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[发明专利]集成的二极管DAS探测器-CN201480019621.2有效
发明人： N.K.劳;J.W.罗斯;C.D.昂格尔;A.伊赫列夫;J.D.肖尔特 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：改进的成像系统被公开。更确切地，本公开提供了用于成像系统的改进的图像传感器组装件，所述图像传感器组装件具有集成光电探测器阵列，及在相同衬底上制作的它的关联的数据采集电子器件。通过与光电探测器阵列在相同衬底上集成电子器件，这从而减少了制作成本，和减少了互连复杂度。因为光电二极管触点和关联的电子器件在相同衬底/平面上，这从而大体上除去了某些昂贵的/耗时的处理技术。此外，邻近或接近于光电探测器阵列的电子器件的共处提供精细得多的分辨率的探测器组装件，因为电子器件和光电探测阵列间的互连瓶颈被大体上除去/减少。邻近或接近于光电探测器阵列的电子器件的共处还能够实现/帮助可编程像素配置，以用于最佳的图像质量。
集成二极管 das 探测器

[发明专利]低电容光电二极管元件和计算机断层造影检测器-CN201510553548.3有效
发明人： A.伊赫列夫;李文;J.A.考策尔 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2010-05-04 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：一种光电二极管元件(20)包括第一扩散类型的第一层以及第二层。第二层定义电荷收集区域(29)。电荷收集区域(29)包括第二扩散类型的活性区(32)以及无活性区(33)。活性区(32)围绕无活性区(33)。光电二极管元件(20)还包括第一层与第二层之间的本征半导体层。
电容光电二极管元件计算机断层造影检测器

[发明专利]粗略分段的检测器架构及其制造方法-CN201210431799.0无效
发明人： A.伊赫列夫;J.A.考策尔 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： A61B6/03 文献下载
摘要：本发明粗略分段的检测器架构及其制造方法，一种CT系统，包括具有用于接纳要扫描的对象的开口的可旋转门架、该可旋转门架具有检测器安装表面，附接到门架且配置成向对象投影X射线束的X射线源，各安装在一个视场(FOV)内以及直接安装到可旋转门架的检测器安装表面的多个检测器模块，配置成从多个检测器模块的至少其中之一接收输出的数据采集系统(DAS)，以及编程为从DAS获取对象的成像数据的投影并使用成像数据生成对象的图像的计算机。
粗略分段检测器架构及其制造方法

[发明专利]准直器及其制造方法及专用于制造该准直器的模具组合-CN201110249237.X无效
发明人：吴召平;张明龙;陶鲲;江浩川;孙云峰;吴小叶;A.伊赫列夫 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： A61B6/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种准直器及其制造方法及专用于制造该准直器的模具组合，该准直器包括相对设置的第一表面及第二表面，及设置于该第一表面与第二表面之间的若干直通道。该若干直通道在该第一表面形成出射孔及在该第二表面形成入射孔。每相邻两个出射孔之间的距离均相等，每相邻两个出射孔之间的距离均相等，且每两个相邻入射孔之间的距离小于每两个相邻出射孔之间的距离。本发明还涉及该准直器的制造方法及专用于制造该准直器的模具组合。
准直器及其制造方法专用模具组合