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[发明专利]用于在衬底的表面上沉积半导体结构的方法及相关半导体结构-CN201910001386.0在审
发明人： D·科恩;N·巴尔加瓦;J·托勒;V·迪考斯塔 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了一种用于在衬底的表面上沉积半导体结构的方法。所述方法可以包括：在所述衬底的表面上方沉积第一IVA族半导体层；使所述第一IVA族半导体层的暴露表面与包括第一氯化物气体的第一气体接触；以及在所述第一IVA族半导体层的表面上方沉积第二IVA族半导体层。还公开了相关半导体结构。
半导体结构半导体层沉积衬底氯化物气体暴露表面气体接触

[发明专利]砑光设施和用于使塑料膜光滑的方法-CN201780016483.6在审
发明人： A·弗里森;J·托勒 -专利权人：克劳斯马菲贝斯托夫有限公司
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： B29C43/24 文献下载
摘要：本发明涉及用于由热塑性塑料制成的挤出的材料幅(51)、特别是膜幅的砑光设施，该砑光设施包括：(a)床身(1)，该床身具有：(i)第一导轨组(2)，该第一导轨组包括两个圆弧形的第一导轨(2’，2”)，和(ii)第二导轨组(3)，该第二导轨组包括两个圆弧形的第二导轨(3’，3”)，(b)第一砑光机轧辊(8)，该第一砑光机轧辊能够围绕第一砑光机轧辊旋转轴线(D8)旋转，并且支承在床身(1)上，(c)第二砑光机轧辊(9)，该第二砑光机轧辊与所述第一砑光机轧辊(8)共同构成砑光机，并且紧固在床身(1)上，(d)调节辊(14)，该调节辊能够围绕调节辊旋转轴线(D14)旋转，并且支承在床身(1)上，和(e)支承设备(34)，床身(1)可旋转地支承在该支承设备上，使得在所述床身(1)旋转时第一砑光机轧辊旋转轴线(D8)保持固定不动。根据本发明，(f)床身(1)构造为：使得调节辊(14)能够定位在至少55°的倾斜角(α)上，该倾斜角(α)构成在一方面水平线与另一方面直线之间，所述水平线垂直于第一砑光机轧辊旋转轴线(D8)并且穿过该第一砑光机轧辊旋转轴线(D8)延伸，所述直线垂直于第一砑光机轧辊旋转轴线(D8)并且穿过该第一砑光机轧辊旋转轴线(D8)以及穿过调节辊旋转轴线(D14)延伸。
砑光机轧辊床身旋转轴线导轨组砑光辊旋转轴线支承设备圆弧形穿过导轨支承热塑性塑料固定不动直线垂直材料幅可旋转塑料膜延伸光滑紧固垂直挤出

[发明专利]选择性沉积IV族半导体的方法和相关半导体装置结构-CN201810621663.3在审
发明人： J·玛格蒂斯;J·托勒 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：公开一种在衬底表面上选择性沉积IV族半导体的方法。所述方法可以包括在反应室内提供衬底和将所述衬底加热到沉积温度。所述方法可以另外包括将所述衬底暴露于至少一种IV族前体和将所述衬底暴露于至少一种IIIA族卤化物掺杂剂前体。还提供了包括通过本公开的方法沉积的IV族半导体的半导体装置结构。
衬底选择性沉积沉积半导体装置结构相关半导体装置掺杂剂前体衬底表面衬底加热暴露前体室内

[发明专利]沉积IV族半导体的方法及相关的半导体器件结构-CN201810620417.6在审
发明人： J·玛格蒂斯;J·托勒 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：公开了一种沉积IV族半导体的方法。所述方法可包括在反应室内提供衬底并加热衬底至沉积温度。所述方法可还包括暴露衬底于至少一种IV族前体和暴露衬底于至少一种IIIA族金属有机掺杂剂前体。所述方法可还包括在衬底的表面上沉积IV族半导体。还提供了包含通过本公开的方法沉积的IV族半导体的半导体器件结构。
衬底沉积半导体器件结构前体有机掺杂剂暴露加热室内

