专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]快闪存储器及其形成方法-CN201510007183.4有效
  • 万宇;张冬平;杨震;刘丽媛;黄胤泽 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2015-01-07 - 2019-07-02 - H01L27/11521
  • 一种快闪存储器及其形成方法,其中快闪存储器的形成方法包括:提供半导体衬底,半导体衬底具有存储区;在半导体衬底上形成第一栅材料层;对第一栅材料层进行图形化以在存储区形成浮栅,浮栅侧壁与半导体衬底上表面的夹角为钝角;在半导体衬底和浮栅上形成第一栅介质层;在半导体衬底上和第一栅介质层上形成第二栅材料层,第二栅材料层上表面高于浮栅上的第一栅介质层部分上表面;对第二栅材料层进行图形化,以在浮栅上方形成控制栅。本案分别对第一、二栅材料层进行图形化,能够精确控制单层材料的图形化条件。而且,控制栅侧壁与半导体衬底上表面之间夹角为钝角,确保控制栅与浮栅精确对准,避免控制栅伸出至浮栅外而造成存储失效。
  • 闪存及其形成方法

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