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- [发明专利]图案形成方法-CN202011498811.0在审
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C-B·徐;刘聪;J·F·卡梅伦;林载峰;侯希森;沈载桓
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罗门哈斯电子材料有限责任公司;罗门哈斯电子材料韩国有限公司
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2020-12-17
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2021-07-16
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G03F7/115
- 图案形成方法包括：(a)在基底上形成底层，其中所述底层的厚度为5微米或更大；(b)在所述底层上形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由光致抗蚀剂组合物形成，所述光致抗蚀剂组合物包含含硅聚合物、光酸产生剂和溶剂，其中所述含硅聚合物包含作为聚合单元的式(I)的单体：其中：R1独立地选自H、F、OH、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C1‑C6羟基‑卤代烷基、C1‑C6烷氧基、或C1‑C6卤代烷氧基；R2独立地选自H或F；R3独立地选自H、F、CH3、CF3、CHF2、或CH2F；R4包括酸可裂解基团；并且m是0至2的整数；(c)将所述光致抗蚀剂层以图案方式暴露于活化辐射；(d)使暴露的光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案；以及(f)使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模将所述光致抗蚀剂图案的图案转印到所述底层中。本发明特别适用于形成在半导体器件的形成中使用的三维图案如阶梯图案。
- 图案形成方法
- [发明专利]填隙方法-CN201510387194.X有效
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J·H·沈;J-B·廉;J·K·赵;B-K·顾;C-B·徐
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罗门哈斯电子材料有限责任公司;罗门哈斯电子材料韩国有限公司
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2015-07-03
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2020-11-10
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G03F7/00
- 本发明提供填隙方法。所述方法包括：(a)提供半导体衬底，在所述衬底的表面上具有凸纹图像，所述凸纹图像包括多个有待填充的间隙，其中所述间隙的宽度是50nm或低于50nm；(b)在所述凸纹图像上施加填隙组合物，其中所述填隙组合物包含：含可交联基团的第一聚合物、含发色团的第二聚合物，其中所述第一聚合物与所述第二聚合物不同；交联剂；酸催化剂；及溶剂，其中所述填隙组合物是安置于所述间隙中；(c)在一定温度下加热所述填隙组合物以使所述第一聚合物自交联和/或与所述第二聚合物交联以形成交联聚合物；(d)在包含所述交联聚合物填充的间隙的所述衬底上形成光致抗蚀剂层；(e)将所述光致抗蚀剂层逐图案曝露于活化辐射；以及(f)使所述光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案。所述方法特别适用于在半导体装置的制造中用抗反射涂层材料填充高纵横比间隙。
- 填隙方法
- [发明专利]光致酸生成剂、光刻胶、以及形成电子器件的方法-CN201410577026.2有效
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E·阿恰达;I·考尔;刘骢;李明琦;C-B·徐
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罗门哈斯电子材料有限公司
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2014-10-24
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2019-08-13
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G03F7/004
- 一种具有通式(1)的光致酸生成剂化合物：其中a,b,c,d,e,x,L1,L2,L3,L4,R1,R2,X和Z‑如文中所定义。所述光致酸生成剂化合物在通常用于配制光刻胶组合物的溶剂和负性色调显影剂中具有良好的溶解性。本文还描述了一种包括光致酸生成剂化合物的光刻胶组合物，包括所述光刻胶组合物的经涂覆的基材，以及使用该光刻胶组合物形成器件的方法。
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- 光致酸生成光刻基材以及形成电子器件方法
- [发明专利]光刻胶图案修剪方法-CN201310757477.X有效
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G·珀勒斯;C-B·徐;K·劳维尔
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罗门哈斯电子材料有限公司
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2013-12-31
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2019-04-16
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G03F7/00
- 光刻胶图案修剪方法。提供修剪光刻胶图案的方法。该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底上形成光刻胶图案，其中由化学放大光刻胶组合物来形成光刻胶图案，该化学放大光刻胶组合物包括含有酸不稳定性基团的母体聚合物；光生酸剂和溶剂；(c)将光刻胶修剪组合物涂覆到衬底上的光刻胶图案之上，其中，该修剪组合物包括：母体聚合物，不含氟的芳香酸；以及溶剂；(d)加热涂覆后的衬底，从而改变光刻胶图案表面区域中的光刻胶母体聚合物的极性；以及(e)使光刻胶图案接触清洗剂，除去光刻胶图案的表面区域，从而形成经修剪的光刻胶图案。该方法特别适用于半导体装置的制造中。
- 光刻图案修剪方法
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