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[发明专利]有机发光二极管制备方法和制备装置-CN201610386041.8有效
发明人：魏洋;魏浩明;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供一种有机发光二极管的制备方法，包括提供一基底，在该基底表面形成第一电极；提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机发光层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该有机发光层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载，该有机发光层源材料为该有机发光层的材料或者用于形成该有机发光层的前驱体，该前驱体在蒸镀的过程中反应生成该有机发光层；将该蒸发源与基底具有第一电极的表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该有机发光层源材料蒸发，在该第一电极上蒸镀形成有机发光层；以及在该有机发光层上形成第二电极。本发明还提供一种有机发光二极管的制备装置。
有机发光二极管制备方法装置

[发明专利]有机发光二极管阵列的制备方法-CN201710296657.0有效
发明人： 魏浩明;魏洋;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供一种有机发光二极管阵列的制备方法，包括：提供一基底，在该基底表面形成多个第一电极；在该基底上形成一图案化掩膜层，该图案化掩膜层覆盖该基底并使该多个第一电极的至少一部分裸露在外；提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机发光层源材料，该有机发光层源材料设置在该碳纳米管膜结构的表面；将该蒸发源与该多个第一电极的表面相对且间隔设置，加热所述该碳纳米管膜结构，使该有机发光层源材料蒸发，在裸露在外的多个第一电极上蒸镀形成多个有机发光层；在该多个有机发光层上形成多个第二电极；去除该图案化掩膜层形成有机发光二极管阵列。
有机发光二极管阵列制备方法

[发明专利]有机薄膜晶体管及其制备方法-CN201710295427.2有效
发明人： 魏浩明;魏洋;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上制备有机半导体层、叉指电极层、栅极及绝缘层的步骤，该制备有机半导体层的步骤包括：提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机半导体层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该有机半导体层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载，该有机半导体层源材料为有机半导体层的材料或者用于形成该有机半导体层的前驱体，该前驱体在蒸镀的过程中反应生成该有机半导体层；将该蒸发源与待镀表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该有机半导体层源材料蒸发，在该待镀表面上蒸镀形成该有机半导体层。
有机薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]有机薄膜太阳能电池制备方法和制备装置-CN201610375843.9有效
发明人：魏洋;魏浩明;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供一种有机薄膜太阳能电池的制备方法和制备装置，该制备方法包括：提供一基底，在该基底表面形成第一电极；提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及光活性层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该光活性层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载，该光活性层源材料为该光活性层的材料或者用于形成该光活性层的前驱体，该前驱体在蒸镀的过程中反应生成该光活性层；将该蒸发源与基底具有第一电极的表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该光活性层源材料蒸发，在该第一电极上蒸镀形成光活性层；以及在该光活性层上形成第二电极。
有机薄膜太阳能电池制备方法装置

[发明专利]真空蒸镀用蒸发源-CN201510765031.0有效
发明人：魏洋;魏浩明;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种真空蒸镀用蒸发源，包括蒸发材料及碳纳米管膜结构，该碳纳米管膜结构为一载体，该蒸发材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载。
真空蒸镀用蒸发

[发明专利]真空蒸镀装置-CN201510765105.0有效
发明人：魏洋;魏浩明;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种真空蒸镀装置，包括蒸发源、待镀基底、真空室及电磁波信号输入装置，该蒸发源包括蒸发材料及碳纳米管膜结构，该碳纳米管膜结构为一载体，该蒸发材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载，该蒸发源及待镀基底设置在该真空室中，该待镀基底与该蒸发源的碳纳米管膜结构相对且间隔设置，该电磁波信号输入装置能够向该碳纳米管膜结构输入一电磁波信号。
真空装置

[发明专利]真空蒸镀装置-CN201510764098.2有效
发明人：魏洋;魏浩明;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种真空蒸镀装置，包括蒸发源、待镀基底及真空室，该蒸发源及待镀基底设置在该真空室中，该蒸发源包括蒸发材料、碳纳米管膜结构、第一电极及第二电极，该第一电极及第二电极相互间隔并分别与该碳纳米管膜结构电连接，该碳纳米管膜结构为一载体，该蒸发材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载，该待镀基底与该碳纳米管膜结构相对且间隔设置。
真空装置

