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[发明专利]空穴传输材料-CN201580062649.9有效
发明人： N·S·拉杜;K·D·多布斯;A·费尼莫尔;高卫英;G·M·罗西;J·韦伯 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：提供了一种具有式I的具有咔唑基团和氨基氮的空穴传输聚合物。在该式中：Ar¹、Ar²和Ar⁴是相同或不同的并且是取代或未取代的芳基或氘代芳基；Ar³是取代或未取代的芳基或氘代芳基；E在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：H、D、卤化物、烷基、芳基、硅氧烷、氘代烷基、氘代芳基、氘代硅氧烷和交联基团；R¹‑R²在每次出现时是相同或不同的并且选自下组，该组由以下各项组成：D、F、CN、烷基、氟烷基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交联基团，其中选自R¹和R²的相邻基团可以连接在一起以形成稠环；a是从0‑4的整数；b是从0‑3的整数；并且n是大于或等于1的整数。
芳基烷基硅氧烷氨基甲硅烷氧基氟烷氧基甲硅烷基甲锗烷基交联基团芳氧基烷氧基杂芳基空穴传输聚合物空穴传输材料氟化烷基相邻基团咔唑基团氨基氮氟烷基卤化物稠环式中

[发明专利]空穴传输材料-CN201610297023.2有效
发明人： N·S·拉杜;J·韦伯;A·费尼莫尔;A·佐姆贝尔特;P·沙罗;M·H·小霍华德;T·N·赫特尔;G·M·罗西 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供了具有式I的共聚物在式I中：A为包含至少一个三芳胺基团的单体单元；B’为具有在共聚物中的至少三个附接点的单体单元；C’为芳族单体单元或其氘代类似物；E在每次出现时相同或不同并且可为H、D、卤化物、烷基、甲硅烷基、甲锗烷基、芳基、芳氨基、硅氧烷、可交联基团、氘代烷基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代芳基、氘代芳氨基、氘代硅氧烷、或氘代可交联基团；a、b和c相同或不同并且为摩尔份数，使得a+b+c＝1，并且a和b为非零。
空穴传输材料

[发明专利]形成电活性层的体系-CN201480075194.X有效
发明人： A·费尼莫尔;D·Y·康达考弗;N·S·拉杜 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本文提供了一种用于形成电活性层的电活性体系。所述体系包含：(a)第一电活性材料；(b)促进添加剂；和(c)第一液体介质。所述促进添加剂在焙烧期间以足以使得由其制成的电活性层能够在所述电活性体系沉积并在小于350℃的温度下焙烧预定的时间之后有效抵抗与施用于其上的第二液体介质混合的量存在。
形成活性体系

[发明专利]可交联的空穴传输材料-CN201680064629.X在审
发明人： N·S·拉杜;A·费尼莫尔;G·M·罗西 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C07C211/54 文献下载
摘要：本发明涉及可以表示为具有式I的化合物或由其衍生的聚合物的新颖的空穴传输材料。还披露了一种有机电子装置，该有机电子装置包括阳极、阴极和在其间的至少一个有机活性层，其中该有机活性层包含该空穴传输材料。
空穴传输材料有机电子装置有机活性层阴极阳极聚合物可交联

[发明专利]空穴传输材料-CN201680045761.6在审
发明人： N·S·拉杜;A·费尼莫尔;T·N·霍尔特;G·M·罗西 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：一种有机电子装置结构具有第一电接触层，阳极层和第二电接触层，阴极层，以及介于它们之间的光活性层。与该阳极相邻的可以是空穴注入层，有时称为缓冲层。与该空穴注入层相邻的可以是包含空穴传输材料的空穴传输层，其中新化合物可用作空穴传输材料。与该阴极相邻的可以是包含电子传输材料的电子传输层。
空穴传输材料

[发明专利]用于制备内含层的方法和材料以及由其制成的设备-CN201380063207.7在审
发明人： A·费尼莫尔;D·康达考弗;S·麦凯拉;F·查特 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于在第一层之上形成内含的第二层的方法，所述方法包括以下步骤：形成第一层，所述第一层包含氟化材料和光引发剂，并具有第一表面能；用底漆层处理所述第一层，所述底漆层包含芳族胺化合物；使所述底漆层以图案形式暴露于活性辐射，产生暴露区域和未暴露区域；使所述底漆层显影以从未暴露区域有效地除去所述底漆层，产生具有图案化底漆层的第一层，其中所述图案化底漆层具有高于所述第一表面能的第二表面能；以及通过液相沉积在所述第一层的图案化底漆层上形成第二层。
用于制备内含方法材料以及制成设备