[发明专利]用于在单一处理腔室中从半导体膜去除氧化物和碳的设备和方法-CN201810768539.X在审
发明人：林兴;高培培;王非;J·托勒;B·B·琼迪斯沃伦;V·拉玛纳坦;E·希尔 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了一种用于在单个处理腔室内从半导体衬底去除碳基污染物和氧基污染物两者的系统和方法。本发明可以包括利用远程等离子单元和多个气体源在所述单个处理腔室中执行处理。
单个处理腔室污染物去除氧化物远程等离子半导体膜衬底去除单一处理气体源碳基氧基半导体室内

[发明专利]形成硅锗锡层的方法和相关的半导体器件结构-CN201810651690.5在审
发明人： N·巴尔加瓦;J·玛格蒂斯;J·托勒 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了一种形成硅锗锡(SiGeSn)层的方法。所述方法可包括：在反应室内提供衬底，暴露衬底于包含四氯化锡(SnCl₄)的预沉积前体脉冲，暴露衬底于包含氢化硅源、甲锗烷(GeH₄)和四氯化锡(SnCl₄)的沉积前体气体混合物，和在衬底的表面上方沉积硅锗锡(SiGeSn)层。还提供了半导体器件结构，其包含通过本公开的方法形成的硅锗锡(SiGeSn)层。
衬底硅锗半导体器件结构四氯化锡气体混合物沉积前体甲锗烷氢化硅预沉积暴露脉冲前体锡层沉积室内

[发明专利]形成含硅外延层的方法和相关半导体装置结构-CN201810401126.8在审
发明人： N·巴尔加瓦;J·托勒;J·玛格蒂斯;M·古德曼;R·维妮 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了一种用于形成含硅外延层的方法。所述方法可以包括将衬底加热至小于大约950℃的温度和将所述衬底暴露于包含氢化硅源的第一硅源、第二硅源、掺杂剂源以及卤素源。所述方法还可以包括沉积含硅外延层，其中所述含硅外延层内的掺杂剂浓度大于3×10²¹个原子/立方厘米。
含硅外延层硅源相关半导体装置掺杂剂源衬底加热立方厘米掺杂剂卤素源氢化硅衬底沉积暴露

[发明专利]用于加大膜的抗撕强度的方法-CN201180053913.4有效
发明人： J·托勒 -专利权人： W.L.戈尔及同仁股份有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： A61B17/04 文献下载
摘要：提供一种加大聚合物膜的抗拉强度的方法。描述为了实现此目的有必要在聚合物膜（10）内形成负载分布元件（50）。还提供了应用本发明以加大外科聚合物膜内的缝线保持力。
用于加大强度方法

[发明专利]外科网-CN201180051182.X无效
发明人： J·托勒 -专利权人： W.L.戈尔及同仁股份有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： A61F2/00 文献下载
摘要：本发明提供一种极薄的外科网，该外科网具有用于软组织修复所需的强度，并能通过最小侵入性技术递送到外科手术位置。还提供了预装形式的外科网和生产以及使用方法。
外科

[发明专利]汇流排适配器-CN201180017812.1有效
发明人： F·霍特曼;K·古特兹-沙费尔;J·托勒;哈罗德·格林德尔;马丁·博曼;赫尔诺特·博曼 -专利权人：宗拓贝尔照明器材有限公司
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01R25/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将灯或聚光灯固定在U形汇流排上并接触在该汇流排里延伸的导线的汇流排适配器(1)，其中该汇流排适配器(1)具有截面呈T形的壳体(2)，该壳体具有设置用于插入该汇流排中的中心部(10)和与该中心部(10)相接且沿该中心部的横向取向的底座部(20)，该底座部在安装状态贴靠汇流排的外表面。在壳体(2)内设有用于保持灯或聚光灯的芯件(60)，该芯件不仅延伸到该中心部(10)中，也延伸到该底座部(20)中，其中该芯件(60)最好是一体设计的。
汇流适配器

[发明专利]辊子间隙测量系统-CN201110463369.2无效
发明人： J·托勒 -专利权人：克劳斯马菲贝斯托夫有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： G01B21/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于测量两个辊子之间的径向距离的辊子间隙测量系统。为了提供一种具备高测量精确度和小安装尺寸的辊子间隙测量系统，辊子之间的距离借助于用以测量轴螺母(120)的转动的转动测量仪(140)来确定，所述辊子中的一个辊子就其位置而言是能够借助于调节轴(100)改变的，其中，该调节轴具有用作调节元件的轴螺母(120)。
辊子间隙测量系统

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