“A·韦伯”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果157个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]同步或异步定时的处理单元的同步方法和电路装置-CN03821646.9无效
发明人： P·佩勒斯卡;D·施纳贝尔;A·韦伯 -专利权人：西门子公司
申请日： 2003-08-01 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： G06F11/16 文献下载
摘要：为冗余系统设立多倍同样构造的、以Lockstep工作方式的处理器板。实现Lockstep系统的基本前提是，所有包含在板子中的组件、也即CPU、芯片组、主存储器等具有决定性的特性。在此，决定性的特性意味着，当这些组件在相同的时间收到相同的激励时，它们在故障状态下将在相同的时间点提供相同的结果。另外，决定性的特性以采用时钟同步的接口为前提。在系统中，异步接口在许多情况下将导致某种时间不准确性，由此不能保持系统的时钟同步的总特性。但为了能执行Lockstep工作，本发明规定了一种不同于已知软件解决方案的、用硬件实现的同步相同或不同的冗余处理单元（PRO₀，PRO₁）的方法，所述的处理单元处理相同的指令序列并同步或异步地被定时，据此，向所述处理单元（PRO₀，PRO₁）外部起作用的事务由被分配给所述处理单元（PRO₀，PRO₁）的模块（EQ₀，EQ₁）用来同步所述的处理单元（PRO₀，PRO₁），其方式是，所述的处理单元分别通过所述分配的模块被延迟，直到所有处理单元的指令执行已获得当前的事务。
同步异步定时处理单元方法电路装置

[发明专利]柔性薄型印刷电池和装置及其制造方法-CN02828739.8有效
发明人： R·A·兰甘;M·A·舒伯特;J·张;G·郑;F·H·费德里克斯;F·B·图伦;G·R·图乔尔斯基;A·希尔米;J·C·拜利;A·韦伯 -专利权人：永备电池有限公司
申请日： 2002-12-17 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01M2/16 文献下载
摘要：提供了一种平板型柔性电化学电池。本发明讲述了各种情况的平板型柔性电化学电池。提供了一种免除了需要特殊阳极集电器的印刷阳极，因而减小了电池的尺寸。提供了一种允许使用金属阴极集电器的有利的电解质，从而改进了电池的性能。提供了可印刷的凝胶电解质和隔膜，从而允许有共面型和共平面型二种电池结构型式。提供了能减小本发明的平板型柔性电化学电池中电解质蠕动可能性的电池接头。
柔性印刷电池装置及其制造方法

[发明专利]尤其是容许故障系统的处理器的用于事件同步的方法-CN03805711.5无效
发明人： A·韦伯;D·施纳贝尔;P·佩莱斯卡 -专利权人：西门子公司
申请日： 2003-08-07 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G06F11/16 文献下载
摘要：对于冗余的系统一再规定了等同构造的处理器插件板，这些处理器插件板以锁步运行来工作。实现锁步系统的基本前提是所有包含在插件板中的部件的，即CPU、芯片组、主存储器等等的确定性特性。确定性的特性在此意味着，如果部件在等同的时刻获得等同的激励，这些部件则在无故障的情况下在等同的时刻提供等同的结果。确定性的特性此外还以采用时钟同步的接口为前提。在系统中异步的接口在许多情况下促成某种时间的不清晰度，由此不能维持系统的时钟同步的总特性。为了仍然能够执行锁步运行，本发明规定了一种用于同步外部事件的方法，这些外部事件输送给一个处理器(CPU)和影响该处理器(CPU)，据此将这些外部事件暂存，并在指令执行中的等同的位置上给该处理器演示，其中，避免了由现代处理器并行执行指令的能力所产生的问题，其方式是在达到指令执行中的所希望的位置之前禁止处理器的并行执行，并随后以单步模式准确地达到该位置。
尤其是容许故障系统处理器用于事件同步方法

[发明专利]杂配体碱土金属化合物及立体选择性的阴离子聚合工艺-CN00805529.7无效
发明人： K·科诺尔;H－H·布林特金格;S·哈德;A·韦伯;F·菲尔 -专利权人：巴斯福股份公司
申请日： 2000-02-21 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： C08F4/50 文献下载
摘要：聚合引发剂，包含一类碱土金属化合物，其选自：a)式I的杂配体碱土金属化合物，L-M-R (I)或b)式II的阳离子碱土金属络合物，[D-＞M-R]⁺X^- (II)，其中M：为Ca、Sr或Ba，L：为一种聚合非活性配位体，R：为一种聚合活性配位体D：为一种给体配位体，及X：为一种非配位阴离子。以及聚合引发剂的制备工艺及在聚合引发剂存在下阴离子聚合的工艺。
杂配体碱土金属化合物立体选择性阴离子聚合工艺

[发明专利]具有阻挡层的断路闸流管-CN98123435.6有效
发明人： S·林德;A·韦伯 -专利权人： ABB瑞士控股有限公司
申请日： 1998-10-23 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：具有单阳极发射极和阻挡层的GTO在边缘连接区域含有一装置，其使阻挡层与阳极短接。以此GTO在截止状态下在边缘区域表现为二极管结构，并且去掉了截止电流的放大。边缘区域的热负载被降低，并且在上述电压的情况下该器件可以承受较高的工作温度。
具有阻挡断路流管

[发明专利]驱动功率半导体元件的方法-CN02143782.3无效
发明人： O·阿佩尔多恩;E·克洛尔;P·斯特雷特;A·韦伯 -专利权人： ABB瑞士有限公司
申请日： 2002-09-28 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： H03K17/10 文献下载
摘要：集成门双晶体管(IGDT)有两个可控门(G1，G2)，第一门(G1)放在阴极一侧，并通过低电感的第一门连接端由第一门电流所驱动，而第二门(G2)放在阳极一侧，并通过低电感的第二门连接端由第二门电流所驱动。在IGDT的切断操作中，IGDT上的电压的上升速率是通过该两个门而受到限制的。对IGDT上的电压的上升速率的限制，阻止了在串接的IGDT电路中的不同速度的电压增长，也因此阻止了由于不均匀的负荷而产生的过热，以及对个别IGDT的毁坏。
驱动功率半导体元件方法

[发明专利]一种大功率可关断半导体器件-CN02144253.3无效
发明人： E·卡洛尔;O·阿佩尔多恩;P·斯特雷特;A·韦伯 -专利权人： ABB瑞士有限公司
申请日： 2002-09-28 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：一种带有门控换向晶闸管的内部pnpn层结构和阴极侧第一门极的大功率可关断半导体器件在阳极侧设有另外的第二门极。所述第二门极接触n掺杂基极层并具有第二门极接点。具有旋转对称设计并相对阳极接点同心设置的第二门极引线与所述第二门极接点连接。所述第二门极引线从元件引出并与阳极接点电绝缘。第二门极接点和门极引线的旋转对称设计使第二门极－阳极电路中各元件几何布置所形成的环线电感极大地减少，通过阳极侧的门极允许隔离晶体管中的电荷载流子与器件关断同步地快速减少。双门极的半导体器件因此能够以‘硬’模式来驱动，具有作用在任一个或两个门极上的非常尖锐和高的门脉冲以进行全接通和关断，并可实现工作频率高达传统IGCT频率的两倍。
一种大功率可关断半导体器件

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
共 157 条