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[发明专利]为了磁力测定应用而优化的含氮单晶金刚石材料-CN201680080219.4有效
发明人： W·卢;G·S·布鲁斯;A·M·埃德蒙斯;M·L·马卡姆;A·D·斯泰西;H·K·迪隆 -专利权人：六号元素技术有限公司;六号元素技术美国公司
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种单晶金刚石材料，其包含：中性氮‑空位缺陷(NV0)；带负电荷的氮‑空位缺陷(NV‑)；和单一取代的氮缺陷(Ns)，所述氮缺陷将它们的电荷转移到中性氮‑空位缺陷(NV0)，以将它们转化为带负电荷的氮‑空位缺陷(NV‑)，其特征在于所述单晶金刚石材料具有的磁力测定品质因数(FOM)为至少2，其中所述磁力测定品质因数由(I)定义，其中R是带负电荷的氮‑空位缺陷与中性氮‑空位缺陷的浓度比率([NV‑]/[NV0])，[NV‑]是以所述单晶金刚石材料的百万分率(ppm)的原子测量的带负电荷的氮‑空位缺陷的浓度，[NV0]是以所述单晶金刚石材料的百万分率(ppm)原子测量的中性氮‑空位缺陷的浓度，且T2'是NV‑缺陷的退相干时间，其中T2'是对于DC磁力测定而言的T2*或对于AC磁力测定而言的T2。
为了磁力测定应用优化含氮单晶金刚石材料

[发明专利]通过化学气相沉积的单晶合成金刚石材料-CN201780074414.0在审
发明人： M·L·马卡姆;A·M·埃德蒙斯;H·K·迪隆;D·W·哈德曼 -专利权人：六号元素技术有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：公开了单晶CVD金刚石材料，该材料包含通过二次离子质谱法(SIMS)测量的至少3ppm的总氮浓度；和低的光学双折射，使得:在具有至少1.3mm×1.3mm面积的该单晶CVD金刚石材料的样品中，并且使用在1×1μm²至20×20μm²范围内的面积的像素尺寸测量，Δn_[平均]的最大值不超过1.5×10^‑4，其中Δn_[平均]是将对于与慢轴和快轴平行偏振的光而言的折射率之差遍及样品厚度取平均的平均值。还公开了制备该材料的方法。
单晶二次离子质谱法化学气相沉积金刚石材料尺寸测量单晶合成双折射折射率快轴慢轴偏振像素总氮制备平行测量

[发明专利]单晶CVD合成金刚石层和单晶CVD合成金刚石物体-CN201810252078.0在审
发明人： H·K·迪隆;N·M·戴维斯;R·U·A·卡恩;D·J·特威切恩;P·M·马蒂诺 -专利权人：六号元素有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶CVD合成金刚石层，包括非平行的位错阵列，其中当在X射线形貌断面图中观察或在发光条件下观察时，非平行的位错阵列包含形成一组相互交叉的位错的多个位错。
单晶金刚石层位错阵列合成非平行形貌金刚石物体发光条件个位观察位错

[发明专利]单晶CVD合成金刚石材料-CN201280068219.4有效
发明人： H·K·迪隆;D·J·特威切恩;R·U·A·卡恩 -专利权人：六号元素技术有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：一种单晶CVD合成金刚石材料，其包括：大于或等于5ppm的总生成态氮浓度，和均匀分布的缺陷，其中，所述均匀分布的缺陷通过下列特性中的一种或多种限定：(i)当通过次级离子质谱法(SIMS)在大于或等于50×50μm的区域上使用10μm或更小的分析区域进行映象时，总氮浓度拥有的逐点变化(point-to-point variation)小于平均总氮浓度值的30％，或者当通过SIMS在大于或等于200×200μm的区域上使用60μm或更小的分析区域进行映象时，总氮浓度拥有的逐点变化小于平均总氮浓度值的30％；(ii)使用77K紫外光-可见光吸收测量法测量的生成态氮空位缺陷(NV)浓度大于或等于50ppb，其中，氮空位缺陷均匀分布在合成单晶CVD金刚石材料中，使得当使用采用了50mW连续波激光器、在室温下的光斑尺寸小于或等于10μm的514nm激光激发源进行激发，并且在大于或等于50×50μm的区域上用小于10μm的数据区间进行映象时，存在较低的逐点变化，其中，对于575nm的光致发光峰值(NV0)或者637nm的光致发光峰值(NV-)来说，高光致发光强度的区域与低光致发光强度的区域之间的氮空位光致发光峰值的强度面积比<2x；(iii)当使用采用了50mW连续波激光器、在室温下的光斑尺寸小于或等于10μm的514nm激光激发源进行激发(在552.4nm下得到Raman峰值)，并且在大于或等于50×50μm的区域上用小于10μm的数据区间进行映象时，Raman强度的变化使得存在较低的逐点变化，其中，低Raman强度的区域与高Raman强度的区域之间的Raman峰值面积比<1.25x；(iv)使用77K紫外光-可见光吸收测量法测量的生成态氮空位缺陷(NV)浓度大于或等于50ppb，其中，当使用采用了50mW连续波激光器、在77K温度下的光斑尺寸小于或等于10μm的514nm激光激发源进行激发时，在对应于NV0的575nm下给出比在552.4nm下的Raman强度的120倍更大的强度，和/或在对应于NV-的637nm下给出比在552.4nm下的Raman强度的200倍更大的强度；(v)单原子替代氮缺陷(Ns)浓度大于或等于5ppm，其中，单原子替代氮缺陷均匀分布在合成单晶CVD金刚石材料中，使得通过使用1344cm-1红外吸收特征并对面积大于0.5mm2的区域采样，根据标准偏差除以平均值推导出的变化小于80％；(vi)由标准偏差除以平均值定义的红光发光强度的变化小于15％；(vii)中性单原子替代氮浓度的平均标准偏差小于80％；以及(viii)利用由平均灰度值大于50的显微图像得出的直方图测量的颜色强度，其中，所述颜色强度在单晶CVD合成金刚石材料中是均匀的，使得以灰度值标准偏差除以灰度值平均值为特征的灰度色的变化小于40％。
cvd 合成金刚石材料

[发明专利]单晶合成金刚石材料中的位错设计-CN201180066336.2在审
发明人： H·K·迪隆;N·M·戴维斯;R·U·A·卡恩;D·J·特威切恩;P·M·马蒂诺 -专利权人：六号元素有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶CVD合成金刚石层，包括非平行的位错阵列，其中当在X射线形貌断面图中观察或在发光条件下观察时，非平行的位错阵列包含形成一组相互交叉的位错的多个位错。
合成金刚石材料中的设计

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