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[发明专利]非线性光学晶体硼酸钠钙及其制备方法和应用-CN201110282159.3无效
发明人：王永疆;任学勇;王瑗;黄伍桥 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种非线性光学晶体硼酸钠钙及其制备方法和应用。该光学晶体硼酸钠钙为具有厘米级尺度的单晶，其分子式为NaCa4B3O9，属于正交晶系，分子量为359.73，单胞参数为：a=10.68004(11)Å，b=11.28574(11)Å，c=6.48521(6)Å；其制备方法为：以硼酸钠钙多晶粉末等为原料，利用助熔剂法生长形成目标产物。本发明原料来源广泛，廉价易得，且制备工艺简单易操作，周期短，获得的产品具有厘米级尺度，包裹体少，其非线性光学效应约等同于同条件下测试的KDP非线性光学效应的2/3，激光损伤阈值较大，机械性能好，不易碎裂，物化性质稳定，不潮解，透光波段220nm至3000nm，在紫外、深紫外区域具有较宽的透光范围，易加工、保存，适于在紫外倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中广泛应用。
非线性光学晶体硼酸及其制备方法应用

[发明专利]双结串行式InGaAs/InGaAsP双端太阳电池及其制作方法-CN201110271244.X无效
发明人：何巍;董建荣;陆书龙;熊康林;赵勇明;任雪勇;黄伍桥;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2011-09-14 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明揭示了一种应用于太阳光谱长波段的双结串联式InGaAs/InGaAsP高效双端太阳电池的制作方法。本发明利用p+InGaAs/n+InGaAs作为隧道结，将基于InP衬底上的InGaAs和InGaAsP太阳电池结果串联生长，使之波长满足能量在0.74eV和1.05eV的吸收，更大限度地实现太阳光全光谱的吸收和能量转换。在长波长太阳光谱中常用的机械式级联太阳电池系统因为使用多个不同衬底而导致成本较高，本发明只用一个衬底，从而大大降低了成本；同时，串行式两端器件结构还有效解决了机械级联或者三端器件中上下不同电池的电极设计及准直问题。
串行 ingaas ingaasp 太阳电池及其制作方法

[发明专利]非晶纳米晶陶瓷材料、陶瓷涂层及其制备方法-CN201010604317.8有效
发明人：薛卫昌;黄伍桥;张耀辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C04B35/117 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶纳米晶陶瓷材料、陶瓷涂层及其制备方法。该陶瓷材料包含按重量百分比计的如下组分：氧化铝Al2O3 20-75wt％，氧化锆10-40wt％，稀土氧化物10-60wt％。该陶瓷涂层是采用如上所述陶瓷材料制备的，且至少其主体部分具有非晶结构。该陶瓷涂层是通过将前述陶瓷材料首先制成非晶颗粒后，再采用热喷涂工艺等喷涂到基体上形成具有非晶结构涂层的，该涂层经进一步的热处理即可获得非晶纳米晶结构的涂层。本发明采用的原料组分简单，廉价易得，形成的涂层具有良好的韧性和强度以及优异的耐磨、耐腐性能，且工艺简洁易操作，适于大规模化生产。
纳米陶瓷材料陶瓷涂层及其制备方法

[发明专利]四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法-CN201010165596.2无效
发明人：陆书龙;董建荣;杨辉;黄伍桥 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明揭示了一种四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法，利用晶片键合的方法，将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池单片集成，充分利用Ge电池，既直接作为四结电池的底电池，又作为支撑衬底，实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.0/0.67eV的太阳电池，更大限度地实现太阳光全光谱的吸收和能量转换，从而可以获得超过45％的转换效率。本发明减少了机械式级联太阳电池系统中使用多个不同衬底所导致的高成本以及光学集成电池中复杂的光学系统及光学损失，同时还有效解决了生长单片四结级联半导体太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出，降低高倍聚光电池中电阻消耗。
gainp gaas ingaas ge 太阳电池制作方法

[发明专利]纳米复合陶瓷反应釜及其制备方法-CN200710191885.8无效
发明人：张耀辉;黄伍桥;余庭 -专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2007-12-18 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： B01J19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米复合陶瓷反应釜，包括基体及涂覆其上涂层，其特征在于：所述反应涂层采用无机材料，涂层材料的熔点在1000℃至2800℃之间，所述反应釜内表面保护涂层通过超音速火焰喷涂方法涂覆在反应釜内表面。其制备方法包括下列步骤：(1)将粒度小于100nm的无机材料通过喷雾造粒法制备出30－60微米的喷涂用颗粒；(2)采用超音速火焰喷涂方法，将步骤(1)获得的材料喷涂至反应釜内表面，制成纳米复合陶瓷反应釜。本发明的纳米复合陶瓷反应釜具有高温下热稳定性好、化学性质稳定、耐酸碱、耐有机溶剂、耐微生物锓蚀等优点，因而在石油化工、生物医药、气体分离、催化反应等领域具有广泛的应用前景。
纳米复合陶瓷反应及其制备方法

