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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]垂直式双极性晶体管装置-CN202010916256.2有效
发明人：叶致廷;黄菘志;庄哲豪 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明揭露一种垂直式双极性晶体管装置，其包含一重掺杂半导体基板、一第一半导体外延层(epitaxial layer)、至少一个第一掺杂阱区与一外部导体。重掺杂半导体基板与第一掺杂阱区具有第一导电型，第一半导体外延层具有第二导电型。第一半导体外延层设在该重掺杂半导体基板上。第一掺杂阱区设在第一半导体外延层中。外部导体设在重掺杂半导体基板与第一半导体外延层的外侧，并电性连接重掺杂半导体基板与第一半导体外延层。
垂直极性晶体管装置

[发明专利]具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器-CN202310161326.1在审
发明人： 黄菘志;叶致廷;庄哲豪 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，包括具有第一导电型态并电性耦接第一节点的重掺杂基底、设置于基底上并具有第二导电型态的轻掺杂磊晶层、具有第一导电型态的第一、第三井型区、具有第二导电型态的第二井型区、具有第二导电型态的第一、第三重掺杂区与具有第一导电型态的第二重掺杂区。该些重掺杂区分别位于对应的井型区中，并电性耦接于第二节点。提供电性隔离的沟槽亦形成于基底中。本发明能在正、负向脉冲下各自形成具有浮接基极的双极性接面晶体管与硅控整流器，具备较佳的电性表现、高电路布局弹性与低电路布局面积。
具有可调整触发保持电压瞬时抑制器

[发明专利]用以侦测漏电流的二极管测试模块及其测试方法-CN202210002630.7在审
发明人：叶致廷;黄菘志;林昆贤;庄哲豪 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种二极管测试模块及其测试方法，公开具有第一导电型的基板及形成于基板上并具有第二导电型的磊晶层。磊晶层上形成有具有第一导电型的井型区，具有第二导电型的第一、第二重掺杂区电性耦接于第一、第二输入输出端，并且理论上应形成于井型区中，其中形成有隔离沟槽提供电性隔离。当输入一操作电压时，本发明提供具有第三、第四重掺杂区的侦测单元，使其设置于第一、第二输入输出端间的电流导通路径上，通过设置侦测单元侦测是否有漏电流的产生，本发明在无须额外进行传统电容测试设备及测试时间的情况下，有效判断其井型区是否丢失。
用以侦测漏电二极管测试模块及其方法

[发明专利]散热式齐纳二极管-CN201811101923.0有效
发明人：叶致廷;黄菘志;庄哲豪 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本发明公开了一种散热式齐纳二极管，包含属于第一导电型的一重掺杂半导体基板、属于第一导电型的一第一磊晶层、属于第二导电型的一第一重掺杂区、一第二磊晶层与属于第一导电型或第二导电型的一第二重掺杂区。第一磊晶层设于重掺杂半导体基板上，第一重掺杂区设于第一磊晶层中，并与重掺杂半导体基板相隔。第二磊晶层设于第一磊晶层上，第二磊晶层具有贯穿自身的一第一掺杂区，第一掺杂区属于第二导电型，第一掺杂区接触第一重掺杂区。第二重掺杂区设于第一掺杂区中。
散热齐纳二极管

[发明专利]瞬时电压抑制装置-CN202110496211.9在审
发明人：叶致廷;黄菘志;庄哲豪 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种瞬时电压抑制装置，包括至少一个二极管串行、一电源箝位装置、至少一个第一旁路二极管与至少两个第二旁路二极管。二极管串行耦接于一电源端与一共同总线之间，并耦接于一输入输出埠。电源箝位装置耦接于电源端与共同总线之间。第一旁路二极管耦接于共同总线与一接地端之间。第二旁路二极管串联耦接，并耦接于共同总线与接地端之间。第二旁路二极管与第一旁路二极管以反向并联方式耦接。或者，第二旁路二极管与第一旁路二极管以至少一个双向静电放电装置来取代。
瞬时电压抑制装置

[发明专利]垂直式双极性晶体管装置-CN202010916210.0在审
发明人：叶致廷;黄菘志;庄哲豪 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直式双极性晶体管装置，其包含重掺杂半导体基板、第一半导体磊晶层、至少一个掺杂井区、隔离结构与外部导体。重掺杂半导体基板与掺杂井区具有第一导电型，第一半导体磊晶层具有第二导电型。第一半导体磊晶层设在重掺杂半导体基板上。掺杂井区设在第一半导体磊晶层中。隔离结构设在重掺杂半导体基板中，并围绕第一半导体磊晶层与掺杂井区。外部导体设在掺杂井区与第一半导体磊晶层的外侧，并电性连接掺杂井区与第一半导体磊晶层。
垂直极性晶体管装置

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