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[发明专利]再生电极-CN201910872152.3有效
发明人：铃木崇之 -专利权人： A·SAT株式会社
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种可以高精度地测量等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法以及具有高精度气体导入孔的电极。本发明的等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法，用于测量沿厚度方向贯穿等离子体蚀刻装置用电极中的基材而设置的气体导入孔，包括：使光从基材的一面侧朝向气体导入孔进行照射；获得通过气体导入孔而透过基材的另一面侧的光的二维图像；以及基于二维图像，测量气体导入孔的直径、内壁面的粗糙度和垂直程度中的至少一个。
再生电极

[发明专利]测量方法、电极、再生方法、等离子体蚀刻装置和显示方法-CN201580032059.1有效
发明人：铃木崇之 -专利权人： A·SAT株式会社
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种可以高精度地测量等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法以及具有高精度气体导入孔的电极。本发明的等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法，用于测量沿厚度方向贯穿等离子体蚀刻装置用电极中的基材而设置的气体导入孔，包括：使光从基材的一面侧朝向气体导入孔进行照射；获得通过气体导入孔而透过基材的另一面侧的光的二维图像；以及基于二维图像，测量气体导入孔的直径、内壁面的粗糙度和垂直程度中的至少一个。
等离子体蚀刻装置用电设置气体导入测量方法电极再生方法状态分布图及其显示