专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种氢气传感器及其制备方法-CN202111522564.8有效
  • 马可贞;沈方平;徐晓苗;吴楠;张梦 - 苏州芯镁信电子科技有限公司
  • 2021-12-13 - 2023-06-30 - G01M3/02
  • 本申请公开一种氢气传感器及其制备方法,该氢气传感器包括:基底和沿远离基底的方向上依次设置的第一薄膜、传感器组件和第二薄膜;基底朝向第一薄膜的一侧设置有绝热通腔,部分第一薄膜设置在绝热通腔的腔体开口处;传感器组件包括布置于第一薄膜上的第一电阻、第二电阻和环境温度电阻,第一电阻与第二电阻相邻布置;第一电阻与第二电阻设置于绝热通腔的腔体开口范围内;基底上还设置有贯穿基底且穿过绝热通腔的腔体的气体交换通道,气体交换通道设置在远离第一薄膜的一侧,本申请制备的氢气传感器能够检测浓度小于等于0.1%的氢气,且具有响应时间短、使用寿命长和热容低的优势,进而有助于提了车辆的安全性能。
  • 一种氢气传感器及其制备方法
  • [发明专利]一种气体检测装置-CN202310073563.2在审
  • 陈婷婷;沈方平;马可贞;张梦;吴楠 - 苏州芯镁信电子科技有限公司
  • 2023-01-29 - 2023-05-16 - G01N27/22
  • 本申请公开一种气体检测装置,该气体检测装置包括:基底,以及依次设置于基底的一侧的半导体层和隔离层,隔离层上设有检测组件;检测组件包括气体检测元件和检测参考元件,气体检测元件包括能够吸收待检测气体的第一导电材料层,第一导电材料层与隔离层和半导体层构成第一电容结构;检测参考元件包括不能够吸收待检测气体的第二导电材料层,第二导电材料层与隔离层和半导体层构成第二电容结构,利用本申请提供的技术方案通过设置第一电容结构和第二电容结构能够显著提高气体检测装置的检测精度、热响应速度和灵敏度,同时,还可有效阻隔气体检测装置的热量散失,从而可增强气体检测装置的稳定性。
  • 一种气体检测装置
  • [实用新型]一种恒温电路及使用其电路的气体传感器-CN202220770746.0有效
  • 吴楠;马可贞;徐晓苗;沈方平 - 苏州芯镁信电子科技有限公司
  • 2022-04-02 - 2022-08-12 - G01N27/12
  • 本实用新型提供一种恒温电路及使用其电路的气体传感器,包括:控制模块、电桥模块和放大模块,所述控制模块与电桥模块电性连接,所述电桥模块与放大模块电性连接;所述电桥模块包括第二电阻,所述第二电阻的两端分别与第七电阻和第一电阻电性连接,所述第一电阻的另一端与第六电阻电性连接,所述第六电阻的另一端与第七电阻电性连接;所述放大模块包括差分运算放大器和运算放大器,所述差分运算放大器的同相输入端与第三电阻电性连接,所述第三电阻的另一端连接于第二电阻和第一电阻之间的电路上,所述差分运算放大器的反相输入端连接于第一电阻与第二电阻之间的电路上,所述差分运算放大器的输出端与第五电阻电性连接。
  • 一种恒温电路使用气体传感器
  • [发明专利]一种深硅刻蚀方法-CN202111521328.4在审
  • 马可贞;沈方平;徐晓苗;吴楠;张梦 - 苏州芯镁信电子科技有限公司
  • 2021-12-13 - 2022-04-15 - H01L21/762
  • 本申请公开一种深硅刻蚀方法,包括:对待刻蚀硅进行薄膜沉积,在待刻蚀硅上形成氧化薄膜层;在氧化薄膜层上形成第一光刻胶层,对第一光刻胶层进行光刻,得到在氧化薄膜层上的具有第一预设图案的光刻胶层;对待刻蚀硅进行刻蚀,以去除第一预设图案处的氧化薄膜层,得到具有第一预设图案的待刻蚀硅;在具有第一预设图案的待刻蚀硅上形成第二光刻胶层,对第二光刻胶层进行光刻,得到在氧化薄膜层上的具有第二预设图案的光刻胶层;对待刻蚀硅形成第二预设图案的一侧进行刻蚀,以在第一预设图案处形成第一功能区域,以及在第二预设图案中除第一预设图案处形成第二功能区域,本申请能够通过一次刻蚀实现不同深度的刻蚀,具有易匀胶和曝光精度高的优势。
  • 一种刻蚀方法
  • [发明专利]一种氢气检测芯片及制造方法-CN202111242052.6在审
  • 马可贞;沈方平;徐晓苗;吴楠 - 苏州芯镁信电子科技有限公司
  • 2021-10-25 - 2022-01-28 - G01N27/12
  • 本申请公开了一种氢气检测芯片及制造方法,其中,一种氢气检测芯片,包括硅基底层和位于硅基底层上的绝缘层,绝缘层上设置有电阻单元;电阻单元包括压敏电阻、加热电阻、测温电阻和氢敏电阻;硅基底层的内部开设出空腔;压敏电阻设置在空腔的边缘位置,加热电阻、测温电阻和氢敏电阻靠近空腔的中部位置设置。通过在硅基底层内开设空腔,将绝缘层上的压敏电阻设置在空腔的边缘位置,再结合加热电阻、测温电阻和氢敏电阻,本发明实现了一颗芯片同时具备加热、测温、氢气检测和压力检测功能,进而能够直接根据压力变化值对氢气浓度输出值进行校准,得到真实环境中的氢气浓度值。
  • 一种氢气检测芯片制造方法
  • [实用新型]一种血糖传感器-CN202023141901.2有效
