专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]以单一掩模组结合只读元件的非易失性晶体管存储器阵列-CN200580016660.8无效
  • A·S·韦纳 - 爱特梅尔股份有限公司
  • 2005-03-03 - 2007-05-02 - H01L31/119
  • 一种具有排列成排及列的相同布局或基底的存储器单元的存储器阵列。存储器单元有些是电可擦可编程只读存储器单元(EEPROM)(图1及图2),而其余存储器单元是只读存储器单元(图3~6),但它们都是用具有同样长度和宽度尺寸大小的一组掩模制成的。在用于EEPROM的掩模组中,一主掩模用于形成耗尽注入物(23,37)。在一种类型的只读存储单元的情况下(图3,4),此掩模主要是被阻挡的,导致形成在源极(25)及漏极(55)之间有非导电的沟道的晶体管(51),在另外的一种类型只读存储器单元(图5及图6)的情况下,同一掩模是不被阻挡,导致形成在源极及漏极之间具有高导电或几乎短路的沟道(65)的晶体管(61)。这两个只读存储器元件被指定为逻辑1及逻辑0,通过在同一块芯片上配置诸排只读存储器单元和诸排EEPROM,可以制成在多方面适用的存储器阵列芯片而不浪费掉芯片上的空间。
  • 单一模组结合只读元件非易失性晶体管存储器阵列
  • [发明专利]自限制型脉宽调制调节器-CN200480024863.7无效
  • A·S·韦纳 - 爱特梅尔公司
  • 2004-08-10 - 2006-10-11 - H03K3/16
  • 一种减少下冲和过冲情况的自调节PWM调节器被公开。该调节器包括电荷泵、电压比较器电路和锁存器电路。电压比较器电路的输入包括电荷泵的输出。锁存器电路的输入包括来自电压比较器电路的输出。锁存器电路包括耦接到一对AND/OR门的一对SR锁存器。如果来自电压比较器电路的输出处于第一状态,则锁存器电路把第一信号传输到电荷泵,以防止过冲情况,而如果来自电压比较器电路的输出处于第二状态,则锁存器电路传输第二信号,以防止下冲情况。这样使电荷泵保持成在其控制限度内被调整。
  • 限制脉宽调制调节器

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