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[发明专利]双硬掩模光刻工艺-CN201280070393.2有效
发明人： J·C·阿诺德;S·D·伯恩斯;S·J·福尔摩斯;D·V·霍拉克;M·桑卡拉潘迪恩;Y·尹 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：使用线图案对互连级电介质层之上的第一金属硬掩模层图案化。至少一个电介质材料层、第二金属硬掩模层、第一有机平面化层(OPL)以及第一光刻胶被施加在第一金属硬掩模层之上。第一通路图案被从所述第一光刻胶层转移到所述第二金属硬掩模层。第二OPL和第二光刻胶层被施加并使用第二通路图案进行图案化，该第二通路图案被转移到所述第二金属硬掩模层内。第一和第二通路图案的第一合成图案被转移到所述至少一个电介质材料层内。使用第一金属硬掩模层中的开口区域限制第一合成图案的第二合成图案被转移到互连级电介质材料层内。
双硬掩模光刻工艺

[发明专利]具有选择性形成的金属罩的集成电路结构-CN201280044778.1有效
发明人：杨智超;D·V·霍拉克;查尔斯·W·库布尔格三世;P·邵姆 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了形成使用在栅极之上的选择性形成的且至少部分氧化的金属罩的集成电路结构的方法，以及相关的结构。在一种实施例中，方法包括：提供包括晶体管的前体结构，晶体管具有金属栅极；在金属栅极的暴露部分之上形成止蚀层；至少部分氧化止蚀层；并且在至少部分氧化止蚀层之上形成介电层。
具有选择性形成金属集成电路结构

[发明专利]用于含铝栅极的无边界接触及其形成方法-CN201310187855.5有效
发明人： S·K·卡纳卡萨巴帕赛;D·V·霍拉克;H·加甘纳特汉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明是用于含铝栅极的无边界接触及其形成方法。运用含铝材料以形成取代栅极电极。在其中嵌入取代栅极电极的平坦化电介质层上方形成接触级电介质材料层。经过接触级电介质层形成至少一个接触过孔空腔。竖直地凹陷取代栅极电极的在至少一个接触过孔空腔的底部物理地暴露的任何部分。氧化取代栅极电极内的含铝材料的物理地暴露的部分以形成电介质铝化合物部分。随后将至少一个有源过孔空腔中的每个有源过孔空腔进一步延伸至下层有源区域，该下层有源区域可以是源极区域或者漏极区域。在至少一个有源过孔空腔中的每个有源过孔空腔内形成的接触过孔结构可以与取代栅极电极通过电介质铝化合物部分电隔离。
用于栅极边界接触及其形成方法

[发明专利]用于超薄绝缘体上半导体器件的电隔离结构及其制作方法-CN201310009648.0有效
发明人： B·S·哈兰;D·V·霍拉克;C·W·科伯格尔三世;S·波诺斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明的一些实施例涉及用于超薄绝缘体上半导体器件的电隔离结构及其制作方法。在形成凸起源极和漏极区域之后，在通过去除绝缘体上半导体(SOI)衬底中的浅沟槽隔离结构和掩埋绝缘体层的下层部分而形成的凹陷区域内沉积保形电介质材料衬垫。随后沉积和平坦化与保形电介质材料衬垫的材料不同的电介质材料以形成平坦化的电介质材料层。相对于保形电介质材料衬垫选择性凹陷平坦化的电介质材料层以形成填充凹陷区域的电介质填充部分。通过各向异性蚀刻来去除保形电介质材料衬垫的水平部分，而保形电介质材料衬垫的剩余部分形成外栅极间隔物。沉积至少一个接触级电介质层。可以在接触通孔内形成与操纵衬底电隔离的接触过孔结构。
用于超薄绝缘体半导体器件隔离结构及其制作方法

[发明专利]具有无边界接触的取代金属栅极-CN201180054728.7有效
发明人： D·V·霍拉克;范淑贞;T·E·斯坦戴特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种在取代金属栅极过程中形成用于晶体管的无边界接触(1001)的方法。该方法包括：在衬底上面形成栅极(102)，并且形成与栅极的侧壁相邻的间隔物(103)；降低间隔物的高度以暴露栅极的侧壁的顶部分；沉积覆盖间隔物和栅极的侧壁的上部分的蚀刻停止层(301)；在间隔物上方的层级并且在侧壁的上部分中制成开口(601)以暴露栅极；并且用新栅极材料(701)取代开口的栅极的材料，由此形成取代栅极。该方法还在包围栅极和间隔物的层级间电介质层中产生通路开口(901)，而通路开口暴露蚀刻停止层；去除蚀刻停止层并且用金属材料填充通路开口以形成无边界接触。
具有边界接触取代金属栅极