[发明专利]硅基高效多结太阳电池及其制备方法-CN200810018407.1无效
发明人：张耀辉;董建荣;余庭;黄伍桥 -专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基高效多结太阳电池，包括一顶层子电池、一中间子电池和一底层子电池，各子电池间经隧道结连接构成串联连接结构，其特征在于：所述底层子电池是Si的PN结电池，所述中间子电池是GaAs的PN结电池，所述顶层子电池是GaInP的PN结电池，各子电池及其间的连接结构直接在硅单晶衬底上生长而成。本发明可以充分利用现有的硅太阳电池成熟的生产技术，解决了Si与GaAs晶格不匹配的问题，可提高转换效率到28％以上，超过现有Si太阳电池的理论极限。
高效太阳电池及其制备方法

[发明专利]聚光/分光高效四结太阳电池-CN200810020794.2无效
发明人：张耀辉;宋贺伦;杨辉;黄伍桥;董建荣 -专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚光/分光高效四结太阳电池，包括一聚光系统和至少2个串联连接的子电池，其特征在于：在所述聚光系统和子电池之间，设置有根据波长分光的分光系统，每一出射子光束照射至一个对应所述子电池，对应的子光束的光子能量分布与子电池的带隙配合，串联后的子电池组的低压端接地。本发明以独立的双结太阳电池进行串联的方式事实上形成了一个四结太阳电池，实现了电池光电流的可调性；针对不同的光束来选用不同的半导体材料，实现了光电转化效率的最优化；同时大大地简化了制备工艺，节约了成本，获得的太阳电池的光电转化效率可以大于40％。
聚光分光高效太阳电池

[发明专利]一种复合涂层材料及其制备方法-CN200710302522.7无效
发明人：张耀辉;黄伍桥;陆明康 -专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： B32B33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合涂层材料，包括基材层和喷涂在基材层表面的复合涂层，所述复合涂层包括采用超音速喷涂工艺将高聚物喷涂在基材表面而形成的高聚物缓冲层，和采用超音速喷涂工艺将非有机材料喷涂在高聚物缓冲层表面而形成的非有机涂层。其制备方法包括以下步骤：(1)将高聚物通过超音速火焰喷涂法喷涂到器件表面；(2)采用超音速火焰喷涂工艺，将由纳米颗粒组成的非有机材料颗粒喷涂到步骤(1)获得的材料表面，从而制成具有有机高聚物缓冲层的复合涂层材料。本发明获得的复合涂层材料由于具有高聚物缓冲层，既保护了基材层，又使得复合层和基材层具有良好的附着力和结合性，同时还保证了复合涂层与基材层之间的零空隙率。
一种复合涂层材料及其制备方法

[发明专利]绝缘防电晕多功能薄膜及其制备方法-CN200710023539.9无效
发明人： 黄伍桥;张耀辉 -专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2007-06-07 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： H01B3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘防电晕多功能薄膜，由云母超细颗粒为主要原料制成，其特征在于：以重量百分比计，其含有下列组份，云母：50～100％，氧化铝：0～50％，氧化锆：0～50％，碳化硅：0～50％，碳化钨：0～50％，上述固体组份的颗粒大小在6000目以下，通过超音速火焰喷涂系统喷涂到基体上形成。其中，采用超音速火焰喷涂方法时，氧气的流量为40～47升/分钟；气体燃料的流量为34～44升/分钟。本发明提供了一种制备绝缘防火防电晕薄膜的方法，获得的薄膜绝缘厚度可以小于0.1mm，解决了一般采用缠绕工艺所难以解决的薄膜绝缘厚度问题；获得的薄膜击穿电压高，且具有防火作用。
绝缘电晕多功能薄膜及其制备方法

[发明专利]纳米复合陶瓷电磁线及其制备方法-CN200710023540.1无效
发明人：张耀辉;黄伍桥 -专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2007-06-07 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米复合陶瓷电磁线，包括金属导线及涂覆其上的绝缘涂层，其特征在于：所述绝缘涂层采用无机材料，涂层材料的熔点在1000℃至2500℃之间，所述绝缘涂层通过火焰喷涂方法涂覆在金属导线表面。其制备方法包括下列步骤：(1)将无机材料研磨至颗粒大小6000目以下；(2)采用火焰喷涂方法，将步骤(1)获得的材料喷涂至金属导线表面，制成电磁线，所述火焰喷涂方法中，气体燃料的流量为34～44升/分钟。本发明的纳米复合陶瓷电磁线解决了一般采用缠绕工艺所难以解决的薄膜厚度问题，获得的无机薄膜具有较好的热稳定性。
纳米复合陶瓷电磁线及其制备方法

