“D·M·金策”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]功率晶体管控制信号门控-CN201910656496.0有效
发明人： S·夏尔马;T·普尔巴里奇;V·希诺瓦;D·M·金策 -专利权人：纳维达斯半导体有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本公开涉及功率晶体管控制信号门控。公开了一种半桥电路。所述电路包含根据一或多个控制信号选择性地导电的低侧电源开关和高侧电源开关。所述电路还包含经配置以控制所述低侧电源开关的导电状态的低侧电源开关驱动器和经配置以控制所述高侧电源开关的导电状态的高侧电源开关驱动器。所述电路还包含：控制器，其经配置以产生所述一或多个控制信号；高侧回转检测电路，其经配置以在所述开关节点处的电压增大时防止所述高侧电源开关驱动器致使所述高侧电源开关导电；以及低侧回转检测电路，其经配置以在所述开关节点处的电压减小时防止所述低侧电源开关驱动器致使所述低侧电源开关导电。
功率晶体管控制信号门控

[发明专利]氮化镓晶体管结构-CN201910329100.1有效
发明人： M·J·哈姆丹;朴毕圣;S·夏尔马;D·M·金策 -专利权人：纳维达斯半导体有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请涉及一种氮化镓晶体管结构。一种氮化镓晶体管包含衬底，在所述衬底上限定源极区、漏极区、漂移区和栅极区。所述漂移区在所述源极区和所述漏极区之间延伸。所述栅极区包含增强型装置和耗尽型装置的组合，所述增强型装置和耗尽型装置跨越所述漂移区定位且一起使用以用相对低的阈值电压(Vth)控制所述漂移区中的电荷密度和电子迁移率。使用安置于所述衬底上且耦合到栅极电极的P型层形成增强型装置。
氮化晶体管结构

[发明专利]具有改进的终止结构的氮化镓晶体管-CN201910328305.8有效
发明人： D·M·金策;M·J·哈姆丹 -专利权人：纳维达斯半导体有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请案涉及一种具有改进的终止结构的氮化镓晶体管。一种氮化镓晶体管包含定位于栅极与漏极之间的一或多个P型空穴注入结构。所述P型空穴注入结构经配置以在晶体管沟道中注入空穴以与捕获到的载流子(例如，电子)组合，因此沟道的电导率较不易受施加到所述晶体管的先前电压电位影响。
具有改进终止结构氮化晶体管

[发明专利]具有集成电容电平转换器电路的单片高侧氮化镓器件-CN202211357900.2在审
发明人：马可·詹代利亚;S·夏尔马;李正熙;D·M·金策 -专利权人：纳维达斯半导体有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H02M3/135 文献下载
摘要：使用电容器进行电平转换的单片高侧基于GaN的电路。在一方面，功率转换器包括：基于GaN的管芯；开关，其形成在基于GaN的管芯上并具有栅极端子，其中该开关被设置成根据施加到栅极端子的驱动信号而选择性地导通；缓冲电路，其形成在基于GaN的管芯上并被设置成接收输入信号并在第一输出端子和第二输出端子处产生相应的差分输出信号；以及电压电平转换器，其形成在基于GaN的管芯上，并且具有经由第一电容器耦合到第一输出端子的第一输入端子，并且具有经由第二电容器耦合到第二输出端子的第二输入端子，其中第一和第二电容器形成在基于GaN的管芯上，并且电压电平转换器被设置成产生驱动信号。
具有集成电容电平转换器电路单片氮化器件

[发明专利]利用一或多个基于GaN的半导体装置的功率转换电路-CN202110691323.X有效
发明人： S·夏尔马;D·M·金策;J·张 -专利权人：纳维达斯半导体有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明涉及利用一或多个基于GaN的半导体装置的功率转换电路。本发明揭示一种半桥式GaN电路。所述电路包含低侧功率开关、高侧功率开关以及高侧功率开关控制器，所述高侧功率开关控制器经配置以基于一或多个输入信号控制所述高侧功率开关的传导性。所述高侧功率开关控制器包含经配置以同时接收第一和第二信号的接收器输入复位电路，其中所述第一信号对应于所述高侧功率开关被接通，其中所述第一信号对应于所述高侧功率开关控制器接通所述高侧功率开关，其中所述第二信号对应于所述高侧功率开关控制器断开所述高侧功率开关，且其中所述接收器输入复位电路进一步经配置以响应于所述第一和第二信号而防止所述高侧功率开关变成不传导。
利用基于 gan 半导体装置功率转换电路

