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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]对嵌入管芯封装使用ABF GC腔的翘曲控制-CN201810833539.3有效
发明人： D·A·劳瑞恩;I·E·Y·陈;D·N·索别斯基 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请公开了对嵌入管芯封装使用ABF GC腔的翘曲控制。诸实施例包括半导体器件封装和形成这类封装的方法。在一个实施例中，封装可包括管芯侧增强层，该管芯侧增强层具有贯通管芯侧增强层形成的腔。具有第一侧和包括器件侧的相对第二侧的管芯可被定位在腔内，且管芯的第一侧与管芯侧增强层的第一侧基本共面。在一个实施例中，构建结构可耦合至管芯的第二侧。诸实施例包括构建结构，其包括由图案化的导电材料和绝缘材料构成的多个交替层。
嵌入管芯封装使用 abf gc 控制

[发明专利]对嵌入管芯封装使用ABF GC腔的翘曲控制-CN201510511986.3有效
发明人： D·A·劳瑞恩;I·E·Y·陈;D·N·索别斯基 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：诸实施例包括半导体器件封装和形成这类封装的方法。在一个实施例中，封装可包括管芯侧增强层，该管芯侧增强层具有贯通管芯侧增强层形成的腔。具有第一侧和包括器件侧的相对第二侧的管芯可被定位在腔内，且管芯的第一侧与管芯侧增强层的第一侧基本共面。在一个实施例中，构建结构可耦合至管芯的第二侧。诸实施例包括构建结构，其包括由图案化的导电材料和绝缘材料构成的多个交替层。
嵌入管芯封装使用 abf gc 控制

[发明专利]增加BBUL封装中的I/O密度和降低层数的方法-CN201410534287.6在审
发明人： D·A·劳瑞恩;S·阿格拉哈拉姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请公开了增加BBUL封装中的I/O密度和降低层数的方法。一种器件，包含管芯，管芯包含器件侧上的介电材料、围绕管芯区域并嵌入管芯厚度尺寸的绝缘层；以及载体，载体包含设置在管芯器件侧上的多个导电材料层，第一个导电材料层形成在绝缘层上并图案化成迹线，所述迹线的至少部分连接至管芯上的相应接触点。一种方法，包含在牺牲衬底上设置管芯，管芯的器件侧与牺牲衬底相反；在牺牲衬底周围设置模具；将绝缘材料引入模具槽部；去除模具；在邻近管芯器件侧的绝缘材料上形成载体；以及从牺牲衬底分离管芯和载体。
增加 bbul 封装中的密度降低层数方法

[发明专利]具有嵌入在封装中的硅通孔（TSV）管芯的多芯片集成-CN201410199136.X在审
发明人： D·A·劳瑞恩;李永刚;R·N·马内帕利;J·索托冈萨雷斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有多个管芯的三维(3D)集成的集成电路(IC)封装组件，以及对应的制造方法和包含这种3D IC封装组件的系统。可在诸如微处理器管芯的第一管芯上形成无凸块建立层(BBUL)封装衬底。激光辐射可用于在管芯背面薄膜中形成开口以暴露第一管芯的背侧上的TSV焊盘。诸如存储器管芯堆叠的第二管芯可通过在对应的第一和第二管芯的TSV之间形成的管芯互连耦合至第一管芯。可施加底部填充材料以填充第一和第二管芯之间的任何剩余间隙中的一些或所有，和/或可密封剂施加于第二管芯和/或封装衬底上。可描述和/或要求保护其它的实施例。
具有嵌入封装中的硅通孔 tsv 管芯芯片集成

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