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[发明专利]包括碳化硅主体的半导体器件以及制造方法-CN201911326662.7有效
发明人： J.P.孔拉特;W.贝格纳;C.黑希特;H-J.舒尔策;A.R.施泰格纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了包括碳化硅主体的半导体器件以及制造方法。一种半导体器件（500）包括碳化硅主体（100），所述碳化硅主体（100）包括第一区段（171）和第二区段（172）。所述第一区段（171）位于与第二区段（172）相邻处。在所述第一和第二区段（171、172）中形成漂移区（130）。晶格缺陷区（190）位于第二区段（172）中的漂移区（130）的一部分中并且不存在于第一区段（171）的至少一部分中。在晶格缺陷区（190）中，包括间隙和空位的晶格缺陷（199）的密度是在晶格缺陷区（190）外部的漂移区（130）的一部分中的至少两倍高。
包括碳化硅主体半导体器件以及制造方法

[发明专利]包括钳位结构的半导体器件-CN202010078237.7有效
发明人： R.巴布尔斯克;T.巴斯勒;T.基默;H-J.舒尔策;S.福斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及包括钳位结构的半导体器件。在半导体器件的实施例中，半导体本体（101）包括钳位结构（102），其包括在第一接触部（C11，C12）和第二接触部（C21，C22）之间背对背串联连接的pn结二极管（103）和肖特基结二极管（104）。pn结二极管（103）的击穿电压（Vbrpn）大于100 V并且肖特基结二极管（104）的击穿电压（Vbrs）大于10V。
包括结构半导体器件

[发明专利]碳化硅半导体器件-CN201910414124.7有效
发明人： T.巴斯勒;R.埃尔佩尔特;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开内容涉及一种半导体器件（100,500），其具有：SiC半导体本体（102）以及在SiC半导体本体（102）的第一表面（104）上的第一负载端子（L1）。在SiC半导体本体（102）的与第一表面（102）相对的第二表面（106）上形成第二负载端子（L2）。该半导体器件（100,500）具有在SiC半导体本体（102）中的第一导电类型的漂移区（112）以及第二导电类型的第一半导体区（108），所述第一半导体区与第一负载端子（L1）电连接。漂移区（112）和第一半导体区（108）之间的pn结限定半导体器件（100，500）的电压截止强度。
碳化硅半导体器件

[发明专利]半导体器件和有隔离源区的反向导电绝缘栅双极晶体管-CN201910187329.6有效
发明人： R.巴布尔斯克;M.戴内塞;J.G.拉文;P.莱希纳;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-05-12 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和有隔离源区的反向导电绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括半导体台面，其具有与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。在与至少一个本体区相对的漂移区的一侧处的基底层包括至少一个本体区的导电类型的第一区、以及漂移区的导电类型的第二区。电极结构在半导体台面的相对侧上。电极结构中的至少一个包括控制了流过至少一个本体区的电荷载流子的栅电极。在源区中的两个源区之间的分离区域中，（i）栅电极与半导体台面之间的电容耦合或者（ii）漂移区的多数电荷载流子的导电率低于分离区域的外侧。
半导体器件隔离反向导电绝缘双极晶体管

[发明专利]包括沟槽的半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201810088622.2有效
发明人： M.科托罗格亚;H-P.费尔斯尔;Y.加夫利纳;F.J.桑托斯罗德里古斯;H-J.舒尔策;G.赛贝特;A.R.施特格纳;W.瓦格纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及包括沟槽的半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括在第一沟槽中包括第一栅电极的第一晶体管单元。所述半导体器件进一步包括在第二沟槽中包括第二栅电极的第二晶体管单元，其中第一和第二栅电极被电连接。所述半导体器件进一步包括第一和第二沟槽之间的第三沟槽，其中第三沟槽从半导体主体的第一侧比第一和第二沟槽更深地延伸到半导体主体中。所述半导体器件进一步包括第三沟槽中的覆盖第三沟槽的底侧和壁的电介质。
包括沟槽半导体器件制造方法

