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[发明专利]光催化剂、氢生成装置及能量系统-CN201280007502.6有效
发明人： 铃木孝浩;野村幸生;黑羽智宏;宫田伸弘;田村聪;德弘宪一;羽藤一仁 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：本发明是具有由组成式Nb3N5表示的组成且构成元素Nb的价数实质上为+5价的铌氮化物。本发明的铌氮化物的制造方法包括使有机铌化合物与氮化合物气体反应而对所述有机铌化合物进行氮化的氮化工序。
光催化剂生成装置能量系统

[发明专利]氢生成设备、氢生成器件以及使用这些的能量系统-CN201380020848.4有效
发明人： 铃木孝浩;野村幸生;羽藤一仁;藤田龙夫;田村聪;小泽宜裕 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种将多个氢生成单元以具有高低差的位置关系来配置，并且，从电解液的流动来看串联连接，从而同时解决生成的氢与氧的混合、由于气泡向电极表面的附着而导致的极化以及电解液的水压的课题的氢生成设备、氢生成器件以及使用这些的能量系统。氢生成设备将构成上述设备的多个氢生成单元之间的电解液流路分别设置在氢生成侧与氧生成侧。此外，在多个氢生成单元之间，从上向下形成流过电解液的电解液流路，另一方面，在各氢生成单元内，从下向上形成流过电解液的电解液流路。进一步地，在上述电解液流路的路径中，设置与生成气体或大气的接触点。
生成设备器件以及使用这些能量系统

[发明专利]光半导体电极、光电化学电池、氢产生方法和能量系统-CN201410548912.2有效
发明人：田村聪;羽藤一仁;野村幸生;铃木孝浩;小泽宜裕;菊地谅介 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01M8/06 文献下载
摘要：提供一种能够实现更高的长期稳定性的光半导体电极。本发明的光半导体电极(100)，包含：第1导电体层(101)；配置于第1导电体层(101)上、含有选自氮化物半导体和氮氧化物半导体中的至少任1种半导体的n型的第一n型半导体层(102)；以及，第2导电体层(103)，其为被覆第一n型半导体层(102)的表面的氧化物导电体，并且具有透光性。第1导电体层(101)、第一n型半导体层(102)和第2导电体层(103)，满足用于作为能够通过光照射而进行水分解的光半导体电极发挥作用的费米能级的适当的关系。
半导体电极光电化学电池产生方法能量系统

[发明专利]半导体材料及使用了它的光氢生成设备以及氢的制造方法-CN201280043179.8有效
发明人：羽藤一仁;德弘宪一;铃木孝浩;野村幸生;太田健一郎;石原显光 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体材料，其是如下的半导体材料，即，在含有选自第4族元素及第5族元素中的至少任意一种元素的氮氧化物中，将选自氧及氮中的至少任意一种的一部分用碳置换。作为第5族元素，优选为Nb。
半导体材料使用生成设备以及制造方法

[发明专利]氢生成单元、氢生成设备及使用该氢生成设备的能量系统-CN201380001465.2有效
发明人： 铃木孝浩;野村幸生;羽藤一仁;德弘宪一;田村聪 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C01B3/04 文献下载
摘要：本发明提供氢生成单元、氢生成设备及使用该氢生成设备的能量系统。本发明的氢生成单元设有贯通框体的电解液供给孔、电解液排出孔、第一氢流通孔及第二氢流通孔，在设置氢生成单元时，电解液供给孔配置成比电解液排出孔靠铅垂上侧，第一氢流通孔配置成比电解液供给孔靠铅垂上侧，第二氢流通孔配置成比电解液排出孔靠铅垂上侧。利用本结构，能大幅降低与电解液及氢有关的配管长度及歧管数量，能简单且合理地将氢生成单元彼此连结。
生成单元设备使用能量系统

[发明专利]光电极及其制造方法、光电化学电池及使用该电池的能量系统、以及氢生成方法-CN201280013135.0有效
发明人：田村聪;野村幸生;铃木孝浩;德弘宪一;谷口昇;羽藤一仁;宫田伸弘 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明的光电极(100)，具备：导电体层(12)、和在上述导电体层(12)上设置的光催化剂层(13)。导电体层(12)含有金属氮化物。光催化剂层(13)由选自氮化物半导体以及氮氧化物半导体中的至少一种构成。在光催化剂层(13)由n型半导体构成时，真空能级与导电体层(12)的费米能级的能量差小于真空能级与光催化剂层(13)的费米能级的能量差。在光催化剂层(13)由p型半导体构成时，真空能级与导电体层(12)的费米能级的能量差大于真空能级与光催化剂层(13)的费米能级的能量差。
电极及其制造方法光电化学电池使用能量系统以及生成

