“F·翁巴赫”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法-CN201911274738.6在审
发明人： R·K·乔施;F·希勒;M·福格;O·亨贝尔;T·拉斯卡;M·米勒;R·罗思;C·沙菲尔;H-J·舒尔策;H·舒尔策;J·斯泰恩布伦纳;F·翁巴赫 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
包括金属粘附阻挡结构半导体器件及其形成方法

[发明专利]包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法-CN201710149143.2有效
发明人： R·K·乔施;F·希勒;M·福格;O·亨贝尔;T·拉斯卡;M·米勒;R·罗思;C·沙菲尔;H-J·舒尔策;H·舒尔策;J·斯泰恩布伦纳;F·翁巴赫 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
包括金属粘附阻挡结构半导体器件及其形成方法

[发明专利]具有防振性的插接连接器-CN201510394063.4有效
发明人： F·翁巴赫 -专利权人：伦伯格连接器有限公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01R13/533 文献下载
摘要：本发明涉及一种插接连接器，据此壳体的所述轴向部段沿着外圆周线构成具有至少一个第一凸起和至少一个第一回缩部的卡锁轮廓，并且固定套筒的所述轴向部段沿着内圆周线构成具有至少一个第二凸起和至少一个第二回缩部的卡锁轮廓，并且固定套筒在壳体上可径向相对运动地安装，并且当第一凸起和第二凸起在拧接运动中相碰时，在壳体和固定套筒之间的确保径向可运动性的径向间隙确保第一凸起径向越过第二凸起，并且弹性的密封件对该径向的越过运动起到复位作用。
具有防振性插接连接器

[发明专利]垂直半导体器件-CN201510178778.6有效
发明人： C·魏斯;F·J·涅德诺斯塞德;M·普法芬莱纳;H-J·舒尔策;H·舒尔策;F·翁巴赫 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种垂直半导体器件，包括半导体主体，其包括第一表面、相对于第一表面的第二表面、以及在基本上垂直于第一表面的垂直方向上延伸的边缘、有源区域、在有源区域和边缘之间在基本平行于第一表面的水平方向上布置的外围区域，以及与第一表面相邻地布置并从有源区域延伸至外围区域的pn结。在外围区域中，半导体器件还包括布置与第一表面相邻的第一导电区域，与第一表面相邻地布置并在水平方向上布置在第一导电区域和边缘之间的第二导电区域、以及钝化结构，其在垂直截面中包括至少部分地覆盖第一导电区域的第一部分，至少部分地覆盖第二导电区域的第二部分。第一部分具有与第二部分不同的层组成和/或不同于第二部分的第二厚度的第一厚度。
垂直半导体器件

[发明专利]具有屏蔽结构的半导体器件-CN201510491053.2有效
发明人： E·法尔克;K·布赫霍尔茨;M·戴内塞;H-J·舒尔策;G·施密特;F·翁巴赫 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供具有屏蔽结构的半导体器件。一种半导体器件具有包括相对的底侧和顶侧的半导体本体、围绕半导体本体的表面、形成在半导体本体中的有源半导体区域、围绕有源半导体区域的边缘区域、形成在边缘区域中的第一导电类型的第一半导体区、形成在顶侧处的边缘区域中的边缘终端结构以及布置在边缘终端结构背离底侧的那侧上的屏蔽结构。屏蔽结构具有N1≥2个第一段和N2≥1个第二段。第一段中的每个电连接至其他第一段中的每个以及第二段中的每个，并且第二段中的每个具有比第一段中的每个的电阻率高的电阻率。
具有屏蔽结构半导体器件

[发明专利]半导体芯片及其制造方法和焊接半导体芯片与载体的方法-CN201310532609.9有效
发明人： N·厄施勒;K·特鲁诺夫;F·翁巴赫 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片及其制造方法和焊接半导体芯片与载体的方法。公开了一种半导体芯片，具有半导体本体和施加到半导体本体上的芯片金属化，该芯片金属化具有背离半导体本体的下侧。具有数目为N1≥1或者N1≥2的第一子层以及数目为N2≥2的第二子层的层堆叠被施加到下侧上。第一子层和第二子层交替地相继地被布置，使得在能够由第一子层构成的每一个第一对的第一子层之间布置有至少一个第二子层，并且在能够由第二子层构成的每一个第二对的第二子层之间布置有至少一个第一子层。每一个第一子层都具有合金金属或者由合金金属组成，每一个第二子层都具有焊料或者由焊料组成，该焊料能够与邻接有关的第二子层的第一子层的合金金属一起构成金属间相。
半导体芯片及其制造方法焊接载体

[发明专利]用于设置在触点支座上的插塞触点-CN201310068629.5无效
发明人： W·诺依曼;D·普法芬巴赫;F·翁巴赫 -专利权人：伦伯格连接器有限公司
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于设置在设有对应触点的触点支座上的插塞触点，借助其可在维持给定的技术要求下减小插塞连接器、尤其是根据Rast2.5标准的插塞连接器的栅距。该任务通过具有本发明特征的技术方案来解决，据此插塞触点的接触腿以其轧制面贴靠在对应触点的第一接触面上并且支撑腿以其冲制面贴靠在触点支座的下侧上。
用于设置触点支座