专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]隐蔽标签结构-CN200980158976.9无效
  • A·M·布拉特科夫斯基;L·H·蒂伦 - 惠普开发有限公司
  • 2009-04-28 - 2012-04-11 - G09F3/03
  • 本发明公开一种隐蔽标签结构,包括具有用于产生预定图样的深度分布的三维衍射光学元件层(100),其中所述衍射光学元件层(100)的顶表面的不同部分相对于所述衍射光学元件层(100)的底表面具有至少两个不同的深度,其中所述深度分布横跨所述衍射光学元件层(100)的所述顶表面的两个维度,并且其中所述顶表面根据预定义图样反射光;以及位于所述衍射光学元件层(100)的所述顶表面上方的涂覆层(108),其中所述涂覆层(108)对于至少一个波长的光不透明。
  • 隐蔽标签结构
  • [发明专利]间接带隙半导体发光二极管-CN200980158821.5无效
  • A·M·布拉特科夫斯基;V·奥西波夫 - 惠普开发有限公司
  • 2009-03-23 - 2012-04-04 - H01L33/00
  • 一种间接带隙半导体发光二极管(401)。所述间接带隙半导体发光二极管(401)包括多个部分,所述多个部分包括间接带隙半导体构成的p掺杂部分(412)、间接带隙半导体构成的本征部分(414)、以及间接带隙半导体构成的n掺杂部分(416)。所述本征部分(414)安置在所述p掺杂部分(412)与所述n掺杂部分(414)之间,并与所述p掺杂部分(412)形成p-i结(430)且与所述n掺杂部分(416)形成i-n结(434)。所述p-i结(430)和所述i-n结(434)配置为,当所述间接带隙半导体发光二极管(401)反向偏置时,促进所述本征部分(414)中至少一个热电子-空穴等离子体的形成,并且配置为促进热电子与空穴的复合而产生的发光。
  • 间接半导体发光二极管
  • [发明专利]用于在计算集群节点之间传送光信号的采用光子互连的计算集群-CN200780002949.3无效
  • A·M·布拉特科夫斯基 - 惠普开发有限公司
  • 2007-01-23 - 2009-02-18 - H04L12/56
  • 本发明的各个实施例针对在计算集群节点(1401-1404)之间提供高速、高带宽互连的基于光子互连的计算集群(1200)。在本发明的一个实施例中,计算集群(1200)包括具有一个或多个光传输路径(1210,1212,1216-1219)的光子互连,所述光传输路径用于将光信号内的独立频率信道传送到一组节点(1401-1404)中的每个节点。所述计算集群(1200)包括一个或多个基于光子互连的写入器(1500),每个写入器与特定节点相关联,并且每个写入器将节点所生成的信息编码到所述独立频率信道之一中。交换结构把在独立频率信道中编码的信息引导到所述计算集群的一个或多个节点。所述计算集群还包括一个或多个基于光子互连的读取器(1550),每个读取器与特定节点相关联,并且每个读取器提取在被引导到所述节点的独立频率信道中编码的信息以进行处理。
  • 用于计算集群节点之间传送信号采用光子互连

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