[发明专利]宽带隙半导体器件和形成宽带隙半导体器件的方法-CN201811609294.2有效
发明人： J.卢茨;R.鲁普;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种宽带隙半导体器件，其包括：第一导电类型的第一掺杂区域和第二导电类型的第二掺杂区域。第二掺杂区域的漂移部分具有低于1e17 cm‑3的第一平均净掺杂浓度。第二掺杂区域的高掺杂部分具有高于5e18 cm‑3的第二平均净掺杂浓度。第二掺杂区域的补偿部分位于漂移部分与高掺杂部分之间。补偿部分从具有高于1e16 cm‑3且低于1e17 cm‑3的净掺杂浓度的第一区带延伸到具有高于5e18 cm‑3的净掺杂浓度的第二区带，并且在从第二区带朝向第一区带延伸长达至少100 nm的补偿部分的至少一部分内的净掺杂浓度的最大梯度低于5e22 cm‑4。
宽带半导体器件形成方法

[发明专利]功率半导体器件-CN202111221438.9在审
发明人： T.巴斯勒;M.比纳;M.戴内泽;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了功率半导体器件。一种功率半导体器件包括耦合到第一负载端子和第二负载端子的半导体主体。半导体主体包括：电连接到第一负载端子的第二导电类型的第一掺杂区域；电连接到第二负载端子的第二导电类型的发射极区域；具有第一导电类型且布置在第一掺杂区域和发射极区域之间的漂移区域。漂移区域和第一掺杂区域使得功率半导体器件能够在以下状态下操作：导通状态，在所述导通状态期间，负载端子之间的负载电流沿正向方向传导；正向阻断状态，在所述正向阻断状态期间施加在端子之间的正向电压被阻断；以及反向阻断状态，在所述反向阻断状态期间施加在端子之间的反向电压被阻断。半导体主体进一步包括至少被布置在第一掺杂区域内的复合区。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201810229237.5有效
发明人： T.巴斯勒;M.比纳;M.戴内泽;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本发明公开了功率半导体器件。一种功率半导体器件包括耦合到第一负载端子和第二负载端子的半导体主体。半导体主体包括：电连接到第一负载端子的第二导电类型的第一掺杂区域；电连接到第二负载端子的第二导电类型的发射极区域；具有第一导电类型且布置在第一掺杂区域和发射极区域之间的漂移区域。漂移区域和第一掺杂区域使得功率半导体器件能够在以下状态下操作：导通状态，在所述导通状态期间，负载端子之间的负载电流沿正向方向传导；正向阻断状态，在所述正向阻断状态期间施加在端子之间的正向电压被阻断；以及反向阻断状态，在所述反向阻断状态期间施加在端子之间的反向电压被阻断。半导体主体进一步包括至少被布置在第一掺杂区域内的复合区。
功率半导体器件

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN201610913348.9有效
发明人： J.G.拉文;H-J.舒尔策;W.舒施特雷德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和用于形成半导体器件的方法。用于形成半导体器件的方法包括将掺杂离子注入到半导体衬底中。在将掺杂离子注入到半导体衬底中期间，在注入掺杂离子的掺杂离子束的主方向与半导体衬底的主晶向之间的偏差小于±0.5°。所述方法还包括在掺杂离子的注入期间控制半导体衬底的温度，使得半导体衬底的温度在用于注入掺杂离子的注入工艺时间的70%以上中在目标温度范围内。目标温度范围从目标温度下限达到目标温度上限。目标温度下限等于目标温度减去30°C。目标温度高于80°C。
半导体器件用于形成方法

[发明专利]使SiC表面平坦化的方法-CN201810546564.3有效
发明人： H.厄夫纳;R.鲁普;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了使SiC表面平坦化的方法。一种使SiC衬底的粗糙表面平坦化的方法，包括：在SiC衬底的粗糙表面上形成牺牲材料，所述牺牲材料具有在SiC衬底的密度的35%与120%之间的密度；穿过牺牲材料并且向SiC衬底的粗糙表面中注入离子以在SiC衬底中形成非晶区；以及通过湿法刻蚀去除牺牲材料和SiC衬底的非晶区。
sic 表面平坦方法

