专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]双晶体管竖直存储器单元和屏蔽结构-CN202280016548.8在审
  • K·M·考尔道;刘海涛;K·萨尔帕特瓦里;D·V·N·拉马斯瓦米;A·卡德罗尼;R·E·法肯索尔;D·R·米尔斯 - 美光科技公司
  • 2022-02-24 - 2023-10-13 - H10B12/00
  • 一些实施例包含设备,其中此类设备中的一者包含:第一存储器单元,其包含第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管具有耦合在数据线与导电区之间的第一沟道区以及位于第一数据线与所述导电区之间的第一电荷存储结构,所述第二晶体管具有耦合到所述第一数据线和所述第一电荷存储结构且位于所述第一数据线与所述第一电荷存储结构之间的第二沟道区;第二存储器单元,其包含第三晶体管和第四晶体管,所述第三晶体管具有耦合在第二数据线与所述导电区之间的第三沟道区以及位于所述第二数据线与所述导电区之间的第二电荷存储结构,所述第四晶体管具有耦合到所述第二数据线和所述第二电荷存储结构且位于所述第二数据线与所述第二电荷存储结构之间的第四沟道区;导电线,其形成所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管中的每一者的栅极;以及导电结构,其位于所述第一电荷存储结构与所述第二电荷存储结构之间且与所述导电区电分离。
  • 双晶竖直存储器单元屏蔽结构
  • [发明专利]存储器装置内的推测性区段选择-CN202080050709.6在审
  • R·E·法肯索尔;J·亚瓦尼法尔德;D·R·米尔斯 - 美光科技公司
  • 2020-05-12 - 2022-03-01 - G06F3/06
  • 描述了用于推测性存储器区段选择的方法、系统和装置。一个存储器区段中的有缺陷存储器组件可使用另一存储器区段中的修复组件来修复。可启用存储器区段的推测性选择,由此当接收到指示一个存储器区段中的地址的存储器命令时可选择多个存储器区段中的存取线。在选择所述多个存储器区段中的所述存取线的同时,执行另一存储器区段中的修复组件是否待存取的确定。基于所述确定,可维持所述存储器区段中的一个中的所述存取线,且可将其它存储器区段中的所述存取线取消选择。
  • 存储器装置推测区段选择
  • [发明专利]存储器单元感测应力缓解-CN202110980461.X在审
  • D·维梅尔卡蒂;D·R·米尔斯;R·E·法肯索尔;服部寧子 - 美光科技公司
  • 2021-08-25 - 2022-03-01 - G11C11/22
  • 本申请案针对存储器单元感测应力缓解。存储器装置可经配置以在存取操作期间将存储器单元加偏压到具有第一极性或第二极性的电压(例如,正电压或负电压)以均衡在所述存取操作期间所述存储器单元所经历的损耗。例如,在第一读取操作期间,可将具有所述第一极性的第一脉冲(例如,负电压)施加到所述存储器单元以读出存储在所述存储器单元处的第一逻辑状态。在第二读取操作期间,可将具有所述第二极性的第二脉冲(例如,正电压)施加到所述存储器单元以读出存储在所述存储器单元处的第二逻辑状态。所述存储器装置可包含用于在用于不同读取操作的所述不同脉冲之间进行选择的选择组件。
  • 存储器单元应力缓解
  • [发明专利]用于冗余的高效电力方案-CN202010473217.X在审
  • R·E·法肯索尔;D·R·米尔斯 - 美光科技公司
  • 2020-05-29 - 2020-12-22 - G11C5/14
  • 本申请案涉及用于冗余的高效电力方案。一种存储器装置可包含电路系统,其存储与一或多个有缺陷或不可靠的存储器组件相关的存储器地址信息,并且将存储器地址信息与作为存储器存取操作的目标的存储器地址进行比较。所述存储器装置可基于所述电路系统内的一或多个电路是否存储存储器地址信息来选择性地将目标存储器地址分配到那些电路。额外地或可替代地,所述存储器装置可基于所述电路系统内的一或多个电路是否存储存储器地址信息来选择性地为那些电路供电。
  • 用于冗余高效电力方案
  • [发明专利]按需存储器页大小-CN201880059390.6在审
  • D·R·米尔斯;R·E·法肯索尔 - 美光科技公司
  • 2018-08-21 - 2020-05-01 - G06F13/16
  • 描述了涉及按需存储器页大小的系统、装置和方法。存储器系统可采用支持按需可变存储器页大小的协议。存储器系统可包含一或多个非易失性存储器装置,所述非易失性存储器装置可各自包含经配置以支持可变存储器页大小操作的本地存储器控制器。所述存储器系统可包含介接在所述非易失性存储器装置与处理器之间的系统存储器控制器。举例来说,所述系统存储器控制器可使用有助于按需存储器页大小的协议,其中在操作中使用的特定页大小的确定可基于存储器命令以及所述存储器命令中所涉及的数据的特性。
  • 存储器大小
  • [发明专利]线性菲涅尔太阳能阵列及其部件-CN201210298846.9无效
