专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储器结构及其制造方法-CN202010206400.3有效
  • 江长明;黄宣榕;许哲睿;刘鍊尘 - 华邦电子股份有限公司
  • 2020-03-23 - 2023-10-27 - H10B41/00
  • 本发明提供了一种存储器结构及其制造方法。一些实施例的存储器结构包括衬底、位于衬底上的穿隧介电层以及位于穿隧介电层上的浮置栅极,其中衬底包含的源极区域和漏极区域分别位于浮置栅极的相对两侧。一些实施例的存储器结构还包括位于浮置栅极上的栅间介电层,以及位于栅间介电层上的控制栅极。一些实施例的存储器结构还包括埋置于浮置栅极内的一掺杂区,且此掺杂区的侧壁暴露于浮置栅极的侧壁,其中掺杂区与栅间介电层彼此相隔开。
  • 存储器结构及其制造方法

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