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[发明专利]光检测装置及测距装置-CN202180080131.3在审
发明人： 铃木淳贵;大竹悠介 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01C3/06 文献下载
摘要：本公开的一实施方式的光检测装置具备：半导体基板，具有对置的第一面及第二面，且具有多个像素配置为阵列状的像素阵列部；受光部，对应于每个像素埋入形成于半导体基板的第一面侧，通过光电转换生成与受光量对应的载流子，且该受光部由带隙比半导体基板窄的半导体形成；以及倍增部，设置在与半导体基板的第一面形成大致相同面的受光部的表面附近，对在受光部中生成的载流子进行雪崩倍增，且该倍增部由带隙比半导体基板窄的半导体形成。
检测装置测距

[发明专利]光接收元件、光探测器和测距系统-CN202180072089.0在审
发明人： 铃木淳贵;大竹悠介 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01C3/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种光接收元件(10)，其设置在半导体基板(100)中并由像素分离壁(110)包围。该光接收元件(10)包括：放大电荷的倍增区域(101)；设置在所述倍增区域(101)的与光接收表面相反的一侧的表面上的阴极单元；设置为覆盖所述光接收表面和所述像素分离壁(110)的内侧面的空穴累积区域(104)；以及设置在覆盖所述像素分离壁(110)的内侧面的所述空穴累积区域(104)的表面的一部分上的阳极单元，该表面的一部分在与所述光接收表面相反的一侧。当从与所述光接收表面相反的一侧的表面上方观察所述半导体基板(100)时，所述倍增区域(101)设置为使得所述倍增区域(101)的中心点(Oc)比所述光接收元件(10)的中心点(Ob)距所述阳极单元更远。
接收元件探测器测距系统