[发明专利]具有能量收集栅极驱动器的集成功率器件-CN202210761985.4在审
发明人： M·詹代利亚;J·张;贾宏伟;D·M·金策 -专利权人：纳维达斯半导体有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本公开涉及具有能量收集栅极驱动器的集成功率器件。公开了一种电子电路。所述电子电路包括：晶体管，所述晶体管具有栅极端子、源极端子和漏极端子；和栅极驱动器电路，所述栅极驱动器电路包括：下拉晶体管，所述下拉晶体管耦合到所述栅极端子；和输入端子，所述输入端子被布置为接收输入信号，并且在耦合到所述栅极端子的输出端子处产生对应的输出信号；其中所述栅极驱动器电路被布置为存储从所述输入信号收集的能量，并且使用所存储的能量来改变所述下拉晶体管的导电状态。在一个方面，所述晶体管包含氮化镓(GaN)。在另一方面，所述下拉晶体管包含GaN。
具有能量收集栅极驱动器集成功率器件

[发明专利]用于硅上GaN晶片的单粒化的系统和方法-CN202210827551.X在审
发明人：乔治·朱;N·费希滕鲍姆;K-L·邱;D·M·金策;M·哈姆丹;朴毕圣 -专利权人：纳维达斯半导体有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本公开涉及用于硅上GaN晶片的单粒化的系统和方法。公开了用于单粒化Si上GaN晶片的结构和相关技术。在一个方面中，一种半导体晶片包含硅层，以及安置在所述硅层上且限定各自延伸到所述硅层的多个沟槽的氮化镓(GaN)层。在另一方面中，所述GaN层包含具有不同组合物的一个或多个氮化镓层。在又一方面中，所述晶片包含安置在所述GaN层上的多个电介质层。在又一方面中，所述多个沟槽中的每一个具有等于所述GaN层的厚度和所述多个所述电介质层的厚度的总和的深度。
用于 gan 晶片单粒化系统方法

[发明专利]用于GAN高电压晶体管的场板结构-CN202210639872.7在审
发明人：朴毕圣;D·M·金策 -专利权人：纳维达斯半导体有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：公开用于氮化镓(GaN)高电压晶体管的场板结构。在一个方面中，一种晶体管包含GaN衬底、形成于所述GaN衬底上的源极区、形成于所述GaN衬底上且与所述源极区分离的漏极区、形成于所述源极区和所述漏极区之间的栅极区、形成于所述GaN衬底上且定位于所述栅极区和所述漏极区之间的基座，以及电联接到所述源极区的场板，其中所述场板从定位于所述源极区和所述基座之间的近侧区朝向所述漏极区延伸，其中所述场板的至少一部分与所述基座的至少一部分重叠。
用于 gan 电压晶体管板结

[发明专利]电容耦合式电平移位器-CN202110219334.8有效
发明人： S·夏尔马;M·詹代利亚;D·M·金策;T·普尔巴里奇 -专利权人：纳维达斯半导体有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本申请涉及一种电容耦合式电平移位器。公开了一种半桥式GaN电路。所述电路包含：低侧电源开关，其经配置以根据一或多个输入信号而选择性地导电；高侧电源开关，其经配置以根据所述一或多个输入信号而选择性地导电；和高侧电源开关控制器，其经配置以基于所述一或多个输入信号而控制所述高侧电源开关的导电性。所述高侧电源开关控制器包含电容器和逻辑电路，其中所述电容器经配置以将基于所述输入信号的信号电容性耦合到所述逻辑电路，且所述逻辑电路经配置以基于所述电容耦合式信号而控制所述高侧电源开关的导电性。
电容耦合电平移位

[发明专利]用于GaN功率集成电路的热增强电子封装-CN202110286323.1在审
发明人： D·M·金策;J·张;T·普尔巴里奇 -专利权人：纳维达斯半导体有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本公开涉及用于GaN功率集成电路的热增强电子封装。一种电子功率转换组件包含导电封装基底，所述导电封装基底包括源极端子、漏极端子、至少一个I/O端子及裸片附接衬垫，其中所述源极端子与所述裸片附接衬垫电隔离。GaN基半导体裸片紧固到所述裸片附接衬垫，且包含具有源极及漏极的功率晶体管，其中所述源极电耦合到所述源极端子，且所述漏极电耦合到所述漏极端子。多个焊线将所述源极电耦合到所述源极端子，且将所述漏极电耦合到所述漏极端子。囊封物形成于所述GaN基半导体裸片、所述多个焊线及所述封装基底的至少顶表面上。
用于 gan 功率集成电路增强电子封装

