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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[外观设计]车辆轮毂-CN201930108633.8有效
发明人： C·E·洛佩斯;A·莫塔 -专利权人：马克西昂轮毂德国控股公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：车辆轮毂。2.本外观设计产品的用途：用于机动车辆。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.本产品为回旋体产品，省略左视图、俯视图、仰视图。
车辆轮毂

[外观设计]车辆轮毂-CN201930108273.1有效
发明人： C·E·洛佩斯;A·莫塔 -专利权人：马克西昂轮毂德国控股公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：车辆轮毂。;2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于机动车辆。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。;4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。;5.本外观设计产品为回旋体产品，省略左视图、右视图、仰视图。
车辆轮毂

[发明专利]测量设备的差分法向压力的压力传感器设备及相关方法-CN201510829024.2有效
发明人： A·莫塔;A·帕加尼;G·西库雷拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本公开涉及测量设备的差分法向压力的压力传感器设备及相关方法。一种压力传感器设备，位于测量机械参数的材料内。压力传感器设备可包括IC，IC包括：环形振荡器，具有包括第一掺杂和第二掺杂压敏电阻器对的反相器级。每个压敏电阻器对均可以包括相对垂直布置且具有相同电阻值的两个压敏电阻器。每个压敏电阻器对均可以具有响应于压力的第一和第二电阻值。IC可包括输出接口，耦合至环形振荡器，并且被配置为生成基于第一和第二电阻值以及表示垂直于IC的压力的压力输出信号。
测量设备差分法压力压力传感器相关方法

[外观设计]车辆轮毂（用于非轨道式车辆）-CN201930222467.4有效
发明人： C·E·洛佩斯;A·莫塔 -专利权人：马克西昂轮毂德国控股公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：车辆轮毂（用于非轨道式车辆）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用做非轨道式车辆的轮毂。3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。5．省略视图：本外观设计产品为回转体，故省略左视图、俯视图、仰视图。
外观设计轨道式车辆车辆轮毂省略俯视图回转体左视图轮毂仰视图片

[发明专利]包括半导体电阻器和电阻补偿电路的集成电路及相关方法-CN201510824958.7有效
发明人： A·帕加尼;A·莫塔 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本申请涉及包括半导体电阻器和电阻补偿电路的集成电路及相关方法。集成电路可包括半导体衬底以及半导体电阻器。半导体电阻器可包括在半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱、在阱中具有L形并具有第二导电性类型的第一电阻性区域、以及与第一电阻性区域相关联的调节元件。集成电路还可包括在半导体衬底上的电阻补偿电路。电阻补偿电路可以被配置为测量第一电阻性区域的初始电阻，并基于测得的初始电阻在调节元件处产生电压，以调节第一电阻性区域的工作电阻。
包括半导体电阻器电阻补偿电路集成电路相关方法

[发明专利]具有波导的集成光电子器件和系统以及其制造方法-CN201410844544.6有效
发明人： A·帕加尼;A·莫塔;S·洛伊;G·基亚雷蒂 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： G02B6/43 文献下载
摘要：提供了一种具有波导的集成光电子器件和系统以及其制造方法。集成电子器件由第一表面和第二表面界定，并且包括：由半导体材料制成的本体，在本体内部形成在探测器和发射器之间选择的至少一个光电子部件；以及光学路径，该光学路径至少部分地为引导类型的并且在第一表面和第二表面之间延伸，光学路径穿过本体。光电子部件通过光学路径光学耦合到自由空间的第一部分和自由空间的第二部分，该自由空间的第一部分和第二部分被分别布置在第一表面上方和第二表面下方。
具有波导集成光电子器件系统及其制造方法

[实用新型]压力传感器设备-CN201520948134.6有效
发明人： A·莫塔;A·帕加尼;G·西库雷拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本公开涉及压力传感器设备。一种压力传感器设备，位于测量机械参数的材料内。压力传感器设备可包括IC，IC包括环形振荡器，具有包括第一掺杂和第二掺杂压敏电阻器对的反相器级。每个压敏电阻器对均可以包括相对垂直布置且具有相同电阻值的两个压敏电阻器。每个压敏电阻器对均可以具有响应于压力的第一和第二电阻值。IC可包括输出接口，耦合至环形振荡器，并且被配置为生成基于第一和第二电阻值以及表示垂直于IC的压力的压力输出信号。
压力传感器设备

[实用新型]集成电路-CN201520946630.8有效
发明人： A·帕加尼;A·莫塔 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路。集成电路可包括半导体衬底以及半导体电阻器。半导体电阻器可包括在半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱、在阱中具有L形并具有第二导电性类型的第一电阻性区域、以及与第一电阻性区域相关联的调节元件。集成电路还可包括在半导体衬底上的电阻补偿电路。电阻补偿电路可以被配置为测量第一电阻性区域的初始电阻，并基于测得的初始电阻在调节元件处产生电压，以调节第一电阻性区域的工作电阻。根据本实用新型的方案，可以提供一种能够减小/消除平面应力影响的改进的集成电路。
集成电路

[实用新型]集成光电子器件和光电子系统-CN201420860754.X有效
发明人： A·帕加尼;A·莫塔;S·洛伊;G·基亚雷蒂 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：提供了一种集成光电子器件和光电子系统以克服现有技术不能形成基于光学通信并且包括更多器件的三维系统的缺点。集成电子器件由第一表面和第二表面界定，并且包括：由半导体材料制成的本体，在本体内部形成在探测器和发射器之间选择的至少一个光电子部件；以及光学路径，该光学路径至少部分地为引导类型的并且在第一表面和第二表面之间延伸，光学路径穿过本体。光电子部件通过光学路径光学耦合到自由空间的第一部分和自由空间的第二部分，该自由空间的第一部分和第二部分被分别布置在第一表面上方和第二表面下方。根据本公开的实施例的光电子器件和光电子系统可以形成基于光学通信并且包括更多器件的三维系统。
集成光电子器件光电子系统

[发明专利]具有波导的集成光电子器件以及其制造工艺-CN201380032245.6在审
发明人： A·帕加尼;A·莫塔;S·洛伊 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种集成电子器件由第一表面(S1)和第二表面(S2)界定，并且包括：由半导体材料制成的本体(2)，在本体内部形成在探测器(30)和发射器(130)之间选择的至少一个光电子部件；以及光学路径(OP)，该光学路径至少部分地为引导类型的并且在第一表面和第二表面之间延伸，光学路径穿过本体。光电子部件通过光学路径光学耦合到自由空间的第一部分和自由空间的第二部分，该自由空间的第一部分和第二部分被分别布置在第一表面上方和第二表面下方。
具有波导集成光电子器件及其制造工艺

[发明专利]用于治疗炎症的联芳基PDE4抑制剂-CN200880125175.8无效
发明人： J·辛格;M·E.·格尼;A·布尔金;V·桑达纳亚卡;A·吉谢廖夫;A·莫塔;G·舒尔茨;G·哈泰干;T·哈根 -专利权人：解码遗传EHF公司
申请日： 2008-11-20 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： C07D207/16 文献下载
摘要：本发明涉及含有至少一个另外的环的一类联芳基化合物。所述化合物是用于治疗和预防中风、心肌梗塞和心血管炎性疾病和失调的PDE4抑制剂。所述化合物具有通式I：一个具体的实施方案是
用于治疗炎症联芳基 pde4 抑制剂

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