[发明专利]具有自对准介电帽的互连结构的结构和制造方法-CN201180022085.8有效
发明人： D·V·霍拉克;野上毅;S·波诺斯;C-C·杨 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2011-03-21 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供具有自对准介电帽的互连结构。在衬底上形成至少一个金属化层级。在所述金属化层级上选择性沉积介电帽。
具有对准介电帽互连结构制造方法

[发明专利]形成自对准局部互连的方法和由此形成的结构-CN201110329923.8无效
发明人： C·W·考伯格三世;D·V·霍拉克;S·波诺斯;杨智超;范淑贞;S·K·卡纳卡萨巴帕西 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种形成自对准局部互连的方法和由此形成的结构。所述方法包括：在一个或更多个半导体器件上沉积导电材料覆盖层；生成覆盖导电材料覆盖层的一部分的局部互连的图案；去除导电材料覆盖层的未被局部互连的图案覆盖的剩余部分；通过导电材料覆盖层的该部分形成局部互连以连接一个或更多个半导体器件。
形成对准局部互连方法由此结构

[发明专利]使用垂直纳米管的非易失性切换和存储器器件-CN200680027127.6无效
发明人：古川俊治;M·C·哈基;S·J·霍姆斯;D·V·霍拉克;C·W·科布格尔三世 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-07-21 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：非易失性和抗辐射切换与存储器器件(225)，所述器件使用垂直纳米管(155)并且通过范德华力可逆地保持状态，以及制造所述器件的方法。用于读出所述器件的状态的装置包括测量电容、和隧穿电流以及场发射电流。
使用垂直纳米非易失性切换存储器器件

[发明专利]微型机电阀和泵及其制造方法-CN200780008935.2有效
发明人：古川俊治;M·C·哈基;S·J·霍姆斯;D·V·霍拉克;C·W·科布格尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-03-14 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： F16K31/02 文献下载
摘要：本发明涉及微型阀(257)和微型泵(400)以及制造微型阀(257)和微型泵(400)的方法。微型阀(257)和微型泵(400)包括由导电纳米纤维制成的导电隔膜(155)。通过在导电隔膜(155)上施加静电力来实现流体经微型阀(257)的流动和微型泵(400)的泵送作用。
微型机电及其制造方法

[发明专利]作为分析具有成角度形貌的衬底的AFM探针的Y－形碳纳米管-CN200680043688.5有效
发明人： C·A·博伊;古川俊治;M·C·哈基;S·J·霍姆斯;D·V·霍拉克;C·W·科布尔格三世 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-23 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： G01N13/16 文献下载
摘要：一种Y－形碳纳米管原子力显微镜探针针头和方法，包括杆部；从该杆部的同一端延伸的一对成角度的臂，其中该杆部和一对成角度的臂包括化学修饰的碳纳米管，并且其中该化学修饰的碳纳米管是利用胺、羧基、氟和金属成分的任一个修饰的。优选地，每对成角度的臂包括至少200nm的长度和10到200nm之间的直径。此外，化学修饰的碳纳米管优选地适应于待探测衬底材料之间的区别。另外，化学修饰的碳纳米管优选地适合于允许氟气体流经化学修饰的碳纳米管到待特征化的衬底上。此外，化学修饰的碳纳米管优选地适合于与待特征化的衬底表面进行化学反应。
作为分析有成角度形貌衬底 afm 探针纳米

[发明专利]使用选择性介质淀积的双极晶体管及其制造方法-CN200810081207.0有效
发明人： B·T·弗格利;D·V·霍拉克;古川俊治 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用选择性介质淀积的双极晶体管结构及其相关的制造方法。使用在半导体衬底上的屏蔽介质层上的离子注入掩模将外部基极区域注入到半导体衬底，在所述注入之后，选择性地淀积垂直间隔物层。所述离子注入掩模的一部分嵌入到所述垂直间隔物层内的孔的侧壁内并对准所述孔的侧壁。在制造所述双极晶体管时，所述垂直间隔物层的所述选择性淀积减小了热预算并降低了工艺复杂度。
使用选择性介质双极晶体管及其制造方法