[发明专利]噻二唑基偶氮三氟甲烷磺酸基苯胺衍生物合成方法-CN200510031027.8无效
发明人： 黄伍桥;吴谊群;顾冬虹;干福熹 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2005-10-21 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： C07C303/38 文献下载
摘要：一种用于有机光盘的记录介质的噻二唑基偶氮－5－二乙基氨基－苯胺衍生物的合成方法，其特征在于该方法是采用低成本的工业常用的3－(N，N－二乙基氨基)乙酰苯胺作原料，水解生成3－N，N－二乙基氨基苯胺后，与三氟甲基磺酸酐反应生成3－(三氟甲烷磺酰氨基)－N，N－二乙基氨基苯胺；把所得的3－(三氟甲烷磺酰氨基)－N，N－二乙基氨基苯胺与2－氨基－5－甲基－1，2，4－噻二唑重氮化产物反应，以生成2－(5－甲基－1，2，4－噻二唑基偶氮)－5－(二乙基氨基)－三氟甲烷磺酸基苯胺。
噻二唑基偶氮甲烷磺酸基苯胺衍生物合成方法

[发明专利]噻二唑基偶氮－5－二乙基氨基－苯胺衍生物合成方法-CN200510029676.4无效
发明人： 黄伍桥;吴谊群;顾冬红;干福熹 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2005-09-15 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： C07D285/08 文献下载
摘要：一种适用于DVD－R记录介质的噻二唑基偶氮－5－二乙基氨基－苯胺衍生物的合成方法，特别是一种2－(5－甲基－1，2，4－噻二唑基偶氮)－5－(二乙基氨基)－三氟甲烷磺酸基苯胺的合成方法，其特点是：采用低成本工业化常用产品的3－(N，N－二乙基氨基)乙酰苯胺作原料，水解后与三氟甲基磺酸酐反应生成3－(三氟甲烷磺酰氨基)－N，N－二乙基氨基苯胺；把所得的3－(三氟甲烷磺酰氨基)－N，N－二乙基氨基苯胺直接与2－氨基－5－甲基－1，2，4－噻二唑的重氮化产物偶合反应生成2－(5－甲基－1，2，4－噻二唑基偶氮)－5－(二乙基氨基)－三氟甲烷磺酸基苯胺。本发明具有低成本，高效率的特点。
噻二唑基偶氮乙基氨基苯胺衍生物合成方法

[发明专利]多波长可擦重写光存储材料AgTCNQ及其制备方法-CN200310108769.7无效
发明人： 黄伍桥;吴谊群;顾冬红;干福熹 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2003-11-21 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：一种多波长可擦重写光存储材料AgTCNQ及其制备方法，该材料为银－四氰基对苯醌二甲烷酯类衍生物，其分子式为Ag(TCNQ(CH₂CH₂COOR)₂)。该银－四氰基对苯醌二甲烷酯类衍生物合成是采用可溶性四氰基对苯醌二甲烷酯类衍生物作电子受体，合成溶解性良好、适于采用旋涂法成膜的银－四氰基对苯醌二甲烷酯类衍生物的电子转移复合物。本发明能够用简单高效的方法合成银－四氰基对苯醌二甲烷酯类衍生物电子转移复合物并可采用易实用化且成本低廉的旋涂工艺制备出适用于514.5nm(绿光)、红光(650nm)、780nm(红外光)的可擦重写光信息存储的光记录薄膜。由于银－四氰基对苯醌二甲烷酯类衍生物具有写入功率几乎与波长无关的特点。因此在满足光斑大小的要求下，原则上可以使用任何激光器。
波长重写存储材料 agtcnq 及其制备方法

[发明专利]多波长可擦重写光存储材料及其制备方法-CN03150829.4无效
发明人： 黄伍桥;吴宜群;顾冬红;干福熹 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2003-09-05 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：一种多波长可擦重写光存储材料及其制备方法，该材料为铜－四氰基对苯醌二甲烷脂类衍生物；本发明的高溶解性能的铜－四氰基对苯醌二甲烷脂类衍生物是将CuI加入到含四氰基对苯醌二甲烷脂类衍生物和金属碘化物(MI)的乙腈溶液中，在常温至85℃温度范围内，搅拌反应1～4小时即可得铜－四氰基对苯醌二甲烷脂类衍生物；把铜－四氰基对苯醌二甲烷脂类衍生物溶于二甲氨基乙醇或乙腈中，用超声波振荡后，过滤，把过滤后的均匀溶液旋涂到所用的基片上，即得到适合于514.5nm、650nm、或780nm可擦重写光信息存储薄膜。
波长重写存储材料及其制备方法

[发明专利]短波长DVD可擦重写光信息存储材料的制备方法-CN03129605.X无效
发明人： 黄伍桥;吴谊群;顾冬红;干福熹 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2003-06-27 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：一种适用于短波长DVD可擦重写光信息存储材料的制备方法，其特征是采用具有良好溶解性能的光信息存储材料银－四氰基对苯醌二甲烷酯类衍生物作为记录介质，以乙腈、吡啶或两者的混合物作为溶剂，用旋涂工艺制成适合于绿光、红光的可擦重写DVD信息存储薄膜。采用本发明所制备得的薄膜材料在目前CD用的红外光(波长为780nm)、DVD用的红光(波长为650nm)、蓝绿光(波长为514.5nm)写入和写入前的反射率对比度都满足光存储要求，本发明的光致变色材料可直接重复擦写100次以上。
波长 dvd 重写信息存储材料制备方法

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