“A·赫布兰特”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于功率半导体模块布置结构的外壳-CN202211562336.8在审
发明人： A·赫布兰特;P·布罗伊蒂加姆;A·阿伦斯;M·路德维希 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：公开了用于功率半导体模块布置结构的外壳。一种布置结构包括外壳和垂直布置在外壳上方的印刷电路板，其中，外壳包括：侧壁；附接到侧壁并在外壳的远离印刷电路板的下端处布置在外壳的外部上的至少一个突起，其中，至少一个第一通孔设置在至少一个突起中；多个保持器件，其中每个保持器件布置在第一通孔内和/或印刷电路板和第一通孔之间；以及多个紧固元件，所述紧固元件被配置为将外壳附接到散热器或基板，其中所述多个保持器件中的每一个被配置为夹持紧固元件中的不同紧固元件，使得所述紧固元件被固定在限定的位置，并且将所述紧固元件中的每个与所述第一通孔中的不同的一个对准。
用于功率半导体模块布置结构外壳

[发明专利]高密度和耐用的半导体器件互连-CN202211061177.3在审
发明人： M·S·布罗尔;A·塔克卡奇;B·艾兴格;A·赫布兰特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本文公开了高密度和耐用的半导体器件互连。一种形成半导体器件的方法，包括：提供包括管芯附接焊盘的载体；提供半导体管芯，该半导体管芯包括设置在半导体管芯的主表面上的接合焊盘；以及提供金属互连元件；将半导体管芯布置在管芯附接焊盘上，使得接合焊盘背离管芯附接焊盘；以及将金属互连元件熔焊到接合焊盘，其中，接合焊盘包括第一金属层和第二金属层，其中，第二金属层设置在第一金属层和半导体管芯的半导体本体之间，其中，第一金属层的厚度大于第二金属层的厚度，并且其中，第一金属层具有与第二金属层不同的金属成分。
高密度耐用半导体器件互连

[发明专利]用于电连接电子模块和电子组件的方法-CN201810467271.6有效
发明人： K·泰克曼;A·赫布兰特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01R4/18 文献下载
摘要：在一种方法中，提供了具有电端子的电子模块和具有接触孔的电部件。电端子具有压配区段，该压配区段包括以下合金之一：CuFeP；CuZr；CuCrZr；CuMg；CuCrTiSi；CuCrAgFeTiSi；CuNiSiMg。压配区段被压入接触孔中，使得压配区段塑性变形，并且与电部件既机械接触又电接触。电子组件具有电子模块和电部件。电子模块具有电端子，电端子具有压配区段。压配区段包括以下合金中的至少一种：CuFeP；CuZr；CuCrZr；CuMg；CuCrTiSi；CuCrAgFeTiSi；CuNiSiMg。电部件具有接触孔。电子组件包括在压配区段和电部件之间的压配连接。在该压配连接中，压配区段与电部件既机械接触又电接触。
用于连接电子模块组件方法

[发明专利]功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法-CN202110658934.4在审
发明人： R·诺特尔曼;A·阿伦斯;M·埃布利;A·赫布兰特;U·M·G·施瓦策尔;A·塔克卡奇 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种用于制造功率半导体模块装置的方法，包括：将至少一个半导体衬底(10)布置在外壳(40)中，每个半导体衬底(10)包括电介质绝缘层(11)和附接到电介质绝缘层(11)的第一金属化层(111)，并且外壳(40)包括延伸穿过外壳(40)的部件(66、662)的至少一个通孔(64)；将至少一个销或螺栓(62)插入到至少一个通孔(64)中，其中，销或螺栓(62)的上端未插入到通孔(64)中；将印刷电路板(44)布置在外壳(40)上；将外壳(40)布置在热沉(12)上，热沉(12)包括至少一个孔(64)，其中，外壳(40)布置在热沉(12)上，使得至少一个通孔(64)中的每一个与热沉(12)中的至少一个孔(64)中的一个对准；以及使用第一压制工具(70)，由此在印刷电路板(44)的至少一个限定的接触区域上施加力，并且将至少一个销或螺栓(62)中的每一个压入到热沉(12)中的相应的孔(64)中，其中，至少一个限定的接触区域中的每一个直接布置在至少一个销或螺栓(62)中的一个上方。
功率半导体模块用于制造方法

[发明专利]用于半导体模块的直接冷却衬底和相应的制造方法-CN201410149095.3有效
发明人： A·尤勒曼;A·赫布兰特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种半导体模块包括具有金属处理的第一侧以及与该金属处理的第一侧相对的金属处理的第二侧的衬底。半导体裸片被附接附接至该衬底的金属处理的第一侧。多个冷却结构被焊接到该衬底的金属处理的第二侧。每个冷却结构包括以远离衬底延伸的而被设置在堆叠布置进行部署的多个不同焊道。该衬底可以是导电或绝缘的。还提供了制造这样的半导体模块以及具有这样的焊接冷却结构的衬底的相对应方法。
衬底金属处理半导体模块冷却结构附接半导体裸片堆叠布置焊接冷却直接冷却导电焊道绝缘制造延伸部署

[发明专利]衬底、芯片布置及其制造方法-CN201410490572.2有效
发明人： W·哈布尔;A·格雷斯曼;F·温特;O·盖特纳;A·施瓦茨;A·赫布兰特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底、芯片布置及其制造方法，在各种实施例中，提供了衬底。该衬底可包括具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的陶瓷载体；在该陶瓷载体的第一侧之上布置的第一金属层；在该陶瓷载体的第二侧之上布置的第二金属层；以及在第二金属层中或者在第二金属层之上形成的冷却结构。
衬底芯片布置及其制造方法

[发明专利]有键合衬底上冷却附接半导体芯片的冷却结构的功率模块-CN201410178315.5在审
发明人： W·哈布莱;A·格雷斯曼;F·温特;O·盖特纳;A·施瓦茨;A·赫布兰特;L·柯尼希;A·尤勒曼 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：提供了有键合衬底上冷却附接半导体芯片的冷却结构的功率模块。根据一个示例性实施例，提供了一种功率模块，其包括半导体芯片，包括导电板以及直接附接至该导电板并且热耦合至半导体芯片的电绝缘板的键合衬底，以及直接附接至导电板并且被配置为在与冷却流体交互时从半导体芯片去除热的冷却结构的阵列。
有键合衬底冷却半导体芯片结构功率模块