[发明专利]结构以及集成电路制造方法-CN200810080839.5有效
发明人： C·W·科布格尔三世;古川俊治;D·V·霍拉克;M·C·哈基;J·G·高迪亚罗 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-02-21 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种结构和集成电路制造方法。一种用于同时形成多个线宽的方法，其中所述多个线宽中的一个小于采用常规光刻方法可得到的线宽。所述方法包括提供一种结构，所述结构包括记忆层和在所述记忆层的顶上的侧壁图像转移(SIT)层。然后，构图所述SIT层，产生SIT区域。然后，在所述记忆层的定向蚀刻期间使用所述SIT区域作为阻挡掩模产生第一记忆区域。然后，沿参考方向以缩进距离D缩进所述SIT区域的侧壁，产生SIT部分。所述构图包括光刻方法。所述缩进距离D小于与所述光刻方法有关的临界尺寸CD。所述SIT区域包括沿所述参考方向的第一尺寸W2和第二尺寸W3，其中CD＜W2＜2D＜W3。
结构以及集成电路制造方法

[发明专利]形成光刻和亚光刻尺寸结构的方法-CN200710180602.X无效
发明人： C·W·科布格尔三世;D·V·霍拉克;古川俊治 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-10-09 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种形成光刻和亚光刻尺寸结构的方法。所述方法包括：在基础层的顶表面上形成芯层然后在所述芯层的顶表面上形成掩蔽层；将所述掩蔽层构图为岛的图形；将所述岛的图形转移到所述芯层中以形成芯岛，在所述芯岛之间的间隔中暴露所述基础层的所述顶表面；在所述芯岛的侧壁上形成第一间隔物；去除所述芯岛，在所述第一间隔物之间的间隔中暴露所述基础层的所述顶表面；在所述第一间隔物的侧壁上形成第二间隔物；以及去除所述第一间隔物，在所述第二间隔物之间的间隔中暴露所述基础层的所述顶表面。
形成光刻尺寸结构方法

[发明专利]用于制造半导体器件结构的方法和由此方法形成的器件结构-CN200710005586.0无效
发明人： J·A·曼德尔曼;W·R·通蒂;D·V·霍拉克;E·H·坎农;古川俊治;C·W·科布格尔三世;M·C·哈基;J·K·孔托斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-02-13 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了用于抑制体CMOS器件中的闭锁的半导体方法和器件结构。该方法包括在衬底的半导体材料中形成沟槽，该沟槽具有设置在也在衬底的半导体材料中限定的一对掺杂阱之间的第一侧壁。该方法还包括在沟槽中形成蚀刻掩模以部分掩蔽沟槽的底部，接着除去穿过部分掩蔽的底部暴露的衬底的半导体材料，以限定加深沟槽的变窄的第二侧壁。用介质材料填充加深沟槽以限定在掺杂阱中形成的器件的沟槽隔离区域。填充加深的沟槽延伸的介质材料增强了闭锁抑制。
用于制造半导体器件结构方法由此形成器件

[发明专利]存储器结构及其操作方法-CN200610143832.4有效
发明人： D·V·霍拉克;S·J·霍姆斯;C·W·科布格尔三世;古川俊治;M·C·哈吉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-09 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：结构以及操作该结构的方法。所述结构包括(a)衬底；(b)在所述衬底上的第一电极区和第二电极区；以及(c)在所述第一和第二电极区之间设置的第三电极区。响应于在所述第一和第三电极区之间施加的第一写电压电势，所述第三电极区改变其自身形状，以便响应于随后在所述第一和第三电极区之间施加的预定读电压电势，读出电流在所述第一和第三电极区之间流动。另外，响应于在所述第二和第三电极区之间施加的第二写电压电势，所述第三电极区改变其自身形状，以便响应于在所述第一和第三电极区之间施加的所述预定读电压电势，所述读出电流不在所述第一和第三电极区之间流动。
存储器结构及其操作方法

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