  • 沈方平;马可贞;徐晓苗;吴楠 - 苏州芯镁信电子科技有限公司
  • 2020-12-23 - 2021-10-26 - G01N27/26
  • 本实用新型公开了一种血糖传感器,包括芯片和封装结构;所述芯片包括衬底、反应电极、参比电极和铂电极;所述反应电极、所述参比电极和所述铂电极设置在所述衬底上,且所述反应电极、所述参比电极和所述铂电极之间设有间隙,所述反应电极和所述铂电极之间的间隙处设有凹槽阵列;所述芯片设置在所述封装结构内。本实用新型的血糖传感器基于硬质衬底衬底设计并制作的血糖传感器,可以将制作精度提升至纳米级别,从而避免制作精度过低导致的测试误差。
  • 一种血糖传感器
  • [实用新型]一种气体传感器测试系统-CN202023182932.2有效
  • 吴楠;沈方平;马可贞;徐晓苗 - 苏州芯镁信电子科技有限公司
  • 2020-12-25 - 2021-10-01 - G01N33/00
  • 本实用新型公开了一种气体传感器测试系统,包括自动化配气装置、与自动化配气装置输出端连接的传感器、与传感器信号输出端连接的数据采集装置与安装有LabVIEW的控制装置;自动化配气装置包括多个气体罐、第一气体通路、第二气体通路、用于切换第一气体通路与第二气体通路的电磁阀和多个用于调节第一气体通路中气体流量的第一质量流量计,气体罐包括待测气体罐、缓冲气体罐与至少一种对照气体罐,第一气体通路的一端分别连接待测气体罐、缓冲气体罐与对照气体罐,第二气体通路连接对照气体罐。本实用新型的气体传感器测试系统,能够配出任意浓度的气体来满足测试要求,并且实时监测记录传感器的输出电压值,使用安全方便,精确度高。
  • 一种气体传感器测试系统
  • [实用新型]一种低功耗MEMS氢气传感器-CN202023008094.7有效
  • 马可贞;沈方平;徐晓苗;吴楠 - 苏州芯镁信电子科技有限公司
  • 2020-12-15 - 2021-08-24 - G01N27/16
  • 本实用新型提供一种低功耗MEMS氢气传感器,包括衬底层、下绝缘层、金属丝层和上绝缘层;衬底层表面开隔热槽,下绝缘层覆盖于衬底层上,下绝缘层设有与隔热槽对应的镂空窗口;金属丝层包括贵金属材质的第一金属丝和第二金属丝,第一金属丝为用作敏感单元的裸金属丝,第二金属丝为用作参比单元的、包裹有钝化层的金属丝;该第一金属丝和第二金属丝的两端均设有用于引出信号的焊盘,焊盘固定于下绝缘层与上绝缘层之间;第一金属丝和第二金属丝的中部均设有悬置于隔热槽上方的感测部;上绝缘层覆盖于金属丝层上。本实用新型可解决带支撑结构的低功耗氢气传感器导热损耗大,以及金属材料跟支撑材料间的热失配而损坏结构的问题。
  • 一种功耗mems氢气传感器
  • [实用新型]一种防爆防水的车用氢气传感器模块-CN202023150442.4有效
  • 马可贞;沈方平;徐晓苗 - 苏州芯镁信电子科技有限公司
  • 2020-12-24 - 2021-08-20 - G01N33/00
  • 本实用新型提供一种防爆防水的车用氢气传感器模块,包括外壳、防水透气膜、隔爆金属网、紧固环、O型圈、电路板和后盖,外壳的顶部设有带透气窗的第一腔室,第一腔室内安装防水透气膜、隔爆金属网和紧固环,紧固环将防水透气膜和隔爆金属网压紧于透气窗上,紧固环的中部设有供气流通过的空腔;外壳内设有第二腔室,第二腔室内固定带氢气传感器的电路板;外壳内于第一腔室的底部外围设有环形槽,O型圈安装于环形槽内,O型圈压紧电路板而隔离第一腔室内的气流;后盖固定于外壳的底部且密封第二腔室。本实用新型在开放的环境下,能做到长期使用的可靠性和稳定性,防爆性好;其防水透气膜不会因气压水压而松动,也不影响气体交换。
  • 一种防爆防水氢气传感器模块
  • [发明专利]一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法-CN202011587582.X在审
  • 沈方平;马可贞;徐晓苗 - 苏州芯镁信电子科技有限公司
  • 2020-12-28 - 2021-04-20 - H01Q1/38
  • 本发明提供一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法,具体涉及到天线技术领域。本发明包括如下:对硅片进行清洗,然后通过氮气对硅片进行烘干;烘干的硅片表面沉积一层氮化硅;硅片表面沉积一层金属种子层;金属种子层上进行匀胶、光刻和显影,得到图形化的光刻胶;金属种子层上电镀一层复合金属层;硅片的背面进行匀胶、光刻和显影,并采用等离子体蚀刻工艺,得到湿法腐蚀的对准窗口;采用湿法腐蚀工艺,去除复合金属层下方的硅片;制得的硅片通过胶键合的方式进行摞列。本发明提出的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法,提高了信号强度,且制备工艺简单,降低了生产成本低。
  • 一种介质赫兹阵列传输天线制备方法

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