[发明专利]利用一或多个基于GaN的半导体装置的功率转换电路-CN201910130173.8有效
发明人： S·夏尔马;D·M·金策;J·张 -专利权人：纳维达斯半导体有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明涉及利用一或多个基于GaN的半导体装置的功率转换电路。本发明揭示一种半桥式GaN电路。所述电路包含低侧功率开关、高侧功率开关以及高侧功率开关控制器，所述高侧功率开关控制器经配置以基于一或多个输入信号控制所述高侧功率开关的传导性。所述高侧功率开关控制器包含经配置以同时接收第一和第二信号的接收器输入复位电路，其中所述第一信号对应于所述高侧功率开关被接通，其中所述第一信号对应于所述高侧功率开关控制器接通所述高侧功率开关，其中所述第二信号对应于所述高侧功率开关控制器断开所述高侧功率开关，且其中所述接收器输入复位电路进一步经配置以响应于所述第一和第二信号而防止所述高侧功率开关变成不传导。
利用基于 gan 半导体装置功率转换电路

[发明专利]GaN半桥电路和GaN自举电源电压发生器电路-CN202010267078.5在审
发明人： S·夏尔马;D·M·金策 -专利权人：纳维达斯半导体公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：公开了GaN半桥电路和GaN自举电源电压发生器电路。该电路包括配置为供应第一电源电压的自举电源电压发生器，并且包括开关节点。该电路还包括自举晶体管、自举晶体管驱动电路以及与开关节点和自举晶体管连接的自举电容器。自举电容器被配置为在开关节点处的电压等于第二开关节点电压时供应第一电源电压，自举晶体管被配置为在开关节点处的电压等于第一开关节点电压时将自举电容器与处于第二电源电压的电源节点电连接，并且自举电源电压发生器不包括与自举晶体管的漏极和源极并联的独立二极管。
gan 电路电源电压发生器

[发明专利]基于零电流检测的谐振转换器控制-CN201911115077.2在审
发明人： T·普尔巴里奇;D·M·金策 -专利权人：纳维达斯半导体公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本申请案是针对基于零电流检测的谐振转换器控制。揭示一种GaN谐振电路。所述GaN谐振电路包含功率开关，所述功率开关经配置以根据一或多个栅极信号选择性地传导，且经配置以产生指示流过所述功率开关的电流的值的开关信号。所述GaN谐振电路还包含经配置以响应于一或多个控制信号而产生所述栅极信号的功率开关驱动器，其中所述功率开关驱动器经配置以响应于所述开关信号指示流过所述功率开关的电流的值已转变越过阈值而使所述功率开关变为不传导。
基于电流检测谐振转换器控制

[发明专利]电容耦合式电平移位器-CN201811351280.5在审
发明人： S·夏尔马;M·詹代利亚;D·M·金策;T·普尔巴里奇 -专利权人：纳维达斯半导体公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本申请涉及一种电容耦合式电平移位器。公开了一种半桥式GaN电路。所述电路包含：低侧电源开关，其经配置以根据一或多个输入信号而选择性地导电；高侧电源开关，其经配置以根据所述一或多个输入信号而选择性地导电；和高侧电源开关控制器，其经配置以基于所述一或多个输入信号而控制所述高侧电源开关的导电性。所述高侧电源开关控制器包含电容器和逻辑电路，其中所述电容器经配置以将基于所述输入信号的信号电容性耦合到所述逻辑电路，且所述逻辑电路经配置以基于所述电容耦合式信号而控制所述高侧电源开关的导电性。
高侧电源开关电容耦合式配置电容器电源开关控制器导电性电平移位器导电电路信号电容半桥式耦合到低侧申请

[发明专利]Ⅲ－氮化物双向开关-CN200580012305.3有效
发明人： D·M·金策;R·比奇 -专利权人：国际整流器公司
申请日： 2005-02-14 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含AlGaN/GaN界面的III－氮化物双向开关，其获得高载流沟道。所述双向开关以至少一个栅工作，所述栅防止或允许建立二维电子气以为双向开关形成载流沟道。
氮化物双向开关

1
2
下一页»
尾页
共 16 条