[发明专利]能量系统-CN201280011114.5有效
发明人：德弘宪一;野村幸生;铃木孝浩;田村聪;宫田伸弘;谷口升;羽藤一仁 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01M8/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能量系统，具备：光氢生成部(101)，其通过光催化作用分解水，来生成氢；燃料电池(103)，其通过由光氢生成部(101)产生的氢和氧化气体之间的反应进行发电的同时，将作为反应生成物的水排出；和水配送机构(104)，其将从燃料电池(103)排出的作为反应生成物的水返回到光氢生成部(101)。通过这样的结构，能够抑制来自外部的水的供给量在少量，从而能够提供水收支平衡的能量系统。
能量系统

[发明专利]NbON膜及NbON膜的制造方法、以及氢生成设备及具备它的能量系统-CN201280003145.6有效
发明人：野村幸生;铃木孝浩;宫田伸弘;羽藤一仁 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-08-01 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明的NbON膜是利用光照射产生光电流的NbON膜。本发明的NbON膜优选为单相膜。本发明的氢生成设备(600)具备：包含导电体(621)和配置于所述导电体(621)上的所述本发明的NbON膜(622)的光半导体电极(620)；与所述导电体(621)电连接的对电极(630)；与所述NbON膜(622)及所述对电极(630)的表面接触的包含水的电解液(640)；以及收容所述光半导体电极(620)、所述对电极(630)及所述电解液(640)的容器(610)，通过向所述NbON膜(622)照射光而产生氢。
nbon 制造方法以及生成设备具备能量系统

[发明专利]氢生成设备-CN201180028115.6有效
发明人：德弘宪一;野村幸生;羽藤一仁;谷口升;铃木孝浩;田村聪 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C01B3/04 文献下载
摘要：本发明的氢生成设备具备：第1电极(120)，其包括导电性基板(101)以及光触媒性半导体层(102)；第2电极(103)，其与第1电极(120)电连接，并且在将第1电极(120)的担持有光触媒性半导体层(102)的面侧的区域设为第1区域(122)、将与第1区域(122)相反一侧的区域设为第2区域(123)的情况下，该第2电极相对于第1电极(120)而被配置在第2区域(123)；电解液(106)，其包含水；和框体(105)，其保持这些第1电极、第2电极及电解液。在第1电极(120)以及第2电极(103)的相对应的位置处设置贯通孔(131，132)，该贯通孔构成对第1区域(122)和第2区域(123)进行连通的连通孔(130)。在连通孔(130)中，按照堵塞连通孔(130)的方式配置与连通孔(130)实质上为相同形状的离子交换膜(104)。
生成设备

[发明专利]光半导体、使用了它的光半导体电极和光电化学单元、以及能量系统-CN201180007084.6有效
发明人：野村幸生;铃木孝浩;宫田伸弘;羽藤一仁 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-03 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： B01J35/02 文献下载
摘要：本发明的光半导体，是含有In、Ga、Zn、O和N的光半导体，具有在通式：In2xGa2(1-x)O3(ZnO)y(x和y满足0.2＜x＜1以及0.5≤y。)中、O的一部分由N置换了的组成，在所述通式中，优选x为0.5，此外优选y为1以上、6以下，更优选y为2或6。另外，本发明的光半导体，优选具有纤维锌矿型结晶构造。本发明的光半导体，可以实现更小的带隙，进行可视光的利用，并且载流子迁移率高，因此量子效率高，是优异的光半导体。
半导体使用电极光电化学单元以及能量系统

[发明专利]氢生成设备-CN201180006506.8有效
发明人： 铃木孝浩;野村幸生;羽藤一仁;谷口升;黑羽智宏;德弘宪一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C25B9/00 文献下载
摘要：本发明的氢生成设备(100)具备：透明基板(1)；由配置在透明基板(1)上的透明导电层(2)及光催化剂层(3)形成的光催化剂电极(4)；与透明导电层(2)电连接的相反极(8)；设置在光催化剂电极(3)与相反极(8)之间的含有水的电解液层；将电解液层分隔成与光催化剂电极(4)相接的第一电解液层(5)和与相反极(8)相接的第二电解液层(7)的分隔件(6)；用于将在第一电解液层(5)的内部产生的气体取出的第一气体取出口(14)；用于将在第二电解液层(7)的内部产生的气体取出的第二气体取出口(15)。光催化剂电极(4)和相反极(8)以光催化剂层(3)的表面与相反极(8)的表面相面对的方式配置。分隔件(6)能够使电解液层中的电解质透过且抑制电解液层中的氢气及氧气透过。
生成设备

