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[发明专利]内层掺杂的平面波导放大器制备方法及平面波导放大器-CN202110526913.7在审
发明人：王荣平;杨振;牛磊;张政;魏腾秀;邬健;严昆仑;吴端端;徐培鹏;王训四 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种内层掺杂的平面波导放大器制备方法及平面波导放大器，通过在预先模拟平面波导放大器的光场分布图，且基于该光场分布图优化波导结构设计参数，得到优化后的波导结构设计参数，在光学基片上沉积掺杂稀土的第一薄膜层及在第一薄膜层上再沉积不掺杂稀土的第二薄膜层，然后利用刻蚀气体产生的等离子体直接在不掺杂稀土的第二薄膜层上按照优化后的波导结构设计参数刻蚀波导结构，避免等离子体直接对稀土离子做刻蚀，从而避免因掺杂的稀土离子无法被等离子刻蚀而造成所制备的平面波导放大器结构表面及边墙出现较大的粗糙度，这样可以确保平面波导放大器结构表面和边墙的平滑度，降低光学传输损耗，进而提高平面波导放大器的放大增益性能。
内层掺杂平面波导放大器制备方法

[发明专利]外层掺杂的平面波导放大器制备方法及平面波导放大器-CN202110526961.6在审
发明人：王荣平;杨振;张政;牛磊;邬健;魏腾秀;严昆仑;徐培鹏;吴端端;王训四 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种外层掺杂的平面波导放大器制备方法及平面波导放大器，通过在预先模拟得到待制备平面波导放大器的光场分布图，且基于该光场分布图优化波导结构设计参数，得到优化后的波导结构设计参数，在光学基片上沉积不掺杂稀土的第一薄膜层，并且利用刻蚀气体产生的等离子体按照优化后的波导结构设计参数在第一薄膜层上刻蚀波导结构，再在波导结构的上方覆盖掺杂稀土的第二薄膜层，避免等离子体直接对稀土离子做刻蚀，从而避免因掺杂的稀土离子无法被等离子刻蚀而造成所制备的平面波导放大器结构表面及边墙出现较大的粗糙度，这样可以确保该平面波导放大器结构表面和边墙的平滑度，降低光学传输损耗，进而提高平面波导放大器的放大增益性能。
外层掺杂平面波导放大器制备方法

[实用新型]内层掺杂的平面波导放大器、平面波导、光学器件及设备-CN202121031574.7有效
发明人：王荣平;杨振;牛磊;张政;魏腾秀;邬健;严昆仑;吴端端;徐培鹏;王训四 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种内层掺杂的平面波导放大器、平面波导、光学器件及设备，该平面波导放大器包括光学基片，光学基片上沉积有掺杂稀土的第一薄膜层，第一薄膜层上沉积有不掺杂稀土的第二薄膜层，第二薄膜层刻蚀有波导结构。刻蚀波导结构的刻蚀气体产生的等离子体是直接在不掺杂稀土的第二薄膜层上刻蚀波导结构，避免等离子体直接对稀土离子做刻蚀，从而避免了因掺杂的稀土离子无法被等离子刻蚀而造成该平面波导放大器结构表面及边墙出现较大的粗糙度，这样可以确保该平面波导放大器结构表面和边墙的平滑度，降低了光学传输损耗，进而提高平面波导放大器的放大增益性能。
内层掺杂平面波导放大器光学器件设备

[实用新型]外层掺杂的平面波导放大器、平面波导、光学器件及设备-CN202121031768.7有效
发明人：王荣平;杨振;张政;牛磊;邬健;魏腾秀;严昆仑;徐培鹏;吴端端;王训四 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种外层掺杂的平面波导放大器、平面波导、光学器件及设备，该平面波导放大器，包括光学基片，光学基片上沉积有不掺杂稀土的第一薄膜层，第一薄膜层上刻蚀有波导结构，波导结构的上方覆盖有掺杂稀土的第二薄膜层，避免等离子体直接对第二薄膜层上的稀土离子做刻蚀，从而避免因掺杂的稀土离子无法被等离子刻蚀而造成平面波导放大器结构表面及边墙出现较大的粗糙度，这样可以确保该平面波导放大器结构表面和边墙的平滑度，降低光学传输损耗，进而提高平面波导放大器的放大增益性能。
外层掺杂平面波导放大器光学器件设备