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[发明专利]半导体光学检测器结构-CN201080025506.8无效
发明人： J·德·索扎;H·豪威尔;D·因斯;金志焕;D·萨达纳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：公开了一种具有衬底的半导体，所述衬底掺杂有衬底掺杂。在所述衬底的前侧有晶体半导体层。该晶体半导体层具有层掺杂。所述衬底掺杂在100埃的过渡区内变化到所述层掺杂。在另选实施方式中，层掺杂具有新颖的分布。在其它另选实施方式中，衬底具有位于该衬底的前侧和后侧每一个上的晶体半导体层。所述晶体半导体层中的每一个都具有各自的层掺杂，而且这些层掺杂中的每一个都在各自小于100埃厚的过渡区内变化到衬底掺杂。在本发明的还有其它实施方式中，非晶硅层位于晶体半导体层的与衬底相对的一侧上。该非晶硅层具有非晶掺杂，使得在掺杂晶体半导体层与非晶层之间形成隧道结。在低于700摄氏度下制造这些结构使得结构可以有窄的过渡区。
半导体光学检测器结构

[发明专利]使用掺杂硼的SiGe层的层转移-CN201180008430.2有效
发明人： S·贝德尔;金志焕;D·因斯;D·萨达纳;K·弗吉尔;J·维奇康蒂 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2011-02-01 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的方法，包括：在体硅衬底上形成掺杂硼的SiGe层；在掺杂硼的SiGe层之上形成上硅(Si)层；氢化掺杂硼的SiGe层；将上Si层键合至备选衬底；并且在掺杂硼的SiGe层与体硅衬底之间的界面传播裂痕。一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的系统包括：体硅衬底；掺杂硼的SiGe层，形成于体硅衬底上，从而掺杂硼的SiGe层位于上硅(Si)层下面，其中掺杂硼的SiGe层被配置成在掺杂硼的SiGe层的氢化之后在掺杂硼的SiGe层与体硅衬底之间的界面处传播裂痕；以及备选衬底，键合到上Si层。
使用掺杂 sige 转移

[发明专利]聚合物中的新功能添加剂-CN200480044488.2无效
发明人： N·J·K·丹弗斯;B·王;D·因斯;T·卡斯特兰;A·L·马斯特斯;R·N·罗松 -专利权人：高级矿物公司
申请日： 2004-09-28 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： C08K3/34 文献下载
摘要：提供了包含微粒化硅藻土填料产品的聚合物中的新功能添加剂、该聚合物中的新功能添加剂的制备方法，以及它们的使用方法。该聚合物中的新功能添加剂具有例如小中值粒度(例如小于10μm)和小上限粒度(例如小于20μm)，和高蓝光亮度(例如高于84)。该聚合物中的新功能添加剂可用于各种应用，例如聚合物中的增强填料和塑料膜中的防粘连填料。
聚合物中的新功能添加剂