[发明专利]制造内含层的方法和材料以及由其制成的器件-CN201280062189.6在审
发明人： A·费尼莫尔;S·R·麦凯拉 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了用于在第一层之上形成内含的第二层的方法，所述方法包括以下步骤：形成包含氟化材料并具有第一表面能的第一层；用底涂层处理所述第一层；使所述底涂层以图案形式暴露于具有大于300nm波长的辐射下，获得暴露区域和未暴露区域；使所述底涂层显影以有效地从所述未暴露区域移除所述底涂层，获得具有图案化底涂层的第一层，其中所述图案化底涂层具有比所述第一表面能高的第二表面能；以及通过在所述第一层上的图案化底涂层上的液相沉积来形成所述第二层。所述底涂层包含芳族胺化合物和光引发剂。
制造内含方法材料以及制成器件

[发明专利]用于电子应用的氘代锆化合物-CN201080058275.0无效
发明人： A·费尼莫尔;高卫英 -专利权人： E·I·内穆尔杜邦公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C07D215/20 文献下载
摘要：本发明涉及用于电子应用中的氘代电子传送化合物。本发明还涉及电子器件，其中所述电子传送层包含锆化合物，所述锆化合物具有至少一种包含一些氘的芳基化合物。
用于电子应用氘代锆化合物

[发明专利]电活性组合物和用该组合物制得的电子器件-CN201080057992.1有效
发明人： M·H·小霍华德;N·S·拉杜;W·吴;高卫英;N·海隆;E·M·史密斯;C·M·欧德;A·费尼莫尔;Y·王;D·D·莱克洛克斯;K·多格拉;V·罗斯托弗采夫;J·菲尔德曼;S·谢诺伊 -专利权人： E·I·内穆尔杜邦公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明提供了电活性组合物，其包含：氘代第一基质材料和电致发光掺杂剂材料。所述第一基质为具有式I的化合物：。式I的化合物为氘代的。在式I中：Ar¹至Ar⁴相同或不同并且为芳基；Q为多价芳基或。其中T为(CR’)_a、SiR₂、S、SO₂、PR、PO、PO₂、BR或R；R在每次出现时相同或不同并且为烷基或芳基；R’在每次出现时相同或不同并且选自H、D或烷基；a为1-6的整数；并且m为0-6的整数。
活性组合电子器件

[发明专利]作为用于电子应用的化合物组合的一部分的氘代化合物-CN200980162691.2有效
发明人： D·D·莱克洛克斯;A·费尼莫尔;高卫英 -专利权人： E·I·内穆尔杜邦公司
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于电子应用的至少一种氘代芳基蒽化合物的组合。还涉及电子器件，其中所述活性层包含两种不同的芳基蒽化合物，并且至少一种所述化合物包含一些氘代。
作为用于电子应用化合物组合一部分

[发明专利]用于电子应用的氘代化合物-CN200980161299.6有效
发明人： D·D·莱克洛克斯;A·费尼莫尔;高卫英;N·S·拉杜;W·吴;V·罗斯托弗采夫;M·H·小霍华德;旻鸿;沈裕隆 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明涉及可用于电子应用中的氘代芳基蒽化合物。它还涉及其中活性层包含此类氘代化合物的电子器件。
用于电子应用化合物

[发明专利]制造围阻层的方法和材料以及由其制成的器件-CN200980160534.8有效
发明人： A·费尼莫尔;J·M·兹芭斯 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B32B37/02 文献下载
摘要：本发明提供了在第一层上形成围阻的第二层的方法，所述方法包括：形成具有第一表面能的第一层；用底涂层处理所述第一层；使所述底涂层以图案形式暴露于辐射下，获得暴露区域和未暴露区域；使所述底涂层显影以有效地从所述暴露区域或所述未暴露区域移除所述底涂层，获得具有底涂层的图案的第一层，其中底涂层的图案具有比所述第一表面能高的第二表面能；并且通过在所述第一层上的底涂层图案上液相沉积来形成所述第二层。本发明还提供了由所述方法制备的有机电子器件。
制造围阻层方法材料以及制成器件

[发明专利]用于电子应用的氘代化合物-CN201080022317.5有效
发明人： D·D·莱克洛克斯;A·费尼莫尔;高卫英;N·S·拉杜;W·吴;V·罗斯托弗采夫;M·H·小霍华德;旻鸿;沈裕隆 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2010-05-19 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明涉及可用于电子应用中的氘代芳基蒽化合物。它还涉及其中活性层包含此类氘代化合物的电子器件。
用于电子应用化合物

[发明专利]电活性材料-CN200980158603.1有效
发明人： D·D·莱克洛克斯;A·费尼莫尔;高卫英;N·S·拉杜;M·H·小霍华德 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明涉及化合物，所述化合物具有至少两个二芳基氨基部分和至少10％的氘代度。
活性材料

[发明专利]用于电子应用的氘代化合物-CN201080009906.X有效
发明人： D·D·莱克洛克斯;A·费尼莫尔;高卫英;N·S·拉杜;W·吴;V·罗斯托弗采夫;M·H·小霍华德 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2010-03-01 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明涉及可用于电子应用中的氘代芳基蒽化合物。它还涉及其中活性层包含此类氘代化合物的电子器件。
用于电子应用化合物

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