  • D·R·米尔斯;P·施拉麦克;D·B·德格拉夫;P·L·约翰逊;A·霍尔曼;L·R·约翰逊 - 阿海珐太阳能公司
  • 2008-08-27 - 2013-04-24 - F24J2/10
  • 本发明涉及太阳能收集器系统(201)、用于太阳能收集器系统(201)的部件和用于安装太阳能收集器系统(201)的方法。用于太阳能收集器系统的部件包括但不限于太阳辐射吸收器(205)、接收器、驱动装置、驱动系统、反射器(211a)以及各种支承结构。太阳能收集系统(201)、太阳辐射吸收器、接收器(205)、驱动装置、驱动系统、反射器、支承结构和/或方法例如可用于LFR太阳能阵列中。在此描述了改进的太阳辐射吸收器、接收器和相关方法。在此描述了可提供改善的旋转定位、移动和/或旋转位置感测的驱动装置和驱动系统。例如,提供了允许通过变频驱动装置操作的驱动装置和驱动系统。在此所述的部件和方法可在太阳能收集器系统(201)中以任何结合一起使用,或它们可在不同的太阳能收集器系统(201)中单独使用。
  • 线性菲涅尔太阳能阵列及其部件
  • [发明专利]组合循环电力设备-CN200880102142.1无效
  • D·R·米尔斯 - 奥斯拉公司
  • 2008-06-06 - 2011-03-09 - F01K23/04
  • 本发明公开了组合循环电力设备和相关方法。在所述设备中,居间热能存储单元用于存储从使用组合循环电力设备的热力学顶循环的热机回收的废弃或剩余热能,从而所存储的剩余热能可以用作该电力设备的热力学底循环中的能源。在这里描述的组合循环电力设备中,使用顶循环的热机可以包括Brayton循环热机,并且使用热力学底循环的热机可以为Rankine循环热机。
  • 组合循环电力设备
  • [发明专利]线性菲涅尔太阳能阵列及其部件-CN200880112767.6有效
  • D·R·米尔斯;P·施拉麦克;D·B·德格拉夫;P·L·约翰逊;A·霍尔曼;L·R·约翰逊 - 奥斯拉公司
  • 2008-08-27 - 2010-09-15 - F24J2/10
  • 本发明涉及太阳能收集器系统(201)、用于太阳能收集器系统(201)的部件和用于安装太阳能收集器系统(201)的方法。用于太阳能收集器系统的部件包括但不限于太阳辐射吸收器(205)、接收器、驱动装置、驱动系统、反射器(211a)以及各种支承结构。太阳能收集系统(201)、太阳辐射吸收器、接收器(205)、驱动装置、驱动系统、反射器、支承结构和/或方法例如可用于LFR太阳能阵列中。在此描述了改进的太阳辐射吸收器、接收器和相关方法。在此描述了可提供改善的旋转定位、移动和/或旋转位置感测的驱动装置和驱动系统。例如,提供了允许通过变频驱动装置操作的驱动装置和驱动系统。在此所述的部件和方法可在太阳能收集器系统(201)中以任何结合一起使用,或它们可在不同的太阳能收集器系统(201)中单独使用。
  • 线性菲涅尔太阳能阵列及其部件
  • [发明专利]基于快速存储器的主存储器-CN02160515.7无效
  • D·R·米尔斯;B·L·迪佩特;S·森班丹;B·麦科米克;R·D·帕什利 - 英特尔公司
  • 1995-06-01 - 2003-07-16 - G06F12/08
  • 描述了可被切换至4种不同的读出方式的快速存储器芯片(320)。还描述了利用了这些方式的计算机系统(100、200、300、800、1300、1500)和体系。在第一种读出方式即异步快速方式中,快速存储器(130)被作为标准快速存储器读出。在第二种方式即同步快速方式中,向快速存储器芯片(320)提供时钟信号和每时钟信号一个地址地指定属于一数据串的一系列地址。在第三种方式即异步DRAM(动态随机存取存储器)方式中,快速存储器(130)模拟DRAM。在第四种读出方式即同步DRAM方式中,组合第二和第三种方式的特点,得到模拟同步DRAM的快速存储器。
  • 基于快速存储器主存储器
  • [发明专利]基于快速存储器的主存储器-CN95193421.X无效
  • D·R·米尔斯;B·L·迪佩特;S·森班丹;B·麦科米克;R·D·帕什利 - 英特尔公司
  • 1995-06-01 - 2003-03-05 - G06F12/08
  • 描述了可被切换至4种不同的读出方式的快速存储器芯片(320)。还描述了利用了这些方式的计算机系统(100、200、300、800、1300、1500)和体系。在第一种读出方式即异步快速方式中,快速存储器(130)被作为标准快速存储器读出。在第二种方式即同步快速方式中,向快速存储器芯片(320)提供时钟信号和每时钟信号一个地址地指定属于一数据串的一系列地址。在第三种方式即异步DRAM(动态随机存取存储器)方式中,快速存储器(130)模拟DRAM。在第四种读出方式即同步DRAM方式中,组合第二和第三种方式的特点,得到模拟同步DRAM的快速存储器。
  • 基于快速存储器主存储器

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