[发明专利]功率半导体器件终止结构-CN201711008174.2有效
发明人： J-G.鲍尔;J.布兰登布格;E.法尔克;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种功率半导体器件，包括：半导体本体，耦合到功率半导体器件的第一负载端子和第二负载端子并且包括漂移区，漂移区具有第一导电类型的掺杂剂；有源区，具有至少一个功率单元，其至少部分地延伸到半导体本体中并与第一负载端子电连接并且包括所述漂移区的一部分，所述至少一个功率单元被配置为在所述端子之间传导负载电流并阻断施加在所述端子之间的阻断电压；边缘，其横向地终止半导体本体；以及非有源终止结构，布置在边缘和有源区中间。终止结构包括：在半导体本体中实现的至少一个掺杂半导体区；安装在布置在半导体本体的表面上面的绝缘体块上的导体结构；以及将导体结构与第一负载端子的电位电耦合的欧姆路径，欧姆路径布置在表面上面。
功率半导体器件终止结构

[发明专利]在漂移体积中具有p层的n沟道双极型功率半导体器件-CN201710564862.0有效
发明人： R.巴布尔斯克;M.比纳;H-J.舒尔策;O.J.施普尔伯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及在漂移体积中具有p层的n沟道双极型功率半导体器件。一种功率半导体器件，具有半导体本体，所述半导体本体被配置为在第一负载端子与第二负载端子之间传导负载电流，包括：源极区，其具有第一导电类型的掺杂剂并被电连接到所述第一负载端子；半导体沟道区，其在所述半导体本体中实施并具有第二导电类型的掺杂剂，并且将所述源极区与所述半导体本体的剩余部分分离；第一沟槽类型的沟槽，其在所述半导体本体中沿着延伸方向延伸并被布置为邻近所述半导体沟道区，第一沟槽类型的所述沟槽包括通过绝缘体与所述半导体本体绝缘的控制电极，其中所述控制电极被配置为对所述半导体沟道区中的负载电流的路径进行控制。
漂移体积具有沟道双极型功率半导体器件

[发明专利]具有高电流鲁棒性的晶体管器件-CN201710741597.9有效
发明人： R.巴布尔斯克;R.博雅尼;J.卢茨;F-J.尼德诺施泰德;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开的是一种晶体管器件。该晶体管器件包括第一掺杂类型的第一发射极区、第二掺杂类型的第二发射极区、第二掺杂类型的本体区、第一掺杂类型的漂移区、第一掺杂类型的场停止区、至少一个增强结构以及通过栅极电介质与本体区介电绝缘的栅极电极。本体区布置在第一发射极区和漂移区之间，场停止区布置在漂移区和至少一个增强结构之间，并且增强结构布置在场停止区和第二发射极区之间。至少一个增强结构包括第一掺杂类型的基极区和通过基极区与第二发射极区分离的至少一个第二掺杂类型的辅助发射极区。漂移区和场停止区中的在晶体管器件的电流流动方向上的总掺杂剂剂量高于漂移区和场停止区的半导体材料的穿透电荷。
具有电流鲁棒性晶体管器件

[发明专利]具有沟道截断环的半导体器件及生产其的方法-CN201610194275.2有效
发明人： E.法尔克;F.D.普菲尔施;H-J.舒尔策;S.福斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有沟道截断环的半导体器件及生产其的方法。一种垂直半导体器件（1）包括：具有前表面（11）和背表面（12）的衬底（2），位于所述衬底（2）中的有源区（AA），其具有掺杂有第一掺杂剂类型的漂移区域（22），在横向上围绕所述有源区（AA）的边缘终端区域（ER），被提供在所述前表面处并位于所述边缘终端区域（ER）中的沟道截断环端子（40），以及位于所述沟道截断环端子（40）朝向所述有源区（AA）的一侧上并被提供成与所述沟道截断环端子（40）相邻的第一抑制沟槽（50）。此外，提供了一种用于这种半导体器件的生产方法。
具有沟道截断半导体器件生产方法

[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件-CN202010662122.2在审
发明人： H-J.舒尔策;J.P.孔拉特;A.R.施特格纳;H.施特拉克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：提出了一种制造半导体器件的方法。提供碳化硅（SiC）半导体本体（102）。通过至少一个离子注入工艺经由SiC半导体本体（102）的第一表面（108）将离子引入到SiC半导体本体（102）中。此后，在SiC半导体本体（102）的第一表面（108）上形成SiC器件层（110）。在SiC器件层（110）中或之上形成半导体器件元件。
半导体器件制造方法以及

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