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[发明专利]用于形成垂直通道器件的方法、以及垂直通道器件-CN201811036797.5有效
发明人： A·维洛索;G·埃内曼;N·科拉尔特;E·罗西尔 -专利权人： IMEC 非营利协会
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：依据本发明概念的一个方面，提供一种形成垂直通道器件的方法，该方法包括：在基材(101)上形成包括第一柱部分(110)、第二柱部分(120)和第三柱部分(130)的垂直半导体柱(108)，其中第二柱部分(120)设置在第一柱部分(110)和第三柱部分(130)之间，并且其中第二柱部分(120)由与形成第一柱部分(110)的上部(110a)的材料不同、且与形成第三柱部分(130)的下部(130a)的材料不同的材料形成，在第一柱部分(110)的上部(110a)的周向表面上以及第三柱部分(130)的下部(130a)的周向表面(130aa)上形成间隔层(112、132)，以及形成嵌入第二柱部分(120)和所述上部(110a)和所述下部(130a)的栅极堆叠体(150)，其中间隔层(112、132)形成了栅极堆叠体(150)与所述上部(110a)之间以及栅极堆叠体(150)与所述下部(130a)之间的间隔部。
用于形成垂直通道器件方法以及

[发明专利]应变的第IV族通道-CN201610596266.6有效
发明人： B·库纳特;R·兰格;G·埃内曼 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及应变的第IV族通道。半导体结构包括：a.具有顶表面的单晶基材(1)，b.位于所述单晶基材上的非晶体结构(2)，其包括宽度小于10微米的开口并且将所述单晶基材的顶表面的部分暴露出来，c.缓冲结构(3)，其具有与所述部分毗邻的底表面以及具有小于108穿透错位/cm2的顶表面，所述缓冲结构(3)是由具有第一晶格常数的材料制造的，以及d.一个或多个第IV族单晶结构(4)，其与所述缓冲结构(3)毗邻并且是由具有不同于所述第一晶格常数的第二晶格常数的材料制造的。
应变 iv 通道

[发明专利]形成用于半导体结构的方法以及由该方法制造的半导体结构-CN201811474948.5有效
发明人：梁琥;周秀菊;G·埃内曼 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于形成半导体结构的方法，所述方法包括：‑提供单晶基材，其上表面覆盖有掩模层，该掩模层包括暴露上表面的至少一个开口，‑通过在开口中外延生长包含第一III族氮化物的第一层来填充开口，‑通过外延横向过生长，第一层进一步生长到开口上方和掩模层上，其中，至少一个开口具有顶表面，所述顶表面由形成平行于所述上表面的多边形的三个或更多个直边限定，并且多边形相对于所述单晶基材的晶格以允许所述第一层沿垂直于至少一个边的方向外延横向过生长的方式取向，从而形成细长结构。
形成用于半导体结构方法以及制造

[发明专利]拉伸应变的半导体单晶纳米结构-CN202110460365.2在审
发明人： R·卢;G·埃内曼;C·博瑞特 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构，其包括：a.具有顶表面的半导体基材，b.一个或多个IV族半导体单晶纳米结构，其各自具有第一和第二末端，第一和第二末端限定了平行于半导体基材顶表面并与顶表面隔开非零距离的轴，各纳米结构具有在第一末端上外延生长的源极结构和在第二个末端外延生长的漏极结构，其中，外延源极和漏极结构由掺杂有Sb和Bi中的一种或多种以及任选的As和P中的一种或多种的IV族半导体制备，由此在IV族半导体单晶纳米结构中产生拉伸应变。
拉伸应变半导体纳米结构

[发明专利]应变半导体单晶纳米结构-CN202110461841.2在审
发明人： G·埃内曼;B·布里格斯;A·德克亚斯亦特;A·维洛索;F·保拉 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构，其包括：a.具有顶部层的半导体基材；b.一个或多个半导体单晶纳米结构，其各自具有第一和第二末端，第一和第二末端限定了平行于半导体基材顶表面并与顶表面隔开一定距离的轴，各纳米结构具有在第一末端上外延生长的源极结构和在第二个末端外上延生长的漏极结构，其中，源极和漏极结构由p掺杂(或n掺杂)的半导体单晶材料制备，该半导体单晶材料的未应变晶格常数小于(或大于)制造源极和漏极结构生长于其上的半导体单晶纳米结构的半导体单晶材料的未应变晶格常数，从而在该半导体单晶纳米结构中产生压缩(或拉伸)应变。
应变半导体纳米结构

[发明专利]一种形成垂直场效应晶体管器件的方法-CN202010489213.0在审
发明人： A·维洛索;G·埃内曼 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：根据本发明构思的一个方面，提供一种形成垂直场效应晶体管器件的方法。该方法包括：在基材上形成垂直半导体结构，该垂直半导体结构在基材上方突出并且包括下源极/漏极部分、上源极/漏极部分以及设置在所述下源极/漏极部分和所述上源极/漏极部分之间的通道部分；在通道部分上形成封闭所述通道部分的外延半导体应力体层，其中，所述应力体层与所述通道部分晶格失配；形成绝缘层和牺牲结构，其中，所述牺牲结构封闭通道部分，在所述通道部分上形成应力体层，并且，绝缘层包埋半导体结构和牺牲结构；在绝缘层中形成暴露牺牲结构表面部分的开口；通过绝缘层中的开口对牺牲结构进行蚀刻，由此形成腔室，该腔室暴露出封闭通道部分的应力体层；在对牺牲结构进行蚀刻之后，蚀刻腔室中的应力体层；在蚀刻应力体层后，在腔室中形成栅极堆叠体，该栅极堆叠体封闭垂直半导体结构的通道部分。
一种形成垂直场效应晶体管器件方法

[发明专利]栅极、触点和翅片切割方法-CN201910549617.1在审
发明人： S·德米恩克;G·埃内曼;V·马卡奥桑 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种在多个翅片上形成栅极触点和/或接触线的方法(100)。该方法包括提供(110)包括半导体结构的晶片，所述半导体结构包括多个翅片。该方法还包括在翅片上图案化(120)至少一个连续沟槽，并用金属填充(130)至少一个沟槽以获得与翅片接触的至少一个连续栅极和/或填充至少一个具有金属的沟槽以获得与翅片接触的至少一条连续接触线。该方法还包括在一些翅片之间的位置上切割(140)至少一个栅极的金属和/或切割至少一个接触线的金属。
栅极触点切割方法