[发明专利]热致发声装置及其制备方法-CN201410346736.4有效
发明人：魏洋;魏浩明;林晓阳;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H04R23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种热致发声装置，包括基底、第一电极、第二电极、至少两个相互间隔的支撑元件及第一碳纳米管膜，该第一电极与第二电极相互间隔的设置在该基底的表面，该至少两个相互间隔的支撑元件并分别设置在该第一电极与该第二电极的表面，该第一碳纳米管膜通过该至少两个支撑元件的支撑而部分悬空设置，该支撑元件将该第一碳纳米管膜分别与该第一电极及该第二电极电连接，该支撑元件包括多个并排设置的碳纳米管，该多个碳纳米管基本垂直于该基底的表面。本发明还涉及一种热致发声装置的制备方法。
发声装置及其制备方法

[发明专利]碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法-CN201410125074.8有效
发明人：魏洋;魏浩明;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： C01B32/164 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法，包括以下步骤提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出；将该代替基底的表面接触该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面；以及通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底。本发明还提供一种碳纳米管结构的制备方法。
纳米阵列转移方法结构制备

[发明专利]碳纳米管结构的制备方法-CN201410124617.4有效
发明人：魏洋;魏浩明;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管结构的制备方法，包括以下步骤提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构得以从该碳纳米管阵列中连续地拉出；将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构得以从该碳纳米管阵列中连续地拉出；以及从该代替基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管结构。
纳米结构制备方法

[发明专利]碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法-CN201410124813.1有效
发明人：魏洋;魏浩明;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： C01B32/156 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法，提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列；将该代替基底设置在该碳纳米管阵列的第二表面，并使该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有液态介质；使位于该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间的液态介质变为固态介质；通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底；以及通过升温去除位于该代替基底与该碳纳米管阵列之间的固态介质，去除固态介质后该碳纳米管阵列的形态仍能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出。
纳米阵列转移方法结构制备

[发明专利]碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法-CN201410272103.3有效
发明人：魏洋;魏浩明;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法，首先提供一代替基底及一生长基底；将该代替基底设置在该碳纳米管阵列的第二表面，并使该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有聚乙烯醇溶液；使位于该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间的该聚乙烯醇溶液中的溶剂固化变为冰；通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离并转移至该代替基底；以及通过升温去除位于该代替基底与该碳纳米管阵列之间的冰并使该聚乙烯醇留于该代替基底与该碳纳米管阵列之间。本发明还提供一种碳纳米管结构的制备方法。
纳米阵列转移方法结构制备

[发明专利]碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法-CN201410124924.2有效
发明人：魏洋;魏浩明;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法，提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列；将该代替基底设置在该碳纳米管阵列的第二表面，并使该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有水；使位于该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间的水变为冰；通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底；以及通过升温去除位于该代替基底与该碳纳米管阵列之间的冰，去除冰后该碳纳米管阵列的形态仍能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出。
纳米阵列转移方法结构制备

[发明专利]手性拆分制备单一构型氟西汀的方法-CN201510454558.1有效
发明人：刘宏民;宋利星;赵兵;汤英;魏浩明;王超;刘瀛 -专利权人：郑州大学
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C07C217/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种手性拆分制备单一构型氟西汀的方法，属于药物化学技术领域。该方法用手性扁桃酸及其类似物作为拆分剂，小分子醛或酮类化合物作为添加物，以此来拆分外消旋氟西汀，在制备过程中实现转化——拆分一体化制备单一构型的氟西汀，制备得到的单一构型氟西汀e.e.值（对映体过量）>99%、收率>85%，制备方法简单，成本低廉，高效且可多次循环，适合工业化生产。
手性拆分制备单一构型氟西汀方法

[发明专利]图案化碳纳米管阵列的制备方法及碳纳米管器件-CN201410274924.0有效
发明人：魏洋;魏浩明;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化碳纳米管阵列的制备方法，包括以下步骤提供一转移至代替基底表面的碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列靠近该代替基底的表面为第二表面，远离该代替基底的表面为第一表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；通过在碳纳米管阵列的该第一表面进行激光刻蚀，将该碳纳米管阵列划分为两部分，分别为保留区域和去除区域；以及通过从该去除区域拉取碳纳米管结构的方式去除该去除区域中的碳纳米管，并保留该保留区域的碳纳米管。本发明还提供一种碳纳米管器件。
图案纳米阵列制备方法器件