[发明专利]光半导体及其制造方法、以及光半导体设备、光触媒、氢生成设备和能量系统-CN201180004738.X有效
发明人： 铃木孝浩;野村幸生;田村聪;羽藤一仁;谷口升;德弘宪一;宫田伸弘 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种光半导体及其制造方法、以及光半导体设备、光触媒、氢生成设备和能量系统。本发明的光半导体的制造方法包括：混合工序，制作包含铌化合物和还原防止剂的混合物，该铌化合物至少在组成中含有氧；氮化工序，使所述混合物与氮化合物气体进行反应，从而使所述混合物氮化；和洗净工序，从通过所述氮化工序得到的试样中，利用洗净液溶解铌氮氧化物以外的化学种，分离出铌氮氧化物。本发明的光半导体实质上由铌氮氧化物构成，该铌氮氧化物具有斜锆石型结晶构造、且具有由组成式NbON表示的组成。
半导体及其制造方法以及半导体设备触媒生成设备能量系统

[发明专利]光电化学电池以及利用光电化学电池的能量系统-CN201080046454.2有效
发明人：黑羽智宏;野村幸生;羽藤一仁;谷口升;铃木孝浩;德弘宪一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C25B9/00 文献下载
摘要：本发明的光电化学电池(100)具备：半导体电极(120)，该半导体电极(120)包括导电体(121)、具有纳米管阵列构造的第一n型半导体层(122)、以及第二n型半导体层(123)；与导电体(121)连接的对电极(130)；与第二n型半导体层(123)以及对电极(130)接触的电解液(140)；以及用于容纳半导体电极(120)、对电极(130)以及电解液(140)的容器(110)。将真空能级作为基准，(I)第二n型半导体层(123)的传导带以及价电子带的带边能级分别比第一n型半导体层(122)的传导带以及价电子带的带边能级大，(II)第一n型半导体层(122)的费米能级比第二n型半导体层(123)的费米能级大，并且，(III)导电体(121)的费米能级比第一n型半导体层(122)的费米能级大。
光电化学电池以及利用能量系统

[发明专利]光电化学元件和使用该元件的能量系统-CN201180003543.3有效
发明人：谷口升;德弘宪一;铃木孝浩;黑羽智宏;野村幸生;羽藤一仁;田村聪 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01M14/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光电化学元件和使用该元件的能量系统，光电化学元件(100)具备：半导体电极(120)，其包括导电体(121)及在导电体(121)上配置的半导体层(122、123)；对电极(130)，其与导电体(121)电连接；电解液(140)，其与半导体层(123)及对电极(130)的表面接触；和容器(110)，其容纳半导体电极(120)、对电极(130)及电解液(140)。以真空能级为基准，半导体层的表面附近区域内的传导带的带边能级ECS、价电子带的带边能级EVS及费米能级EFS、和半导体层的与导电体的接合面附近区域内的传导带的带边能级ECJ、价电子带的带边能级EVJ及费米能级EFJ满足ECS-EFS＞ECJ-EFJ、EFS-EVS＜EFJ-EVJ、ECJ＞-4.44eV、以及EVS＜-5.67eV。半导体层的表面附近区域内的费米能级EFS及半导体层的与导电体的接合面附近区域内的费米能级EFJ分别以真空能级为基准，满足-5.67eV＜EFS＜-4.44eV、-5.67eV＜EFJ＜-4.44eV。
光电化学元件使用能量系统

[发明专利]光电化学单元-CN201080020692.6有效
发明人：野村幸生;铃木孝浩;德弘宪一;黑羽智宏;谷口升;羽藤一仁;德满修三 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-06-01 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C25B9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光电化学单元。所述光电化学单元(1)具备：光半导体电极(第一电极)(3)，其包括导电基板(3a)及配置在导电基板(3a)上的作为光半导体层的n型半导体层(3b)；对电极(第二电极)(4)，其与光半导体电极(3)的导电基板(3a)侧的面对置配置且与导电基板(3a)电连接；电解液(11)，其与n型半导体层(3b)的表面及对电极(4)的表面接触且含有水；容器(2)，其收容光半导体电极(3)、对电极(4)及电解液(11)；供给口(5)，其用于向容器内部供给水；离子通过部(12)，其使离子能够在n型半导体层(3b)的表面侧的区域A中的电解液与相对于光半导体电极(3)而与区域A相反侧的区域B中的电解液之间移动。
光电化学单元

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