逻辑区域，其位于衬底上；其中，水平面与所述MTJ相交，第一层间电介质(ILD)材料与所述MTJ相邻，并且第二ILD材料包括在所述逻辑区域中，所述第一和第二ILD材料彼此不等同。本文中还描述了其它实施例。
磁性隧道结逻辑区域逻辑芯片侧壁磁阻随机存取存储器电介质存储器集成存储器区域自旋转移矩水平偏移隧道势垒第一层嵌入式衬底相交

[发明专利]包括嵌入式磁性隧道结的逻辑芯片-CN201380073063.3有效
发明人： K·J·李;T·加尼;J·M·施泰格瓦尔德;J·H·埃普尔;王奕 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：实施例将诸如自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)等的存储器集成在逻辑芯片内。STT‑MRAM包括：磁性隧道结(MTJ)，其具有上MTJ层、下MTJ层、以及直接接触所述上MTJ层和所述下MTJ层的隧道势垒；其中，所述上MTJ层包括上MTJ层侧壁，并且所述下MTJ层包括与所述上MTJ层水平偏移开的下MTJ侧壁。另一个实施例包括：存储器区域，其包括MTJ；以及逻辑区域，其位于衬底上；其中，水平面与所述MTJ相交，第一层间电介质(ILD)材料与所述MTJ相邻，并且第二ILD材料包括在所述逻辑区域中，所述第一和第二ILD材料彼此不等同。在实施例中，所述第一和第二ILD彼此直接接触。本文中还描述了其它实施例。
磁性隧道结逻辑区域逻辑芯片侧壁磁阻随机存取存储器电介质存储器集成存储器区域自旋转移矩水平偏移隧道势垒第一层嵌入式衬底相交

[发明专利]包括嵌入式磁性隧道结的逻辑芯片-CN201380073040.2有效
发明人： K·J·李;T·加尼;J·M·施泰格瓦尔德;J·H·埃普尔;王奕 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：实施例将诸如自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)等的存储器集成在逻辑芯片内。STT‑MRAM包括磁性隧道结(MTJ)，其具有上MTJ层、下MTJ层、以及直接接触所述上MTJ层和所述下MTJ层的隧道势垒；其中，所述上MTJ层包括上MTJ层侧壁，并且所述下MTJ层包括与所述上MTJ层水平偏移开的下MTJ侧壁。另一个实施例包括存储器区域，其包括MTJ；以及逻辑区域，其位于衬底上；其中，水平面与所述MTJ相交，第一层间电介质(ILD)材料与所述MTJ相邻，并且第二ILD材料包括在所述逻辑区域中，所述第一和第二ILD材料彼此不等同。本文中还描述了其它实施例。
包括嵌入式磁性隧道逻辑芯片