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[发明专利]表面发射激光元件及其制造方法和表面发射激光阵列及其制造方法-CN200780029934.6有效
发明人：松原秀树;齐藤裕久;中西文毅;松川真治 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-05-21 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种表面发射激光元件(1)的制造方法，包括：制备导电性GaN多区域衬底作为导电性GaN衬底(10)的步骤，所述衬底包括高位错密度高电导区(10a)、低位错密度高电导区(10b)和低位错密度低电导区(10c)；在衬底上形成多个包括发射层(200)的III-V族化合物半导体层堆叠体(20)的半导体层堆叠体形成步骤；以及形成半导体侧电极(15)和衬底侧电极(11)的电极形成步骤。半导体层和电极被形成为使得发射层(200)中载流子流入的发射区(200a)位于低位错密度高电导区(10b)的跨度内的上方。因此，能以良好的成品率得到在发射区中具有均匀的发光的表面发射激光元件。
表面发射激光元件及其制造方法阵列

[发明专利]半导体激光器件及其制造方法-CN200580034733.6无效
发明人：吉本晋;松原秀树;齐藤裕久;三崎贵史;中西文毅;森大树 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：一种半导体激光器件(1)，包括：具有主面(3a)的衬底(3)；在其中主面(3a)延伸的方向上具有在衬底(3)上形成的氮化镓外延层(2a)和低折射率材料(2b)的光子晶体层(7)，该低折射率材料(2b)具有低于外延层(2a)的折射率；衬底(3)上形成的n－型敷层(4)；衬底(3)上形成的p－型敷层(6)；插入n－型敷层(4)和p－型敷层(6)之间且当往其中注入载流子时发光的有源层(5)；以及覆盖直接位于光子晶体层(7)上的区域的GaN层(12)。因此，可以在没有熔化工序的条件下，制造该半导体激光器件。
半导体激光器及其制造方法

[发明专利]发光装置-CN200510133870.7有效
发明人：永井阳一;北林弘之;齐藤裕久;池田亚矢子 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2005-12-19 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发光装置是包括：作为氮化物半导体基板的GaN基板(1)；在氮化物半导体基板的第(1)主表面一侧的n型Al_xGa_1－xN层(3)；从氮化物半导体基板看，远离n型Al_xGa_1－xN层(3)的p型Al_xGa_1－xN层(5)；位于n型Al_xGa_1－xN层(3)以及p型Al_xGa_1－xN层(5)之间的量子井(4)的发光装置。在此发光装置中，氮化物半导体基板的比电阻为0.5Ω·cm以下，向下安装p型Al_xGa_1－xN层(5)的一侧，从作为和氮化物半导体基板的第(1)主表面相反的一侧的主表面的第(2)主表面(1a)发射光。在氮化物半导体基板的第(2)主表面(1a)上形成槽(80)。由于构造简单，所以能够得到制造容易、在长时间能够安定地得到大的发光效率的发光装置。
发光装置

[发明专利]发光二极管及半导体发光器件-CN200410094689.5无效
发明人： 齐藤裕久;广濑义幸;永井阳一;北林弘之;池田亚矢子 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管(1)具有半导体叠片(6)、光学反射层(17)和(19)、光学反射薄膜(25)以及磷光片(27)。叠片(6)由按顺序层叠在衬底(7)上的n型包层(9)、有源层(11)、p型包层(13)以及p型接触层(15)形成。光学反射层(17)和(19)分别位于p型接触层(15)上和衬底(7)的背面(7b)上。光学反射薄膜(25)位于叠片(6)的三个侧面上。将磷光片(27)安装在叠片(6)不具有光学反射薄膜(25)的侧面上。在每个光学反射层反射从有源层(11)输出的蓝光(L1)，然后聚集在设置有磷光片(27)的侧面上。一部分蓝光(L1)在磷光片(27)中变成黄光(L2)，并发出由蓝光(L1)和黄光(L2)组成的白光。
发光二极管半导体发光器件

[发明专利]用于放置半导体芯片的封装件及其制造方法和半导体器件-CN200310120671.3无效
发明人： 齐藤裕久;築野孝;河合千寻;西田慎也;田中基义 -专利权人：住友电气工业株式会社;联合材料公司
申请日： 2003-12-18 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明提供一种用于放置半导体芯片的经济型封装件及其制造方法和半导体器件，通过将半导体芯片在工作时产生的热量有效传递到封装件的安装基板上，可以使半导体芯片长期正常和稳定地工作。该封装件包括：基板，其上表面设置有用于安装半导体芯片的安装空间，且其相对侧设置有螺钉安装部；框架，位于基板的上表面上以围绕安装空间，该框架的侧面或顶面上具有用于输入/输出端的接合部；以及连接到接合部的输入/输出端，其中在安装空间下面的至少一部分基板包括：通过使主要成分为铜和/或银的金属渗透一经由金属碳化物结合金刚石颗粒形成的基体材料而得到的金属－金刚石复合体，和包括螺钉安装部的、由金属组成的剩余部分。
用于放置半导体芯片封装及其制造方法半导体器件

[发明专利]用于装载半导体芯片的封装及半导体器件-CN200310102731.9无效
发明人： 齐藤裕久;筑野孝;河合千寻;田中基义 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2003-10-22 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装，其通过将半导体芯片工作时产生的热量有效地转移至散热器，允许半导体芯片精确、长时间、高稳定性地工作。该封装包括：衬底(2)，其上表面上具有将安装半导体芯片(1)的安装空间；框架(3)，设置为围绕所述衬底(2)上表面上的所述安装空间并在一侧具有用于输入/输出端子(5)的接头(3a)；以及输入/输出端子(5)，连接至所述接头(3a)，其中所述衬底(2)、或部分所述衬底(2)、或所述衬底(2)和所述框架(3)、或部分所述衬底和所述框架由金属－金刚石复合物或由金刚石颗粒和铜构成的金属－金刚石烧结体形成，所述金属－金刚石复合物中具有经由金属碳化物结合的金刚石颗粒的母体材料被铜和/或银渗透。另外，金属－金刚石复合物表面镀金。
用于装载半导体芯片封装半导体器件