“J·霍尼舒尔”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于硅/碳材料的PMOS与NMOS晶体管的性能提升-CN200980129329.5有效
发明人： J·霍尼舒尔;V·帕帕耶奥尔尤;B·香农 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种硅/锗材料和硅/碳材料可以根据适当的制造制度提供在不同导电类型(150P、150N)的晶体管，而不会不当地增加整体的工艺复杂度。再者，在形成相应的应变半导体合金(153)之前可以透过空腔(103P、103N)的暴露表面区域提供适当的植入物种，由此额外地提供增强的整体晶体管性能。在其他的实施例中，硅/碳材料可以形成在P沟道晶体管(150P)和N沟道晶体管(150N)中，同时在P沟道晶体管中，可以通过应力记忆技术而过度补偿相应的拉伸应变成分。于是，碳物种的有利的效果，例如增强P沟道晶体管的整体掺杂剂分布，可以结合有效的应变成分，同时可以达成提升的整体工艺一致性。
基于材料 pmos nmos 晶体管性能提升

[发明专利]设有嵌入硅/锗材料而具有提升的硼拘限性的晶体管-CN200980129155.2无效
发明人： J·霍尼舒尔;M·维亚特尔;V·帕帕耶奥尔尤 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明为一种设有嵌入硅/锗材料而具有提升的硼拘限性的晶体管。通过将扩散阻碍物种(256A)并入在包括硅/锗合金(255)的P沟道晶体管的PN接面的附近，可减少关于PN接面的非均匀性的扩散，因此促进装置稳定性的提升与整体晶体管性能的增加。能以碳、氮等形式提供扩散阻碍物种(256A)。
设有嵌入材料具有提升硼拘限性晶体管

[发明专利]包括具有凹陷漏极与源极区及非保形金属硅化物区的MOS晶体管的CMOS器件-CN200980125492.4无效
发明人： J·霍尼舒尔;U·格里布诺;A·魏 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：具有凹陷漏极与源极组构的晶体管(150)中的非保形金属硅化物层(156)对于应变引发机制、漏极/源极电阻等可以提供增强的效率。为了此目的，在某些情况中，非晶化注入制造方法可以在硅化制造方法之前予以执行，而在其它情况中，可以使用非等向性沉积耐火金属(156)。
包括具有凹陷源极区非保形金属硅化物区 mos 晶体管 cmos 器件

[发明专利]NMOS晶体管具有凹陷的漏极与源极区而PMOS晶体管的漏极与源极区具有硅/锗材料的CMOS器件-CN200980107065.3无效
发明人： J·霍尼舒尔;A·魏;U·格里布诺 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种凹陷的晶体管配置，可选择性地提供一种类型之晶体管(150B)(例如N沟道晶体管)，因此提升应变诱发效率与串联电阻，同时可于其它晶体管(150A)(例如P沟道晶体管)设置实质上平面配置或提高的漏极与源极配置，该其它晶体管也可包含应变之半导体合金(157)，而提供与CMOS技术的高度兼容性。为此目的，在形成对应凹陷(107、112)期间，可提供一适当掩膜规画以有效地覆盖一晶体管类型(150A、150B)的栅极电极(151)，同时完全覆盖另一类型之晶体管(150A、150B)。
nmos 晶体管具有凹陷源极区 pmos 材料 cmos 器件

[发明专利]包含具有工艺容限配置的基板二极管的SOI器件以及形成该SOI器件的方法-CN200880005925.8无效
发明人： A·格林;J·霍尼舒尔;A·魏 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2008-01-31 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：根据经过适当设计之制造流程而形成用于SOI器件(200、300)中之衬底二极管，其中可在实质上不会影响到二极管特性之情形下实施晶体管效能增强机制。在一面向中，可在形成了用来界定漏极及源极区(237、337)的对应的侧壁间隔件结构(236、336)之后，形成衬底二极管的各别开孔(211A、211B、311A、311B)，因而得到了二极管区中之掺杂剂的显著横向分布，因而可根据晶体管器件(230A、230B、330A、330B)中之间隔件(236、336)的去除，而在后续的硅化工艺序列期间提供充分的工艺范围。在进一步之面向中，在额外的或替代的方式下，可在实质上不会影响到各别晶体管器件(230A、230B、330A、330B)的配置之情形下形成偏移间隔件(360S)。
包含具有工艺容限配置二极管 soi 器件以及形成方法